EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶圓
晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電2nm良率曝光

- 在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年,臺(tái)積電(TSMC)正式啟動(dòng)2nm制程(N2)試產(chǎn),每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元,再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示,得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化,臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來(lái),良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%(256Mb SRAM)。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看,良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬(wàn)片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),將2nm工藝開(kāi)發(fā)周期壓縮至18個(gè)月,良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%,
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm AI 蘋(píng)果 晶圓
臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成
- 隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2(2nm 級(jí))工藝技術(shù)制造芯片,關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用,但現(xiàn)在《中國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱(chēng),該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用,據(jù)稱(chēng)這指向該公司的 A16(1.6nm 級(jí))節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元,據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 1.6nm 工藝 晶圓
三星美國(guó)工廠進(jìn)退兩難

- 由于全球芯片供應(yīng)過(guò)剩削弱了早期的樂(lè)觀預(yù)期,三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州投資超過(guò)370億美元的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度滯后。據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,截至4月22日,三星電子位于德州泰勒市的工廠建設(shè)進(jìn)度已達(dá)99.6%,通常情況下應(yīng)開(kāi)始搬入設(shè)備,但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動(dòng)工以來(lái),泰勒工廠的建設(shè)時(shí)間表已多次推遲。該廠最初計(jì)劃于2024年下半年投入運(yùn)營(yíng),后調(diào)整至2025年,2025年初又進(jìn)一步推遲至2026年。同時(shí),三星在本土也推遲了部分工廠建設(shè)進(jìn)度,并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補(bǔ)貼面臨不確定性三星的泰勒
- 關(guān)鍵字: 三星 晶圓 代工 臺(tái)積電
傳臺(tái)積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元,CSP巨頭急于2027之前采用
- 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道,隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm,據(jù)報(bào)道,2nm 晶圓價(jià)格已達(dá)到每單位 30,000 美元,未來(lái)節(jié)點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì)飆升至 45,000 美元。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),盡管成本高昂,但主要 CSP 將在未來(lái) 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息人士的話說(shuō),開(kāi)發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此,頂級(jí)玩家仍在潛入——正如該報(bào)告所指出的,AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 晶圓 CSP
數(shù)字孿生技術(shù)助力晶圓廠,AI 工廠發(fā)展
- 從英偉達(dá)到眾多公司,廣泛采用數(shù)字孿生技術(shù)以推動(dòng)復(fù)雜制造工廠的開(kāi)發(fā)。臺(tái)積電正在使用其晶圓廠的數(shù)字孿生,而雅各布斯公司,包括英國(guó) PA 咨詢公司,正利用其在交通和水利系統(tǒng)方面的數(shù)字孿生專(zhuān)業(yè)知識(shí)來(lái)優(yōu)化人工智能數(shù)據(jù)中心。其他使用該技術(shù)的電子公司包括富士康、大立、緯創(chuàng)和華勤。臺(tái)積電正與一家人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)字孿生初創(chuàng)公司合作,以優(yōu)化其新工廠的規(guī)劃和建設(shè)。在數(shù)字孿生中可視化這些優(yōu)化的布局,使規(guī)劃團(tuán)隊(duì)能夠主動(dòng)識(shí)別和解決設(shè)備碰撞問(wèn)題,理解系統(tǒng)相互依賴關(guān)系,并評(píng)估對(duì)空間和運(yùn)營(yíng)關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)的影響。它正在使用英偉達(dá)的 cuOpt
- 關(guān)鍵字: AI 晶圓代工 晶圓
晶圓片上的浪漫
- 清華電子工程系2001級(jí)校友甩出王炸校慶禮,硬核浪漫直接拉滿!8英寸晶圓片上,清華電子系把建系以來(lái)2.8萬(wàn)多個(gè)師生、校友的名字,拼成了電子系系徽。每個(gè)像素點(diǎn)都鐫刻著一個(gè)名字,掃碼就能找到自己名字的位置。來(lái)源|清華大學(xué)小紅書(shū)該晶圓采用單晶硅襯底材料,晶圓表面通過(guò)金屬刻蝕和特殊薄膜加工工藝呈現(xiàn)出紫色的電子系系徽?qǐng)D案。在顯微鏡下可以看到,組成系徽?qǐng)D案的每個(gè)點(diǎn)實(shí)際上由電子系建系以來(lái)所有師生的一個(gè)個(gè)名字組成的。來(lái)源|微信公眾號(hào)霧里發(fā)電
- 關(guān)鍵字: 晶圓
臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó),以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個(gè)月臺(tái)積電(TSMC)宣布,有意增加1000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造,擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21,前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過(guò)隨著項(xiàng)目的推進(jìn),臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報(bào)道,臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó),以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L(zhǎng)的需求。臺(tái)積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格,以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 TSMC FOPLP 封裝技術(shù) 美國(guó) 半導(dǎo)體 晶圓
臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn):工廠火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息,據(jù)媒體報(bào)道,位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中,臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn),待兩大工廠同步投產(chǎn)之后,月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓,最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬(wàn)片。與此同時(shí),市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲,最新報(bào)告顯示,僅2025年第三、四季度,臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收,這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶,蘋(píng)果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者,預(yù)計(jì)iP
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 量產(chǎn) 蘋(píng)果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構(gòu) 3nm FinFET
4月1日,臺(tái)積電正式接受2nm訂單

- 4月1日起,臺(tái)積電2nm晶圓的訂單通道將正式開(kāi)放,臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家透露,客戶對(duì)于2nm技術(shù)的需求甚至超過(guò)了3nm同期。蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應(yīng),根據(jù)知名蘋(píng)果供應(yīng)鏈分析師郭明錤的最新分析,2026年下半年上市的iPhone 18全系列將搭載的A20處理器或全球首發(fā)2nm工藝。而iPhone 17系列的A19芯片將采用臺(tái)積電第三代3nm工藝(N3P)制造,若A20芯片如期量產(chǎn),A20芯片在性能和能效方面將有更顯著的提升。業(yè)內(nèi)人士分析,A20性能提升幅度或超歷代芯片迭代,同時(shí)還為蘋(píng)果下一步的折疊屏、屏下Fac
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 晶圓 iPhone 蘋(píng)果
消息稱(chēng)臺(tái)積電4月1日開(kāi)放2nm晶圓訂單通道,目標(biāo)年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)5萬(wàn)片
- 3 月 24 日消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《中國(guó)時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電正在全力提升 2nm 產(chǎn)能,其位于高雄和寶山的工廠將是關(guān)鍵基地。高雄廠將于 3 月 31 日舉行擴(kuò)產(chǎn)典禮,首批晶圓預(yù)計(jì) 4 月底送達(dá)新竹寶山。4 月 1 日起,2nm 工藝的訂單通道將正式開(kāi)放,蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應(yīng),這一趨勢(shì)符合過(guò)往經(jīng)驗(yàn)。蘋(píng)果計(jì)劃采用臺(tái)積電 2nm 工藝打造 A20 芯片,該芯片將專(zhuān)為 iPhone 18 設(shè)計(jì),并預(yù)計(jì)于 2026 年下半年發(fā)布。此外,包括 AMD、英特爾、博通和 AWS 在內(nèi)的眾多客戶也在排隊(duì)等待 2nm 產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 晶圓 蘋(píng)果 A20 iPhone 18 AMD 英特爾 博通 AWS
Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn),大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早
- Intel新CEO陳立武上任之際,Intel工廠傳出了捷報(bào),位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開(kāi)始初始批量生成,新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻,強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)首批晶圓,供客戶進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)正式進(jìn)入1.0版本,客戶已開(kāi)始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測(cè)試。Intel 18
- 關(guān)鍵字: Intel 18A 晶圓
英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn),單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道,英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示,英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn),早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出,新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作,從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示,High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟,即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
- 關(guān)鍵字: 英特爾 High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓
三星電子晶圓代工部門(mén)設(shè)備投資預(yù)算陡降
- 據(jù)韓媒報(bào)道,根據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計(jì)劃,該部門(mén)今年的設(shè)備投資預(yù)算將僅剩5萬(wàn)億韓元(約合人民幣254億元),較2024年的10萬(wàn)億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021~2023年的投資高峰期每年的設(shè)備投資規(guī)??蛇_(dá)15~20萬(wàn)億韓元。據(jù)了解,三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年的投資重點(diǎn)將放在華城 S3 工廠的 3nm->2nm 工藝轉(zhuǎn)換和平澤 P2 工廠的 1.4nm 測(cè)試線上,還將對(duì)美國(guó)泰勒市晶圓廠進(jìn)行小規(guī)?;A(chǔ)設(shè)施投資。
- 關(guān)鍵字: 三星 晶圓 預(yù)算
應(yīng)對(duì)降價(jià):三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存!
- 1月13日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn),以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌,確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,截至2024年10月底,用于存儲(chǔ)卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%,每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外,三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng),導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施,當(dāng)時(shí)
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存 存儲(chǔ)卡 U盤(pán) 晶圓 SK海力士 鎧俠 西部數(shù)據(jù) 美光 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
世界先進(jìn)與NXP合資廠 新加坡廠動(dòng)土
- 世界先進(jìn)及恩智浦半導(dǎo)體(NXP)于今年9月成立之VSMC合資公司,4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠動(dòng)土典禮,該晶圓廠將于2027年開(kāi)始量產(chǎn),2029年月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)5.5萬(wàn)片12吋晶圓。世界先進(jìn)暨VSMC董事長(zhǎng)方略表示,新加坡不僅是亞洲的經(jīng)濟(jì)樞紐,更是科技創(chuàng)新的高地,世界先進(jìn)在新加坡興建首座12吋晶圓廠,將延續(xù)核心經(jīng)營(yíng)理念,提供特殊集成電路晶圓制造的專(zhuān)業(yè)服務(wù),并為未來(lái)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。這座新廠不僅將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做出貢獻(xiàn),更將為當(dāng)?shù)馗呖萍籍a(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)能。方略日前也指出,世界先進(jìn)近年持續(xù)策略轉(zhuǎn)型,氮化鎵今
- 關(guān)鍵字: 世界先進(jìn) NXP 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
