半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

三星穩(wěn)坐全球前十大半導(dǎo)體品牌廠(chǎng)商第一！Intel跌至第五

2月16日消息，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint的最新報(bào)告，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)（包括存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)）在2024年預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇，全年?duì)I收同比增長(zhǎng)19%，達(dá)到6210億美元。這一增長(zhǎng)主要得益于人工智能技術(shù)需求的大幅增加，尤其是內(nèi)存市場(chǎng)和GPU需求的持續(xù)推動(dòng)。從廠(chǎng)商來(lái)看，三星電子以11.8%的市場(chǎng)份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達(dá)（4.3%）、AMD（4.1%）、聯(lián)發(fā)科（2.6%）和西部數(shù)據(jù)（2.5%）。需要注意的是，此
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(2025.2.17)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體一周要聞 2025.2.10- 2025.2.141. 臺(tái)積電斷供，16and14nm及以下工藝受到嚴(yán)格限制臺(tái)積電最近對(duì)中國(guó)大陸的集成電路（IC）設(shè)計(jì)公司實(shí)施了一系列嚴(yán)格的供應(yīng)限制，特別是針對(duì)16/14納米工藝的產(chǎn)品。這一決策與美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）最新發(fā)布的出口管制法規(guī)密切相關(guān)。根據(jù)這一新規(guī)，自2025年1月31日起，如果16/14nm及以下工藝的相關(guān)產(chǎn)品不在BIS白名單中的“approved OSAT”進(jìn)行封裝，并且臺(tái)積電沒(méi)有收到該封裝廠(chǎng)的認(rèn)證簽署副本，這些產(chǎn)品將
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(2025.2.10)半導(dǎo)體春節(jié)期間要聞

半導(dǎo)體一周要聞 2025.2.4- 2025.2.71. 饒議：DeepSeek是鴉片戰(zhàn)爭(zhēng)以來(lái)中國(guó)對(duì)人類(lèi)最大的科技震撼1840年至今的185年來(lái)，中國(guó)有很多成就，也有很多困苦，包括與科學(xué)和技術(shù)相關(guān)的方面和領(lǐng)域。在科學(xué)和技術(shù)相關(guān)的方面，185年來(lái)中國(guó)出現(xiàn)的對(duì)人類(lèi)最大的震撼是DeepSeek。這不是說(shuō)以前的成就不重要，而是說(shuō)現(xiàn)實(shí)世界的反應(yīng)；這不是說(shuō)它沒(méi)在前人的肩膀上，而是說(shuō)它的令人驚訝；這不是說(shuō)它一勞永逸永遠(yuǎn)立住了，而是說(shuō)它橫空出世；這不是寄希望中國(guó)僅出現(xiàn)這一次，而會(huì)有更多更好。DeepS
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半導(dǎo)體市場(chǎng)新一輪并購(gòu)潮來(lái)襲

過(guò)去一年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在政策支持、AI需求高漲等利好因素之下，并購(gòu)交易呈現(xiàn)復(fù)蘇勢(shì)頭。邁入2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)并購(gòu)熱潮持續(xù)，繼安森美收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)，聯(lián)想收購(gòu)以色列企業(yè)存儲(chǔ)公司Infinidat等事件之后，行業(yè)再次迎來(lái)四起半導(dǎo)體并購(gòu)新動(dòng)態(tài)。軟銀擬收購(gòu)一家處理器公司近年軟銀頻繁發(fā)力半導(dǎo)體領(lǐng)域，并通過(guò)收購(gòu)和控股等方式，不斷擴(kuò)展其業(yè)務(wù)版圖。此前，軟銀通過(guò)收購(gòu)Arm公司，成為了全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)公司之一。最新消息顯示，軟銀將收購(gòu)IC設(shè)計(jì)公司Ampere Computing LLC?！杜聿┥纭穲?bào)道
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2024年10大半導(dǎo)體故事:萬(wàn)億晶體管 GPU、鋼切片激光芯片、粒子加速器等

雖然在企業(yè)運(yùn)營(yíng)方面英特爾的2024充滿(mǎn)爭(zhēng)議，但在技術(shù)上似乎英特爾做的比財(cái)報(bào)要好看一點(diǎn)。我們梳理了IEEE整理的10大2024年半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展。1. 我們將如何實(shí)現(xiàn)一萬(wàn)億個(gè)晶體管 GPU1971 年是特殊的一年，原因有很多——第一本電子書(shū)發(fā)布，第一場(chǎng)為期一天的國(guó)際板球比賽舉行，這位記者誕生了。這也是半導(dǎo)體行業(yè)首次售出超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管。如果臺(tái)積電高管的預(yù)測(cè)是正確的，那么十年內(nèi)，一個(gè) GPU 中將有 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管。代工廠(chǎng)計(jì)劃如何實(shí)現(xiàn)這樣一項(xiàng)技術(shù)壯舉是我們今年發(fā)布的閱讀量最大的半導(dǎo)體故事的主題。2. 可
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半導(dǎo)體「美國(guó)制造」太天真？ASML高層：光有錢(qián)是不夠的

荷蘭芯片設(shè)備制造巨擘ASML執(zhí)行長(zhǎng)福克（Christophe Fouquet）近期在接受荷蘭媒體訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，分享了他對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法。對(duì)于美國(guó)是否低估了半導(dǎo)體技術(shù)，?？苏J(rèn)為，不只是美國(guó)，所有人都低估打造成功半導(dǎo)體廠(chǎng)所需的條件，除了資金之外，還必須持續(xù)投資研發(fā)，以及付出長(zhǎng)期的努力。?？私战邮堋堵固氐ど虉?bào)》專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)指出，臺(tái)積電是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成功企業(yè)之一。對(duì)于臺(tái)積電龐大的規(guī)模與全球依賴(lài)其芯片的現(xiàn)象，他表示，若產(chǎn)業(yè)中僅存少數(shù)大型企業(yè)，反而有利于創(chuàng)新的發(fā)展。福克預(yù)期，三星電子有望好轉(zhuǎn)，業(yè)界也期待英特爾能重振
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(2024.12.30)半導(dǎo)體一周要聞－莫大康

半導(dǎo)體一周要聞2024.12.23- 2024.12.271. 爭(zhēng)氣國(guó)產(chǎn)DDR5已量產(chǎn)，良率還很高！據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道，中國(guó)DRAM芯片大廠(chǎng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已經(jīng)成功量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，并有多家DRAM模組廠(chǎng)商開(kāi)始銷(xiāo)售基于其DDR5芯片的DRAM模組。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前主要產(chǎn)品是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，此次DDR5成功量產(chǎn)使用表明了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)在追趕全球頭部DRAM廠(chǎng)商的速度正在加快，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升。據(jù)了解，目前只有少數(shù)DRAM廠(chǎng)商如
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2024 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議：半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)展望

2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）聚焦于塑造未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)。本次會(huì)議展示了從傳統(tǒng)電子材料到新興材料領(lǐng)域的多項(xiàng)技術(shù)突破，為未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了重要參考。新興材料領(lǐng)域：碳納米管電子學(xué)的突破自石墨烯電子學(xué)誕生以來(lái)，已有20年的發(fā)展歷史。然而，在石墨烯及其他二維材料之前，碳納米管就已經(jīng)進(jìn)入電子學(xué)領(lǐng)域。盡管研究焦點(diǎn)有所轉(zhuǎn)移，但碳納米管電子學(xué)仍在持續(xù)取得進(jìn)展，尤其是在高性能和薄膜晶體管的開(kāi)發(fā)方面。在2024年IEDM大會(huì)上，北京大學(xué)、浙江大學(xué)和電子科技大學(xué)的彭練矛、張志勇團(tuán)隊(duì)展示了一種基于對(duì)齊碳納
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美商務(wù)部長(zhǎng)：阻止中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體是愚蠢的差事！

12月24日消息，近日美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，美國(guó)應(yīng)該更多地關(guān)注對(duì)國(guó)內(nèi)創(chuàng)新的投資，而不是實(shí)施禁令和制裁。“試圖阻止中國(guó)（發(fā)展半導(dǎo)體）是愚蠢的差事”，雷蒙多還補(bǔ)充說(shuō)，拜登政府的《芯片與科學(xué)法案》（CHIPS and Science Act）導(dǎo)致美國(guó)在建設(shè)芯片基礎(chǔ)設(shè)施方面的投入比過(guò)去 28 年的總和還要多，這“比出口管制更重要”。盡管如此，《華爾街日?qǐng)?bào)》稱(chēng)，拜登總統(tǒng)仍然推動(dòng)對(duì)中國(guó)公司的禁令和制裁，甚至敦促包括荷蘭和日本在內(nèi)的盟友阻止中國(guó)獲得先進(jìn)技術(shù)，尤其
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臺(tái)積電宣布計(jì)劃推出共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，引領(lǐng)未來(lái)高速傳輸革命

臺(tái)積電（TSMC）近日正式宣布，將在2026年推出全新的共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，融合其業(yè)界領(lǐng)先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封裝技術(shù)與硅光子（Silicon Photonics）技術(shù)。此舉旨在滿(mǎn)足人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域?qū)Ω咚贁?shù)據(jù)傳輸和低能耗的迫切需求，同時(shí)引領(lǐng)下一代數(shù)據(jù)中心的技術(shù)潮流。COUPE：臺(tái)積電CPO戰(zhàn)略的核心技術(shù)在此次技術(shù)布局中，臺(tái)積電緊湊型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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英特爾公司宣布首席執(zhí)行官帕特·基辛格卸任

2024年12月2日，英特爾公司正式宣布，其首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）已于12月1日卸任，并辭去董事會(huì)職務(wù)。這一消息標(biāo)志著英特爾領(lǐng)導(dǎo)層的重大調(diào)整。帕特·基辛格在英特爾擁有超過(guò)40年的職業(yè)生涯，并于2021年重新回歸擔(dān)任公司CEO。在他的任期內(nèi)，英特爾致力于通過(guò)“IDM 2.0”戰(zhàn)略重振其在半導(dǎo)體行業(yè)中的核心競(jìng)爭(zhēng)力。然而，由于行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇以及多方面挑戰(zhàn)，公司近期業(yè)績(jī)未達(dá)預(yù)期。根據(jù)最新財(cái)報(bào)，英特爾在2024年第三季度的凈虧損高達(dá)166億美元?；粮耠x職后，他將獲得約1200萬(wàn)美元的離
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IDC：2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)八大趨勢(shì)預(yù)測(cè)

2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)15%增長(zhǎng)。根據(jù)國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報(bào)” 的最新研究表明，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運(yùn)算（HPC）需求不斷攀升，從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，各個(gè)主要應(yīng)用市場(chǎng)都面臨著規(guī)格升級(jí)的趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來(lái)全新的繁榮景象。IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動(dòng)高階邏輯制程芯片需求，以及高價(jià)高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動(dòng)下，預(yù)計(jì) 2025 年整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模將增長(zhǎng)超過(guò) 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封
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電位器的全面解析

什么是電位器？電位器（Potentiometer），簡(jiǎn)稱(chēng)“Pots”，是工程師中常用的稱(chēng)謂，實(shí)際上是一種帶有機(jī)械調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的電阻器，可以手動(dòng)調(diào)節(jié)其阻值。電阻器本身提供固定的阻值，用于阻止或“限制”電路中的電流流動(dòng)。而電位器的本質(zhì)是一種可變電阻。電位器的工作原理是通過(guò)分壓器調(diào)節(jié)輸出電壓，并能夠精確測(cè)量（即“計(jì)量”）電勢(shì)，這也是“電位器”名稱(chēng)的由來(lái)。它們產(chǎn)生的輸出信號(hào)與電刷在電阻元件上的物理位置成比例，具有連續(xù)可變性。作為被動(dòng)元件，電位器無(wú)需額外電源或電路即可運(yùn)行。電位器的簡(jiǎn)史在19世紀(jì)初電力研究和開(kāi)發(fā)快速發(fā)展
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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)，誰(shuí)還在落子？

11月下旬，歐洲半導(dǎo)體芯片大廠(chǎng)意法半導(dǎo)體宣布，將其40nm MCU代工業(yè)務(wù)交由華虹半導(dǎo)體進(jìn)行。這一強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手的消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。一方面，意法半導(dǎo)體可憑借與華虹半導(dǎo)體的合作進(jìn)一步拓展其在中國(guó)的市場(chǎng)份額，華虹半導(dǎo)體則可以借此機(jī)會(huì)加強(qiáng)供應(yīng)鏈管理，帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)發(fā)展，并間接推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。事實(shí)上，中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)之一，在國(guó)際半導(dǎo)體廠(chǎng)商拓展全球業(yè)務(wù)時(shí)占據(jù)著重要的地位。近期，除了意法半導(dǎo)體之外，分別在無(wú)錫和天津設(shè)有封測(cè)廠(chǎng)的英飛凌和恩智浦兩大國(guó)際半導(dǎo)體廠(chǎng)商也再次表達(dá)了在中國(guó)市場(chǎng)拓展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
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中金公司：云、端AI落地 2025年半導(dǎo)體及元器件國(guó)產(chǎn)化迎來(lái)新周期

中金公司研報(bào)稱(chēng)，2024年半導(dǎo)體及元器件整體處于景氣上行階段，預(yù)計(jì)2025年庫(kù)存、供需趨穩(wěn)，AI云、端需求落地，國(guó)產(chǎn)要素迎來(lái)新周期。預(yù)計(jì)2025年AI換機(jī)潮有望拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)板塊下游需求增長(zhǎng)加快?？春肁I驅(qū)動(dòng)下的云、端側(cè)算力芯片需求擴(kuò)容，個(gè)股alpha層面看好產(chǎn)品結(jié)構(gòu)拓展對(duì)相關(guān)公司業(yè)績(jī)的拉動(dòng)，并建議關(guān)注并購(gòu)重組為部分賽道帶來(lái)的投資機(jī)會(huì)。預(yù)計(jì)2025年芯片制造的供需或?qū)②吔胶猓a(chǎn)能利用率維持在合理水平；其中，先進(jìn)制程制造的研發(fā)有望持續(xù)推進(jìn)，帶動(dòng)設(shè)備、零部件、材料和設(shè)計(jì)工具的發(fā)展。
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]