晶圓 文章 最新資訊
英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產,單季完成3萬片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日報道,英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示,英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產,早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出,新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數(shù)完成與早期設備相同的工作,從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示,High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數(shù)”的處理步驟,即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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應對降價:三星大幅減產西安工廠NAND閃存!
- 1月13日消息,據(jù)媒體報道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產,以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,截至2024年10月底,用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應,導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施,當時
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世界先進與NXP合資廠 新加坡廠動土
- 世界先進及恩智浦半導體(NXP)于今年9月成立之VSMC合資公司,4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠動土典禮,該晶圓廠將于2027年開始量產,2029年月產能預計將達5.5萬片12吋晶圓。世界先進暨VSMC董事長方略表示,新加坡不僅是亞洲的經濟樞紐,更是科技創(chuàng)新的高地,世界先進在新加坡興建首座12吋晶圓廠,將延續(xù)核心經營理念,提供特殊集成電路晶圓制造的專業(yè)服務,并為未來發(fā)展奠定堅實基礎。這座新廠不僅將為半導體產業(yè)做出貢獻,更將為當?shù)馗呖萍籍a業(yè)注入強勁動能。方略日前也指出,世界先進近年持續(xù)策略轉型,氮化鎵今
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華芯微電子首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通
- 據(jù)珠海高新區(qū)官微消息,近日,珠海華芯微電子有限公司(以下簡稱“華芯微電子”)首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通,并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓,將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產。據(jù)悉,該晶圓具備高增益、高效能的特性,可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。這一產品的成功推出,不僅進一步豐富了華芯微電子的產品線,也為其在射頻芯片國產化制造領域樹立了新的里程碑。華芯微電子于2023年在珠海高新區(qū)成立,系華芯(珠海)半導體有限公司旗下子公司,專注于化合物半導
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三星陷入良率困境,晶圓代工生產線關閉超30%

- 根據(jù)韓國三星證券初步的預測數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達成大規(guī)模生產的建議值低了三倍。因訂單量不足關閉代工生產線進入5nm制程時,三星晶圓代工業(yè)務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單,高通的訂單全給了臺積電,同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領域,臺積電拿
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臺積電美國晶圓廠4nm試產良率已與在臺工廠相近
- 據(jù)彭博社援引消息稱,臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示,其亞利桑那州項目“正在按計劃進行,進展良好”。根據(jù)此前的信息顯示,臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設,并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產,而根據(jù)彭博社最新的報道來看,基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當,那么表明其后續(xù)如果量產,良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃,臺積電將在美國亞利
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中芯國際二季度營收增長兩成,凈利1.6億美元,預計三季度收入環(huán)比增超13%
- 消費電子市場的復蘇拉動晶圓代工廠業(yè)績進一步回暖。8月8日晚,國內最大的集成電路代工企業(yè)中芯國際(688981.SH)公布了第二季度業(yè)績。期內,銷售收入 19.013億美元(約136.35億元人民幣),環(huán)比增長8.6%,同比增長21.8%;凈利潤1.646億美元(約 11.8億元人民幣),環(huán)比增長129.2%,同比減少59.1%。第二季度毛利率為13.9%,今年第一季度毛利率為13.7%。產能利用率也進一步爬升至85.2%,第一季度為80.8%,環(huán)比提升四個百分點。中芯國際管理層表示,二季度的銷售收
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我國科學家開發(fā)出人造藍寶石介質晶圓,為低功耗芯片提供技術支撐
- 8 月 7 日消息,隨著電子設備不斷小型化和性能要求的提升,芯片中的晶體管數(shù)量持續(xù)增加,尺寸日益縮小,同時也帶來了新的技術挑戰(zhàn),尤其是在介質材料方面。經過多年研究攻關,中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所成功研制出一種人造藍寶石作為絕緣介質的晶圓,為開發(fā)低功耗芯片提供了重要的技術支撐。相關成果今日已發(fā)表在國際學術期刊《自然》上(DOI:10.1038/s41586-024-07786-2)。電子芯片中的介質材料主要起到絕緣的作用,但當傳統(tǒng)的介質材料厚度減小到納米級別時,其絕緣性能會顯著下降,導致電流泄漏。
- 關鍵字: 人造藍寶石介質 晶圓 低功耗芯片
英特爾陷入惡性循環(huán),能否絕處逢生?
- 英特爾在2024年第二季度財報中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢,實現(xiàn)營收128.33億美元(低于市場預期的129.4億美元),同比下降1%;凈利潤為-16.54億美元(遠不及市場預期的-5.4億美元),2023年同期凈利潤14.73億美元,同比轉虧;毛利率35.4%,遠低于市場預期(42.1%),而上一季度的毛利率為41%,也低于2023年同期的35.8%。AI PC產品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本,以及其他非核心業(yè)務的費用等因素是導致毛利率暴跌的主要原因,營收的微降和毛利
- 關鍵字: 英特爾 財報 AMD 高通 AI 代工 晶圓
價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關鍵字: Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
可用面積達12吋晶圓3.7倍,臺積電發(fā)力面板級先進封裝技術
- 6月21日消息,據(jù)日媒報道,在CoWoS訂單滿載、積極擴產之際,臺積電也準備要切入產出量比現(xiàn)有先進封裝技術高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術。而在此之前,英特爾、三星等都已經在積極的布局面板級封裝技術以及玻璃基板技術。報道稱,為應對未來AI需求趨勢,臺積電正與設備和原料供應商合作,準備研發(fā)新的先進封裝技術,計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝,取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓,從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示,扇出面板級封裝(FOPLP)是基于重新布線層(RDL)工藝,將芯片重新分布在大面板上進行互連的
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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