3d 內(nèi)存文章最新資訊

下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng)，HBM內(nèi)存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn)。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內(nèi)存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存；而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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Intel傲騰死了中國非易失性存儲重大突破！容量128Gb

2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲技術(shù)的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學(xué)歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲芯
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英偉達(dá)被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存：694 個 I/O 端口突破 AI 計(jì)算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計(jì)算機(jī)，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強(qiáng)，有望成為內(nèi)存市場的新增長點(diǎn)。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進(jìn)行 SOCAMM 原型機(jī)的性能測試，預(yù)計(jì)最快將于今年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報(bào)道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實(shí)了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強(qiáng)個人AI超級計(jì)算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時序，他們與美光公司進(jìn)行了溝通，并實(shí)施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進(jìn)！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實(shí)際上
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動

日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗(yàn)）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計(jì)算新需求

隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期，預(yù)計(jì)到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報(bào)道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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李飛飛對計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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英偉達(dá)展望未來 AI 加速器：集成硅光子 I/O，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存

12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國際電子設(shè)備會議目前正在美國加州舊金山舉行。據(jù)分析師 Ian Cutress 的 X 平臺動態(tài)，英偉達(dá)在本次學(xué)術(shù)會議上分享了有關(guān)未來 AI 加速器的構(gòu)想。英偉達(dá)認(rèn)為未來整個 AI 加速器復(fù)合體將位于大面積先進(jìn)封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設(shè)計(jì)，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存，并在模塊內(nèi)直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關(guān)內(nèi)容不在其分享的圖片中。在英偉達(dá)給出的模型中，每個
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報(bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動世界

12月5日消息，美國當(dāng)?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個交互式的實(shí)時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存

12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報(bào)道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報(bào)道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報(bào)道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計(jì)
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