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2nm
2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
MediaTek 9月推首款2nm芯片流片,用于智能手機(jī)/NVLink定制ASIC

- 繼小米推出首款自有 3nm 芯片 XRING 01 后,智能手機(jī)芯片制造商聯(lián)發(fā)科技也在 Computex 2025 上發(fā)布了其首款 2nm 產(chǎn)品。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道,該公司的首款 2nm 芯片預(yù)計(jì)將于 9 月流片。隨著聯(lián)發(fā)科技加深與 NVIDIA 的合作伙伴關(guān)系,經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道稱,其首款由臺(tái)積電制造的 2nm 芯片可能是下一代旗艦智能手機(jī) SoC,也可能是 NVIDIA NVLink Fusion 系統(tǒng)的定制 ASIC。根據(jù) MediaTek 的新聞稿,作為 NVIDIA NVLink Fusion 的首批
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芯片,遇到難題
- 近,semiengineering 的文章指出,由于復(fù)雜性不斷上升,芯片制造從單片芯片轉(zhuǎn)向多芯片組件,需要進(jìn)行更多次迭代,以及定制化程度不斷提高導(dǎo)致設(shè)計(jì)和驗(yàn)證更加耗時(shí),首次流片的成功率正在急劇下降。從西門子提供的數(shù)據(jù)看,半導(dǎo)體行業(yè)首次流片的成功率已經(jīng)達(dá)到了歷史低點(diǎn)。此外,隨著 2nm 的到來(lái),先進(jìn)制程工藝下的芯片良率也很難提高。芯片遇到了大難題。芯片流片成功率,歷史低點(diǎn)流片對(duì)于芯片設(shè)計(jì)來(lái)說,就是參加一次大考。流片是檢驗(yàn)芯片設(shè)計(jì)是否成功的關(guān)鍵,就是將設(shè)計(jì)好的方案交給代工廠生產(chǎn)出樣品,檢驗(yàn)設(shè)計(jì)的芯片
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押注Rapidus 日本2nm芯片制造試產(chǎn)
- 世界上只有三家公司能夠執(zhí)行大規(guī)模制造最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片的令人難以置信的精度。上個(gè)月,日本的一家初創(chuàng)公司邁出了成為第四家的第一步。Rapidus?在 4 月 1 日實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵的里程碑,它使用與 IBM 合作開發(fā)的配方,基于?IBM 的納米片晶體管結(jié)構(gòu),啟動(dòng)并測(cè)試了其 2 納米節(jié)點(diǎn)芯片的試驗(yàn)線。?Rapidus 告訴?IEEE Spectrum,其位于千歲的新晶圓廠安裝了 200 多臺(tái)尖端設(shè)備,包括 Keystone 部件,一個(gè)價(jià)值超過 3 億美元的最先進(jìn)的極紫外&
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臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程!蘋果、NVIDIA、AMD都想要
- 5月6日消息,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求,有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱,臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程,甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力,有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展,其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng),并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)架構(gòu)。此外,與3nm增強(qiáng)版(N3E)相比,2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面,蘋果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶,可
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日本國(guó)家半導(dǎo)體計(jì)劃新進(jìn)展:Rapidus國(guó)有化打通法律上障礙
- 日本參議院已通過法律修訂,使政府能夠收購(gòu) Rapidus 的股權(quán),這是加強(qiáng)該國(guó)下一代半導(dǎo)體行業(yè)的更廣泛努力的一部分,這一步將使得日本政府可以通過法律收購(gòu)Rapidus股權(quán)并加強(qiáng)對(duì)芯片戰(zhàn)略的控制,這也讓Rapidus可能成為未來(lái)臺(tái)積電最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一。 Rapidus成立于2022年8月,Rapidus由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦,公司地址位于日本東京都千代田區(qū),公司已經(jīng)與IBM達(dá)成合作協(xié)議制造半導(dǎo)體芯片,是日本瞄準(zhǔn)未來(lái)先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝的重要企業(yè)。2024年之前,日本本土的數(shù)字工藝產(chǎn)能最多
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臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率:比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息,在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上,臺(tái)積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況,比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒有給出具體數(shù)據(jù),只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。臺(tái)積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管,目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度,也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái),缺陷率和同期的N5/N4差不多,還稍微低一點(diǎn),同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi),N7/N6的綜合缺陷率是最高的,N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了,
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臺(tái)積電2nm N2工藝節(jié)點(diǎn)今年投產(chǎn) A16和N2P明年上市
- 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露,該公司有望在今年下半年開始大批量生產(chǎn) N2(2nm 級(jí))芯片,這是其首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極 (GAA) 納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。這個(gè)新節(jié)點(diǎn)將支持明年推出的眾多產(chǎn)品,包括 AMD 用于數(shù)據(jù)中心的下一代 EPYC“Venice”CPU,以及各種面向客戶端的處理器,例如用于智能手機(jī)、平板電腦和個(gè)人電腦的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增強(qiáng)的功率傳輸,新的 2nm 節(jié)點(diǎn)將在更高的性能和晶體管密度中實(shí)現(xiàn)切實(shí)的節(jié)能。此外,后續(xù)工藝技術(shù) A16
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Intel下單臺(tái)積電2nm!用于下代PC處理器
- 4月22日消息,據(jù)媒體報(bào)道,Intel已加入臺(tái)積電2nm制程的首批客戶行列,計(jì)劃用于生產(chǎn)下一代PC處理器,目前相關(guān)準(zhǔn)備工作正在臺(tái)積電新竹廠區(qū)緊鑼密鼓地進(jìn)行,以確保后續(xù)良率的調(diào)整。臺(tái)積電計(jì)劃在下半年量產(chǎn)2nm制程,近期相關(guān)客戶陸續(xù)浮出水面,此前,AMD已宣布下單臺(tái)積電2nm制程。報(bào)道稱,Intel和臺(tái)積電目前在2nm制程上僅合作一款產(chǎn)品,可能是Intel明年要推出的PC處理器Nova Lake中的運(yùn)算芯片。對(duì)于Intel加入的消息,臺(tái)積電表示不評(píng)論市場(chǎng)傳聞,也不評(píng)論特定客戶業(yè)務(wù),Intel方面也未對(duì)相關(guān)消息
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臺(tái)積電將在美國(guó)生產(chǎn)30%的2nm和更先進(jìn)的芯片
- 臺(tái)積電管理層在周四的公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司計(jì)劃在美國(guó)生產(chǎn)其 30% 的 N2(2 納米級(jí))產(chǎn)品,并將其 Fab 21 工廠設(shè)在亞利桑那州鳳凰城附近,這是一個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示,打算加快構(gòu)建新的 Fab 21 模塊,以生產(chǎn) N3(3 納米級(jí))、N2 和 A16(1.6 納米級(jí))節(jié)點(diǎn)上的芯片?!巴瓿珊?,我們約 30% 的 2nm 和更先進(jìn)的產(chǎn)能將位于亞利桑那州,在美國(guó)創(chuàng)建一個(gè)獨(dú)立的領(lǐng)先半導(dǎo)體制造集群,”臺(tái)積電首席執(zhí)行官兼董事長(zhǎng) C.C. Wei 在準(zhǔn)備好的講話中說
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手機(jī)漲價(jià)潮又來(lái)了!高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺(tái)積電2nm:芯片成本大漲
- 4月17日消息,博主數(shù)碼閑聊站表示,明年蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng),新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。去年10月份,因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺(tái)積電3nm工藝,國(guó)產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。當(dāng)時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋,旗艦機(jī)漲價(jià)有兩個(gè)原因,一是旗艦處理器升級(jí)最新3nm制程,工藝成本大幅增加;二是內(nèi)存、存儲(chǔ)經(jīng)過持續(xù)一年的漲價(jià),已經(jīng)來(lái)到了最高點(diǎn),所以大內(nèi)存的版本漲幅更大。展望明年,高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級(jí)為全新的臺(tái)積電2nm制程,成本將會(huì)再度上漲
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消息稱蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科確定明年上臺(tái)積電 2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng)
- 4 月 17 日消息,據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站 今日爆料,明年蘋果 / 高通 / 聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電 2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng),新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。爆料還稱,今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會(huì)采用臺(tái)積電 N3P 工藝。對(duì)于今年的手機(jī)是否會(huì)漲價(jià),該博主稱“今年還好,子系甚至有準(zhǔn)備降價(jià)的”。臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年下半年將開始量產(chǎn) 2nm 芯片。有消息稱臺(tái)積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋果包下,將用來(lái)生產(chǎn) A20 處理器,蘋果今年仍將穩(wěn)居臺(tái)積電最大客戶。分析師郭明錤
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比蘋果高通快一步!曝三星率先商用2nm芯片:11月進(jìn)入量產(chǎn)階段
- 4月12日消息,三星原計(jì)劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500,但由于三星代工部門的3nm良率未達(dá)標(biāo),Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今,三星押注下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據(jù)媒體報(bào)道,三星2nm工藝制程良率已達(dá)40%,預(yù)計(jì)在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作,Galaxy S26系列將會(huì)全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是,芯片制造商通常需達(dá)到70%-80%的
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再加碼!臺(tái)積電在美投資或增加到2000億美元

- 日前,特朗普接受專訪時(shí)再度提到臺(tái)積電赴美投資重大里程碑,談及投資規(guī)模時(shí),表示最大的芯片制造商將投資2000億美元,并稱臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。臺(tái)積電的“赴美”之路· 2020年,臺(tái)積電宣布在亞利桑那州設(shè)立首個(gè)芯片生產(chǎn)基地,初期預(yù)計(jì)投資約120億美元;· 2023年,臺(tái)積電計(jì)劃進(jìn)一步增加在美國(guó)的投資力度,決定在亞利桑那州增設(shè)第二個(gè)晶圓制造廠,這使臺(tái)積電在美國(guó)的總投資額提升至400億美元;· 2024年,為了更多利用《芯片和科學(xué)法案》所提供的補(bǔ)貼支持,臺(tái)積電再次擴(kuò)大了其在美國(guó)的布局計(jì)劃,
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8025億日元!日本加碼扶植Rapidus:力求先進(jìn)芯片國(guó)產(chǎn)化
- 3月31日消息,今天,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將向芯片制造商Rapidus追加最高8025億日元(約合388.71億元人民幣)的額外補(bǔ)貼,以支持其先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目。至此,日本政府對(duì)Rapidus的累計(jì)支持金額將達(dá)到約1.72萬(wàn)億日元(約合833.13億元人民幣)。此次追加的8025億日元中,6755億日元將用于支持芯片制造的前道工序環(huán)節(jié),另外1270億日元將用于支持包括芯片封裝和測(cè)試在內(nèi)的后道工序環(huán)節(jié)。日本政府為了給Rapidus的支持提供法律依據(jù),已向本屆國(guó)會(huì)提交相關(guān)法律修正案,除1.7225萬(wàn)億日元外,
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