3d 內(nèi)存文章最新資訊

邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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詳解Linux內(nèi)核內(nèi)存管理架構(gòu)

內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個(gè)子系統(tǒng)，其支持的功能需求眾多，如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統(tǒng)計(jì)等，而且對(duì)性能也有很高的要求。本文從內(nèi)存管理硬件架構(gòu)、地址空間劃分和內(nèi)存管理軟件架構(gòu)三個(gè)方面入手，嘗試對(duì)內(nèi)存管理的軟硬件架構(gòu)做一些宏觀上的分析總結(jié)。內(nèi)存管理硬件架構(gòu)因?yàn)閮?nèi)存管理是內(nèi)核最為核心的一個(gè)功能，針對(duì)內(nèi)存管理性能優(yōu)化，除了軟件優(yōu)化，硬件架構(gòu)也做了很多的優(yōu)化設(shè)計(jì)。下圖是一個(gè)目前主流處理器上的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案。從圖中可以看出，
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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TrendForce集邦咨詢：震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

TrendForce集邦咨詢針對(duì)403震后各半導(dǎo)體廠動(dòng)態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級(jí)的區(qū)域，加上臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級(jí)。以本次的震度來看，幾乎都是停機(jī)檢查后，迅速?gòu)?fù)工進(jìn)行，縱使有因?yàn)榫o急停機(jī)或地震損壞爐管，導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報(bào)廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補(bǔ)齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存

3 月 20 日消息，本周二在美國(guó)加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會(huì)之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會(huì)從三星采購(gòu) HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會(huì)上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
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三星計(jì)劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1，采用 LPDDR 內(nèi)存

3 月 20 日消息，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會(huì)上宣布，三星電子計(jì)劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗(yàn)證，正處于 SoC 設(shè)計(jì)階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程，明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報(bào)道指，Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可將片外內(nèi)存與計(jì)算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
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服務(wù)器內(nèi)部揭秘（CPU、內(nèi)存、硬盤）

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)，存儲(chǔ)、處理網(wǎng)絡(luò)上80％的數(shù)據(jù)、信息，被稱為互聯(lián)網(wǎng)的靈魂。它不僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的機(jī)器，更像是一個(gè)精密的工程，由多個(gè)關(guān)鍵組件相互配合，以實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)。01?什么是服務(wù)器服務(wù)器是在網(wǎng)絡(luò)中為其他客戶機(jī)提供服務(wù)的高性能計(jì)算機(jī)：具有高速的CPU運(yùn)算能力，能夠長(zhǎng)時(shí)間的可靠運(yùn)行，有強(qiáng)大的I/O外部數(shù)據(jù)吞吐能力以及更好的擴(kuò)展性。服務(wù)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通計(jì)算機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似（CPU、硬盤、內(nèi)存、系統(tǒng)總線等）。服務(wù)器Server：間接服務(wù)于多人；個(gè)人計(jì)算機(jī)PC：直接服務(wù)于個(gè)人。02 服務(wù)器的
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DDR之頻率

大家好，我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率，以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的?？赡苓@篇文章對(duì)于電路設(shè)計(jì)用處不大，但多了解一點(diǎn)總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表，我們一起來了解一下內(nèi)存DDR的頻率。圖2 內(nèi)存頻率表格從表中可以看出內(nèi)存有三種頻率，分別是核心頻率，工作頻率和等效頻率。而我們平時(shí)所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息：1、核心頻率，指真正讀寫內(nèi)存顆粒的頻率，它是固定不變的，一般是133，166，和200MHz三類，這個(gè)頻率提升很難。2、工作頻率，DDR工作頻率是顆粒核
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