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制程 文章 最新資訊

國(guó)內(nèi)最后一家 12 英寸晶圓廠 AMS 宣告失敗—又一家芯片項(xiàng)目失敗案例

  • 江蘇先進(jìn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體（AMS）已發(fā)布聲明正式宣布其重組計(jì)劃失敗。這不僅標(biāo)志著我國(guó)最后一家 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目的最終崩潰，也成為了該國(guó)未完成的科技企業(yè)浪潮的典型案例，正如新浪所指出。報(bào)告指出，AMS 的重組工作始于 2023 年 7 月。當(dāng)時(shí)，這家公司——曾計(jì)劃投資 130 億元人民幣建設(shè) 12 英寸晶圓廠——被破產(chǎn)清算。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，其核心資產(chǎn)包括一臺(tái)價(jià)值 1.43 億元人民幣的 ASML 光刻機(jī)。AMS 的失敗凸顯了我國(guó)在積極推動(dòng)新建半導(dǎo)體項(xiàng)目過(guò)程中面臨的更廣泛?jiǎn)栴}。據(jù) Tom’s Hardwar
  • 關(guān)鍵字： 晶圓代工  制程  市場(chǎng)分析  

CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價(jià)格出售其海外工廠的控制股權(quán)

  • 2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報(bào)告摘要，稱(chēng)其計(jì)劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買(mǎi)家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當(dāng)于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進(jìn)行。根據(jù)公告，該交易的定價(jià)為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過(guò)其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
  • 關(guān)鍵字： 工藝  制程  半導(dǎo)體制造  

2納米芯片制造激烈競(jìng)爭(zhēng)：良率差距顯著

  • 在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電和三星電子正激烈爭(zhēng)奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開(kāi)始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺(tái)積電已開(kāi)始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
  • 關(guān)鍵字： 制程  2nm  三星  臺(tái)積電  

1.1 億歐元計(jì)劃用于在德累斯頓建設(shè) GF 晶圓

  • 據(jù)報(bào)道，全球晶圓代工廠（GF）將在未來(lái)幾年內(nèi)投資 11 億歐元，將其位于德國(guó)德累斯頓的芯片工廠產(chǎn)能翻倍。這消息傳來(lái)之際，該公司還宣布為位于紐約馬耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工廠和氮化鎵（GaN）芯片工廠追加 30 億美元資金。公司此前已宣布為這些地點(diǎn)投入 130 億美元資金，以及最近啟動(dòng)的紐約先進(jìn)封裝和光子中心。然而，美國(guó)政府在減少對(duì)佛蒙特州和包裝中心的資金支持。這是否屬于當(dāng)前的歐盟芯片法案，還是屬于下一階段芯片法案的談判，還有待觀察。當(dāng)前的歐盟芯片法案因缺乏資金提供、成果和效益的透明度而受到歐洲審計(jì)
  • 關(guān)鍵字： 晶圓廠  制程  

芯片的先進(jìn)封裝會(huì)發(fā)展到4D？

  • 電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱(chēng)為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
  • 關(guān)鍵字： 電子集成  工藝  制程  

臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程！蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要

  • 5月6日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng)，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。此外，與3nm增強(qiáng)版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶，可
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日本政府?dāng)M2025年成Rapidus股東，修法已通過(guò)

  • 據(jù)日本共同通信社和日經(jīng)新聞報(bào)道，日本政府計(jì)劃在2025年下半年對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計(jì)劃的法律基礎(chǔ)已經(jīng)確立，日本參議院于4月25日通過(guò)了《信息處理促進(jìn)法》等修正案，正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。ń?jīng)產(chǎn)省）主管的信息處理推進(jìn)機(jī)構(gòu)（IPA）將新增金融業(yè)務(wù)，向民間金融機(jī)構(gòu)為下一代半導(dǎo)體企業(yè)提供債務(wù)擔(dān)保。這一機(jī)制將使日本政府能夠通過(guò)IPA對(duì)Rapidus進(jìn)行出資，出資對(duì)象將通過(guò)公開(kāi)招募選定，預(yù)計(jì)為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預(yù)算中預(yù)留了1,000億日元
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臺(tái)積電高歌猛進(jìn)，二線廠商業(yè)績(jī)承壓

  • 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺(tái)積電全年合并營(yíng)收達(dá)900億美元，同比增長(zhǎng)30%；稅后凈利達(dá)365億美元，同比大幅增長(zhǎng)35.9%。毛利率達(dá)到56.1%，營(yíng)業(yè)利益率達(dá)45.7%，皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季，臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電首季毛利率達(dá)58.8%，且預(yù)計(jì)第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間；美元營(yíng)收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)13%、同比增長(zhǎng)近40%。與之形成鮮明對(duì)比的是，二線代工廠首季營(yíng)運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來(lái)看，聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣578
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AMD拿下臺(tái)積電2nm工藝首發(fā)

  • 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺(tái)積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺(tái)積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋(píng)果公司的芯片首發(fā)。N2是臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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英特爾宣布 18A 工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)

  • 英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會(huì)上宣布了公司 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會(huì)議上，英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，這是一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑，標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于小批量測(cè)試制造運(yùn)行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因?yàn)橛⑻貭柤磳⑼耆瓿善洹八哪晡鍌€(gè)節(jié)點(diǎn)”（5N4Y） 計(jì)劃，該計(jì)劃最初由前首席執(zhí)行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)！

  • 3月24日消息，中國(guó)科學(xué)院（CAS）研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(zhǎng)一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)（SPIE）的官網(wǎng)上。目前，全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過(guò)氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193納米波長(zhǎng)的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射，輸出功
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2納米制程競(jìng)爭(zhēng) 臺(tái)積電穩(wěn)步向前或芒刺在背？

  • 在半導(dǎo)體制程技術(shù)的競(jìng)賽中，2納米制程成為各大廠商爭(zhēng)奪的下一個(gè)重要里程碑。 臺(tái)積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開(kāi)始試產(chǎn)，并計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 臺(tái)積電將在2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統(tǒng)的FinFET轉(zhuǎn)向新一代晶體管架構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。 臺(tái)積電也計(jì)劃興建2納米晶圓廠，以滿足未來(lái)的生產(chǎn)需求。臺(tái)積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩(wěn)定的制造流程和廣泛的客戶基礎(chǔ)。 與蘋(píng)果、AMD、高通等大客戶的緊密合作，使其在市場(chǎng)上具有強(qiáng)大的影響力。 且需面對(duì)來(lái)自三星和英特爾在GA
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計(jì)劃上半年流片，英特爾18A制程準(zhǔn)備就緒

  • 近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始設(shè)計(jì)定案。該制程將導(dǎo)入多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計(jì)劃將18A制程應(yīng)用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過(guò)將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級(jí)硅穿孔（through-silicon
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16/14nm也受限 但擋不住中國(guó)崛起！光刻機(jī)采購(gòu)金額首次大幅下降

  • 2月13日消息，雖然受到美國(guó)制裁，但中國(guó)一直是以光刻機(jī)為主的晶圓/芯片制造設(shè)備的最大采購(gòu)國(guó)，而根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新報(bào)告，2025年中國(guó)半導(dǎo)體廠商的采購(gòu)將首次出現(xiàn)大幅下降。報(bào)告稱(chēng)，2024年，中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購(gòu)額為410億美元，而在2025年預(yù)計(jì)會(huì)降至380億美元，降幅超過(guò)7％。TechInsights認(rèn)為，這一方面是美國(guó)的出口管制政策越發(fā)收緊，另一方面是中國(guó)半導(dǎo)體本身不斷取得突破，同時(shí)芯片供應(yīng)超過(guò)了需求。30億美元的下降很大，不過(guò)380億美元的采購(gòu)規(guī)模，仍然讓中國(guó)穩(wěn)居世
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求變！三星將全面整頓封裝供應(yīng)鏈：材料設(shè)備采購(gòu)規(guī)則全改

  • 12月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星正計(jì)劃對(duì)其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝供應(yīng)鏈進(jìn)行全面整頓，以加強(qiáng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。這一舉措將從材料、零部件到設(shè)備進(jìn)行全面的“從零檢討”，預(yù)計(jì)將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大影響。報(bào)道稱(chēng)，三星已經(jīng)開(kāi)始審查現(xiàn)有供應(yīng)鏈，并計(jì)劃建立一個(gè)新的供應(yīng)鏈體系，優(yōu)先關(guān)注設(shè)備，并以性能為首要要求，不考慮現(xiàn)有業(yè)務(wù)關(guān)系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購(gòu)的設(shè)備，并重新評(píng)估其性能和適用性，目標(biāo)是推動(dòng)供應(yīng)鏈多元化，包括更換現(xiàn)有的供應(yīng)鏈。三星過(guò)去一直執(zhí)行“聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃”與單一供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品，然而，由于半導(dǎo)體技術(shù)日益復(fù)
  • 關(guān)鍵字： 三星  制程  封裝  
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