3d 內(nèi)存文章最新資訊

美光開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動(dòng)人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對(duì)于滿足工作負(fù)載需求
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美光高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗(yàn)

2024 年 3 月 1 日，中國(guó)上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗(yàn)。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語(yǔ)言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開(kāi)創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時(shí)代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語(yǔ)言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲(chǔ)的加持下，實(shí)現(xiàn)了升級(jí)版預(yù)測(cè)性和
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
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為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
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對(duì)內(nèi)存的重新思考

馮·諾依曼架構(gòu)將繼續(xù)存在，但人工智能需要新的架構(gòu)，3D 結(jié)構(gòu)需要新的測(cè)試工具。
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)

三星稱其已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門(mén)美國(guó)分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營(yíng)，由三星設(shè)備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們?cè)谶@一領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場(chǎng)趨穩(wěn)求進(jìn)

華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場(chǎng)趨穩(wěn)求進(jìn)
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見(jiàn)、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月?tīng)I(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
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SK海力士成立新部門(mén)負(fù)責(zé)AI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒，韓國(guó)SK海力士公司周四表示，將成立一個(gè)名為AI Infra的新部門(mén)，負(fù)責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球銷售營(yíng)銷部門(mén)負(fù)責(zé)人Kim Juseon管理。報(bào)道稱，新部門(mén)將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導(dǎo)新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開(kāi)發(fā)新市場(chǎng)。
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美光高性能內(nèi)存與存儲(chǔ)，推動(dòng) AI 豐富殘障人士生活體驗(yàn)

美光云計(jì)算高級(jí)業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴(yán)重的聽(tīng)力障礙，即使佩戴助聽(tīng)器也很難聽(tīng)清別人在說(shuō)什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識(shí)別他們的唇語(yǔ)，努力理解他們的話語(yǔ)。而當(dāng)多人進(jìn)行交談時(shí)，她常常會(huì)感到迷茫。Eric 萌生了一個(gè)想法：為何不用祖母的智能手機(jī)幫她來(lái)“傾聽(tīng)”呢？他打開(kāi)手機(jī)的記事簿功能，按下麥克風(fēng)按鈕，向她展示了手機(jī)如何將他的話轉(zhuǎn)錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現(xiàn)在可以參與到從前無(wú)法進(jìn)行的對(duì)話中?！边@也讓我們看到了該技術(shù)如何切實(shí)改善了言語(yǔ)、語(yǔ)
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TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車(chē)應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤(pán)位置檢測(cè)、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月9日，存儲(chǔ)大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達(dá)24%、延遲降低高達(dá)16%、AI訓(xùn)練性能提升高達(dá)28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)）以及多線程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處
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