3d 內(nèi)存文章最新資訊

消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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HBM4持續(xù)加速：AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)

HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
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DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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存儲(chǔ)大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲(chǔ)產(chǎn)品。其中包括集成多個(gè)CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲(chǔ)模塊。Choi Jang-seok強(qiáng)調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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高速運(yùn)算平臺(tái)內(nèi)存爭(zhēng)霸 AI應(yīng)用推升內(nèi)存需求

在不同AI運(yùn)算領(lǐng)域中，依照市場(chǎng)等級(jí)的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運(yùn)算中心的人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)與圖形處理的超高速運(yùn)算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務(wù)器、一般計(jì)算機(jī)與筆電的演算應(yīng)用；另一種是一般消費(fèi)電子如手機(jī)、特殊應(yīng)用裝置或其它邊緣運(yùn)算的應(yīng)用。現(xiàn)階段三種等級(jí)的應(yīng)用，所搭配的內(nèi)存也會(huì)有所不同，等級(jí)越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進(jìn)入的門坎也越高。不過因?yàn)楦黝怉I應(yīng)用的市場(chǎng)需求龐大，各種內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴(kuò)大應(yīng)用，所以只有隨時(shí)保持容量、速度與可靠度的
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從應(yīng)用端看各類內(nèi)存的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn) 跨領(lǐng)域新市場(chǎng)逐漸興起

內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應(yīng)用帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用端出發(fā)，探討各類內(nèi)存的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）DRAM是當(dāng)前計(jì)算器系統(tǒng)中最常見的主存儲(chǔ)器技術(shù)，具備高速讀寫和相對(duì)較低的成本。它廣泛應(yīng)用于PC、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備和游戲機(jī)中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應(yīng)用場(chǎng)景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問題。DRAM需要持續(xù)供電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，這限制了其在移動(dòng)
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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三星Q2營(yíng)利暴增15倍遠(yuǎn)超外界預(yù)期

韓國(guó)三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價(jià)因此也水漲船高，上季營(yíng)業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團(tuán)整體第2季營(yíng)利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時(shí)，營(yíng)收也大增23.3%，達(dá)74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營(yíng)業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后，全集團(tuán)營(yíng)利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營(yíng)利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí)，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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美光預(yù)計(jì)愛達(dá)荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財(cái)年投運(yùn)

IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績(jī)演示文稿中表示，其位于美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財(cái)年正式投運(yùn)：譯文：愛達(dá)荷州晶圓廠要到 2027 財(cái)年才會(huì)帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計(jì)要到 2028 財(cái)年或更晚才會(huì)帶來位元供應(yīng)的增長(zhǎng)。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級(jí)NAND閃存的價(jià)格15～20％。臺(tái)系內(nèi)存模塊大廠聞?dòng)嵎治?，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價(jià)行情，但合約價(jià)實(shí)際成交價(jià)格，仍需視市場(chǎng)供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價(jià)格，調(diào)
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過一半（即561個(gè)）為良
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