臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/h1>
上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab
21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202504/469487.htm據(jù)TrendForce報(bào)道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm
x 300mm的面板尺寸，比之前測試使用的515mm x 510mm規(guī)格要小一些。
目前臺積電在中國臺灣桃園建造一條試點(diǎn)生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)最早2027年開始試產(chǎn)。臺積電還曾嘗試與群創(chuàng)等面板廠商合作，不過最后選擇自行開發(fā)，原因是目前面板行業(yè)的精度和技術(shù)實(shí)力不足以滿足臺積電的標(biāo)準(zhǔn)。
臺積電的3D
Fabric系統(tǒng)集成平臺對先進(jìn)封裝進(jìn)行了分類，包括了三個(gè)部分，分別是用于3D芯片堆疊技術(shù)的前端封裝SoIC、以及用于后端先進(jìn)封裝的CoWoS和InFO系列，其中基于FOWLP（扇出晶圓級封裝）的InFO封裝在2016年首次應(yīng)用于iPhone
7的A10處理器。
近年來又發(fā)展出了FOPLP技術(shù)，提供了單位成本更低的封裝，客戶也被更具成本效益的解決方案所吸引，從而導(dǎo)致需求不斷上升，不少芯片設(shè)計(jì)公司計(jì)劃用在新一代AI芯片上。
加入技術(shù)交流群
上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202504/469487.htm據(jù)TrendForce報(bào)道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x 300mm的面板尺寸，比之前測試使用的515mm x 510mm規(guī)格要小一些。
目前臺積電在中國臺灣桃園建造一條試點(diǎn)生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)最早2027年開始試產(chǎn)。臺積電還曾嘗試與群創(chuàng)等面板廠商合作，不過最后選擇自行開發(fā)，原因是目前面板行業(yè)的精度和技術(shù)實(shí)力不足以滿足臺積電的標(biāo)準(zhǔn)。
臺積電的3D Fabric系統(tǒng)集成平臺對先進(jìn)封裝進(jìn)行了分類，包括了三個(gè)部分，分別是用于3D芯片堆疊技術(shù)的前端封裝SoIC、以及用于后端先進(jìn)封裝的CoWoS和InFO系列，其中基于FOWLP（扇出晶圓級封裝）的InFO封裝在2016年首次應(yīng)用于iPhone 7的A10處理器。
近年來又發(fā)展出了FOPLP技術(shù)，提供了單位成本更低的封裝，客戶也被更具成本效益的解決方案所吸引，從而導(dǎo)致需求不斷上升，不少芯片設(shè)計(jì)公司計(jì)劃用在新一代AI芯片上。
評論