3d 內(nèi)存文章最新資訊

老對(duì)頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

12月2日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，在全球內(nèi)存市場(chǎng)上長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對(duì)AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競(jìng)爭(zhēng)，共同推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲(chǔ)單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車（電動(dòng)汽車電池、電機(jī)定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

10 月 30 日消息，芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī)，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
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小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線，全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經(jīng)提前到店，開票價(jià) 15 萬多，所以起步價(jià)只會(huì)在 14 萬以下。博主還提到，對(duì)于小鵬自己，最麻煩的永遠(yuǎn)不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強(qiáng)調(diào)量產(chǎn)下線，這個(gè)比其他的都重要。據(jù)此前報(bào)道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車申報(bào)名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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M31Ｘ高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問世

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場(chǎng)效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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