3d 內(nèi)存文章最新資訊

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動(dòng)了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報(bào)告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報(bào)道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報(bào)道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報(bào)道稱，來自單個(gè)“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動(dòng)內(nèi)存、芯片市場

市場傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動(dòng)正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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Yole評(píng)2025數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢：人工智能重塑計(jì)算和內(nèi)存市場

市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報(bào)告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計(jì)算和超大規(guī)模需求如何推動(dòng)新的半導(dǎo)體范式
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動(dòng)態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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中國長江存儲(chǔ)計(jì)劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價(jià)格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對(duì) SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動(dòng) HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價(jià)格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價(jià)格下跌——這對(duì)市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價(jià)格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價(jià)權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價(jià)格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存革新臺(tái)積電與三星引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)搶攻萬億商機(jī)

全球新興記憶體與儲(chǔ)存技術(shù)市場正快速擴(kuò)張，而臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)先進(jìn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實(shí)驗(yàn)室走向次22納米節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)階段，并運(yùn)用3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
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Q3報(bào)價(jià)談判啟動(dòng) 內(nèi)存供應(yīng)鏈吃緊報(bào)價(jià)看漲

隨著第二季即將結(jié)束，多家內(nèi)存原廠已展開第三季合約報(bào)價(jià)談判。原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合，市場供需變化牽動(dòng)價(jià)格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關(guān)鍵產(chǎn)品為觀察重點(diǎn)。根據(jù)TrendForce調(diào)查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務(wù)器核心零組件，供應(yīng)持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴(yán)重短缺，推升報(bào)價(jià)動(dòng)能。在一般型DR
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時(shí)間表

美光在 2025 財(cái)年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動(dòng)的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報(bào)道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關(guān)注，但焦點(diǎn)也集中在其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上。以下是美光最新制造動(dòng)向的簡要回顧，包括國內(nèi)和海外。美國生產(chǎn)時(shí)間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項(xiàng) 150 億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃在其愛達(dá)荷州博伊西總部建設(shè)一個(gè)尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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英飛凌迎接新太空應(yīng)用的內(nèi)存市場挑戰(zhàn)

NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計(jì)劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對(duì)全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動(dòng)下，NewSpace 計(jì)劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結(jié)合。這些任務(wù)通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務(wù)持續(xù)時(shí)間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應(yīng)用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認(rèn)證即可提供強(qiáng)大的性能。Infineon
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