hbm 文章 進入hbm技術(shù)社區(qū)
三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負責芯片設(shè)計，在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
英偉達新款中國特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM
- 據(jù)路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預(yù)計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規(guī)格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規(guī)則限制的先進技術(shù)。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務(wù)器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術(shù)CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
- 關(guān)鍵字： 英偉達 芯片 Cowos 封裝 HBM
NVIDIA新中國版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價30%
- 據(jù)報道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國 AI 芯片出口限制后，這家美國芯片巨頭一直在開發(fā)一款針對市場的新芯片組。據(jù)路透社報道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價格較低的關(guān)鍵原因。值得注意的是，據(jù)報道，新型號將放棄臺積電先進的 CoWoS 封裝。此外，該報告補充說，預(yù)計它將基于 RTX Pro 6000D（服務(wù)器級 GPU）與標準 GDDR7 內(nèi)存配對，而不是更昂貴的 HBM。
- 關(guān)鍵字： NVIDIA 中國版 AI芯片 CoWoS HBM
對Apple iPhone20的期望：HBM、無縫屏幕、純硅電池
- 據(jù) etnews 報道，據(jù)報道，蘋果已啟動其 2027 年 iPhone 的開發(fā)，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，因為它計劃進行重大技術(shù)升級以紀念該設(shè)備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術(shù)。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報告指出，設(shè)備端 AI 將需要顯著的內(nèi)存進步，業(yè)界預(yù)計 Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動 HBM。消息人士稱，蘋果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論
- 關(guān)鍵字： Apple iPhone20 HBM 無縫屏幕 純硅電池
英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預(yù)計會有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
- 關(guān)鍵字： 英偉達 H20 GDDR HBM 三星 SK海力士
NVIDIA可能會考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR
- 據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預(yù)計將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
- 關(guān)鍵字： 三星 NVIDIA H20 HBM GDDR
DDR4加速退場，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內(nèi)存 HBM
SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 存儲芯片 HBM
沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM
- 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復(fù)合成長率超過45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應(yīng)有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計劃2025年將產(chǎn)能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM
美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2
- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強，HBM內(nèi)存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內(nèi)存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強版HBM4E內(nèi)存；而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
- 關(guān)鍵字： HBM 內(nèi)存
SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計下半年量產(chǎn)
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 HBM
新一代HBM來了！NVIDIA主導開發(fā)新型內(nèi)存標準SOCAMM：可拆卸升級 成人中指大小
- 2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標準SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實了這一消息。此舉標志著內(nèi)存半導體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
- 關(guān)鍵字： 英偉達 內(nèi)存 HBM
AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠
- Micron Technology 已開始在新加坡建設(shè)其價值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預(yù)計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進的人工智能驅(qū)動的自動化來
- 關(guān)鍵字： AI Micron HBM 裝配廠
hbm介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hbm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
hbm專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473