3d 內(nèi)存文章最新資訊

消息稱三星電子將從明年 1 月開始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，此前已向 AMD 供貨

IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報(bào)稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨(dú)家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計(jì)劃從明年 1 月開始向英偉達(dá)提供 HBM3。有分析師預(yù)測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績將在明年迅速復(fù)蘇。一些猜測認(rèn)為，三星電子可能會(huì)在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，但由于 AMD 在該市場的主導(dǎo)地位并不大，因此據(jù)說供應(yīng)有限。市場研究公司 Trend Force 預(yù)測，SK 海
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不負(fù)期待：與美光相約2023進(jìn)博會(huì)

不負(fù)期待?與美光相約2023進(jìn)博會(huì)2023年11月5日，第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進(jìn)博會(huì)，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動(dòng)人工智能和5G應(yīng)用進(jìn)步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動(dòng)設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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SK 海力士第三季度虧損大幅收窄，人工智能芯片成救命稻草

IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動(dòng)芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強(qiáng)勁需求，緩解了由于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備中使用的普通芯片需求持續(xù)低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設(shè)備的 DRAM 芯片的業(yè)務(wù)，在第三季度重新盈利，而今年前兩個(gè)季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業(yè)務(wù)…… 預(yù)計(jì)隨著生成型人工智能的繁榮而繼續(xù)改善。仍然虧損的 NAN
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%

IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進(jìn)一步擴(kuò)展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達(dá)到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進(jìn)的 high-k CMOS 器件技術(shù)，4 相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7
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明年，DDR5內(nèi)存或?qū)⒊蔀橹髁?/a>

據(jù)媒體引述內(nèi)存模組制造商表示，主要半導(dǎo)體制造商正在增加DDR5內(nèi)存的可用容量，該內(nèi)存預(yù)計(jì)將在2024年成為主流。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優(yōu)勢都是非常明顯的。今年來，DDR5的動(dòng)態(tài)頻繁傳來：三星方面，該公司于今年5月量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開發(fā)12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12

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3D ToF相機(jī)于物流倉儲自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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有選擇的后摩爾堆疊時(shí)代

臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構(gòu)集成制造及相關(guān)研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應(yīng)用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來高性能計(jì)算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項(xiàng)芯片堆疊技術(shù)的新專利，顯示了該公司在芯片技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力。這項(xiàng)專利提供了一種簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術(shù)難題。堆疊技術(shù)可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進(jìn)一步推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步。盡管目前該專利與將兩個(gè) 14nm 芯片堆疊成
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三星推出其首個(gè)LPCAMM內(nèi)存解決方案開啟內(nèi)存模組新未來

三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設(shè)備的主板上，導(dǎo)致其在維修
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消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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要漲價(jià)？內(nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲

這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來到相對低點(diǎn)，因此預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

由于各大企業(yè)對布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時(shí)，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷售增長強(qiáng)勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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