半導(dǎo)體文章最新資訊

美國參議院據(jù)報(bào)道考慮為新建芯片工廠提供35%稅收抵免，將提振臺積電、英特爾和三星

盡管特朗普政府是否會或如何推進(jìn)芯片關(guān)稅仍不明確，彭博社暗示參議院已通過重大稅收立法，為芯片制造商帶來重大利好。該法案將美國新建半導(dǎo)體工廠的投資稅收抵免從 25%提高到 35%——超過了先前提出的 30%，報(bào)告補(bǔ)充說，這將使英特爾、臺積電、三星和美光等已承諾在美國進(jìn)行重大投資的公司受益。值得注意的是，根據(jù)彭博社的報(bào)道，芯片制造商如果在2026年之前開始建設(shè)就有資格獲得稅收抵免。據(jù)報(bào)道，參議院已經(jīng)獲得批準(zhǔn)，眾議院正努力在7月4日之前通過該法案，并將其送交特朗普進(jìn)行最終簽署。如果這一稅收
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半導(dǎo)體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報(bào)道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點(diǎn)：未來晶體管設(shè)計(jì)，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會降低芯片制造對先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，尤其是對EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點(diǎn)無疑對當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機(jī)在先進(jìn)制程中扮演關(guān)鍵角色，通過曝光步驟將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結(jié)構(gòu)。然而，該英特爾高層認(rèn)為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術(shù)，而非單純
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Kuka推出用于半導(dǎo)體和電子行業(yè)的潔凈室認(rèn)證機(jī)器人

Kuka 推出了其自主移動機(jī)器人（AMR）的潔凈室認(rèn)證版本，即 KMR iisy CR，專為半導(dǎo)體和電子制造等敏感環(huán)境而設(shè)計(jì)。新型號符合弗勞恩霍夫研究所確認(rèn)的 ISO 潔凈室 3 級標(biāo)準(zhǔn)，并提供 11 公斤和 15 公斤的有效載荷版本。Kuka 最新的自主解決方案 KMR iisy CR 將移動平臺與六軸 LBR iisy CR 機(jī)械臂相結(jié)合，提供與潔凈室兼容的自動化。KMR iisy CR 專為低顆粒排放、最小釋氣和完全符合 ESD 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)，使制造商能夠在高精度環(huán)境中執(zhí)行物料搬運(yùn)任務(wù)，
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Lam Research：半導(dǎo)體行業(yè)的下一個顛覆者

作為半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域的主要參與者，泛林集團(tuán)也是一項(xiàng)有吸引力的投資，應(yīng)該會受益于人工智能、5G 和邊緣計(jì)算領(lǐng)域的一系列長期增長動力。泛林集團(tuán)是一家專門從事等離子體蝕刻和沉積設(shè)備的公司，在這些市場占據(jù)領(lǐng)先地位，在關(guān)鍵的前端晶圓制造工藝中占有一半的市場份額。投資優(yōu)勢AI 包容性導(dǎo)致芯片的復(fù)雜性日益增加人工智能革命確實(shí)是決定 Lam Research 發(fā)展的最關(guān)鍵技術(shù)要素。泛林集團(tuán)首席執(zhí)行官蒂姆·阿切爾（Tim Archer）提到，對異常復(fù)雜的人工智能硅芯片的需求將導(dǎo)致臺積電等公司從這家美國公司購買更多工具
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半導(dǎo)體公司已經(jīng)占標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)總市值的12.1%

美國半導(dǎo)體股票越來越火爆，其市值不斷攀升，這一類股票現(xiàn)在創(chuàng)紀(jì)錄地占標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)總市值的 12.1%，這是三年前的兩倍。半導(dǎo)體的商業(yè)籌碼越來越重，但特朗普領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)稅戰(zhàn)仍在進(jìn)行。英偉達(dá)繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體市值飆升，隨著英偉達(dá)以3.8 萬億美元的市值創(chuàng)下了新紀(jì)錄，這一家公司就占半導(dǎo)體行業(yè)市值的56%。Broadcom以20%的比例遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，但這對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，依然是一個恐怖的占比。根據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，自4月份的低點(diǎn)以來，英偉達(dá)的價值增加了1.42萬億美元，這意味著它在不到三個月的時間里飆升了 6
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工業(yè)戰(zhàn)略推動英國科技發(fā)展

英國政府發(fā)布了期待已久的工業(yè)戰(zhàn)略，并采取行動通過國家中心加強(qiáng)半導(dǎo)體行業(yè)。該戰(zhàn)略包括為期待已久的國家半導(dǎo)體中心提供高達(dá) ￡19m，以及￡35m 以擴(kuò)展最近的計(jì)劃以提高技能和培訓(xùn)，以及￡24m 用于安全的 CHERI 硅。還有￡54m 鼓勵半導(dǎo)體工程師以類似于歐盟的舉措來到英國。“連同本財(cái)年的￡5m 技能包，這標(biāo)志著對該行業(yè)人才管道的重大投資。這是非常受歡迎的，也是政府對半導(dǎo)體行業(yè)的重要信任投票，“Stewart Edmonson 說。英國電子技能基金會的首席執(zhí)行官，該基金會今年正在運(yùn)行￡5m 試點(diǎn)
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TU/e 成立新的半導(dǎo)體、量子光子學(xué)和高科技系統(tǒng)研究機(jī)構(gòu)

荷蘭埃因霍溫技術(shù)大學(xué) （TU/e）正在建立一個新的研究機(jī)構(gòu)，致力于半導(dǎo)體、量子、光子學(xué)以及未來高科技系統(tǒng)和芯片的開發(fā)。新研究所將一個現(xiàn)有研究所與兩個計(jì)劃合并：埃因霍溫亨德里克·卡西米爾研究所（EHCI）、高科技系統(tǒng)中心（HTSC）和未來芯片旗艦（FCF）。這些將被完全整合到新研究所中，該研究所將在大學(xué)更廣泛的戰(zhàn)略方向內(nèi)繼續(xù)、聯(lián)系和深化他們的工作。該目標(biāo)與最近的政策舉措（如《歐洲芯片法案》和《德拉吉報(bào)告》）直接一致。這兩項(xiàng)措施都強(qiáng)調(diào)了歐洲保持對關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用的控制權(quán)的重要性，這些技術(shù)將
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全球半導(dǎo)體實(shí)力指數(shù)報(bào)告

本報(bào)告對半導(dǎo)體的分析基于八大支柱。芯片設(shè)計(jì)和工具、經(jīng)濟(jì)資源、人力資本和制造業(yè)被賦予了最大的權(quán)重。
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研究人員巧用制造技術(shù)推動半導(dǎo)體進(jìn)步

從熱退火到原子級剝離，研究人員正在重新思考制造瓶頸，以解鎖半導(dǎo)體新的性能上限。密歇根大學(xué)、麻省理工學(xué)院、威斯康星大學(xué)麥迪遜分校和多倫多大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)最近展示了如何通過新穎的工藝調(diào)整，而不僅僅是新材料，來顯著提高設(shè)備性能和可擴(kuò)展性。這些制造技術(shù)可以推動從壓電傳感、紅外成像到太陽能能的應(yīng)用。熱處理技術(shù)大幅提升壓電薄膜性能密歇根大學(xué)的工程師們通過簡單的生長后熱退火步驟，將鈧鋁氮化物（ScAlN）的壓電響應(yīng)提高了八倍——這種材料已被視為傳統(tǒng)陶瓷如 PZT 的繼任者。轉(zhuǎn)折點(diǎn)？將材料加熱至 700°C 持
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美國關(guān)稅豁免期延長

美國貿(mào)易代表辦公室（USTR）宣布，將原定針對中國征收25%的301條款關(guān)稅另暫停三個月，這些關(guān)稅涵蓋含有芯片和半導(dǎo)體的零部件，比如GPU、主板和太陽能電池板。這些零部件的進(jìn)口稅原定于2025年6月1日生效，此前拜登政府已將豁免期延長了一年。然而，美國貿(mào)易代表辦公室（USTR）近日發(fā)布聲明，將截止日期進(jìn)一步延長至2025年8月31日。這意味著多年來潛伏在GPU和主板背后的價格上漲再次被推遲三個月。USTR在聲明中表示：“2023年12月29日，USTR邀請公眾就是否延長352項(xiàng)先前恢復(fù)的豁免和77項(xiàng)與新冠
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KPMG：9成半導(dǎo)體業(yè)者自認(rèn)今年收益會續(xù)增

KPMG最新發(fā)布「2025全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大調(diào)查」，訪問全球156位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高階主管，雖然市場持續(xù)存在人才短缺、地緣政治緊張、供應(yīng)鏈脆弱等不確定性，受惠技術(shù)創(chuàng)新推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速成長，近9成受訪者預(yù)期今年?duì)I收持續(xù)成長。由于美國政府今年宣布增加的關(guān)稅和非關(guān)稅壁壘已為許多產(chǎn)業(yè)大來重大影響，KPMG表示，今年調(diào)查有63%受訪企業(yè)把關(guān)稅與貿(mào)易限制列為未來兩年內(nèi)對產(chǎn)業(yè)影響最大的潛在風(fēng)險(xiǎn)。KPMG科技、媒體與電信產(chǎn)業(yè)主持會計(jì)師鄭安志表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨「關(guān)稅」與「匯率」雙重挑戰(zhàn)，為因應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，不少業(yè)者強(qiáng)化原料成本控管
關(guān)鍵字： KPMG 半導(dǎo)體

三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
關(guān)鍵字：三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體晶圓代工

莫迪預(yù)告首款印度造芯片問世：將在印東北部地區(qū)半導(dǎo)體工廠下線

財(cái)聯(lián)社5月27日電，印度正試圖在半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)造自己的“芯片神話”?！队《瓤靾?bào)》24日報(bào)道稱，印度總理莫迪23日宣布，印度首款“本土制造”芯片即將在該國東北部地區(qū)的半導(dǎo)體工廠下線。他表示，該地區(qū)正成為能源和半導(dǎo)體兩大產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略要地。莫迪表示，這項(xiàng)成果不僅為印度尖端技術(shù)打開新局，也標(biāo)志著該國東北地區(qū)在高科技產(chǎn)業(yè)版圖中日益重要。
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Omdia:2024年半導(dǎo)體前20公司排名揭曉

到 2024 年，Nvidia 在全球收入排名中攀升成為 Omdia榜單中排名第一的芯片公司。與此同時，英飛凌和意法半導(dǎo)體都跌出了前十名。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) Omdia 的數(shù)據(jù)，2024 年全球芯片市場價值 6830 億美元，比 2023 年增長 25%。芯片市場的激增是由于對 AI 相關(guān)芯片的強(qiáng)勁需求，包括高帶寬內(nèi)存（HBM） DRAM。這足以彌補(bǔ)汽車、消費(fèi)和工業(yè)市場領(lǐng)域芯片銷量的下降。Omdia 表示，這些行業(yè)在 2024 年的收入都出現(xiàn)了下降。2024 年半導(dǎo)體收入排名前 20 位的芯片供應(yīng)商。資料
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臺積電：2025年AI將推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長超10%

5月15日，臺積電技術(shù)論壇中國臺灣專場在新竹召開。據(jù)臺積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)透露，2024年被視為AI元年，預(yù)計(jì)到2025年，AI將持續(xù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動力，推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比增長超10%。到2030年，半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值有望達(dá)到1萬億美元。張曉強(qiáng)指出，盡管當(dāng)前市場波動較大，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來令人振奮的發(fā)展階段，未來需重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)演進(jìn)與市場前景。AI技術(shù)對先進(jìn)制程和封裝技術(shù)的需求顯著增長，尤其是5nm、4nm及3nm等先進(jìn)制程，以及先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。從終端市場來看，智能手機(jī)、電腦和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]