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3d 內(nèi)存 文章 最新資訊

微信“史詩級”更新：手機(jī)內(nèi)存有救了！

  • 近日有消息稱，微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設(shè)備。對此，微信方面回應(yīng)稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示，和當(dāng)前僅支持備份到電腦相比，優(yōu)化后的功能支持用戶通過手機(jī)微信，將聊天記錄備份到外部存儲設(shè)備（如U盤、移動硬盤），且可創(chuàng)建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續(xù)擴(kuò)大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設(shè)置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復(fù)”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現(xiàn)在備份與恢復(fù)可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設(shè)備”或“支
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
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五大原廠同步減產(chǎn) 內(nèi)存價(jià)格Q2反彈優(yōu)預(yù)期

  • 全球五大NAND Flash原廠同步實(shí)施減產(chǎn)，加上美中之間的新關(guān)稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內(nèi)加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲器價(jià)格，出現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產(chǎn)，供給面收縮，助攻內(nèi)存市場行情，根據(jù)調(diào)查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動減產(chǎn)計(jì)劃，幅度在10%~15%，以調(diào)節(jié)供過于求的市場結(jié)構(gòu)。此輪原廠同步減產(chǎn)，對存儲器價(jià)格止跌回升形成支撐，加上中美貿(mào)易政策變量升高，促使業(yè)者加快在政策寬限期內(nèi)完成交易
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Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內(nèi)存技術(shù)

  • 據(jù)稱，可靠性和供應(yīng)鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發(fā)下一代零件。據(jù)稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術(shù)的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級 GPU。ZDNet 報(bào)道稱，SOCAMM 現(xiàn)在計(jì)劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應(yīng)該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產(chǎn)品，針對工作站而不是服務(wù)器。GB300
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

  • 三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存 （HBM） 將多個(gè)存儲器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流 （MR-MUF） 或使用非導(dǎo)電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
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DDR3單元測試規(guī)范

  • 一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數(shù)測試（DC Parameter Testing）：校驗(yàn)工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內(nèi)存的工作電流與功耗、負(fù)載有關(guān)，工作電流過高時(shí)，將造成功耗過高，給系統(tǒng)造成的負(fù)載過大，嚴(yán)重情況下將造成系統(tǒng)無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當(dāng)漏電流超出閾值時(shí)可能造成系統(tǒng)無法正常工作。2、交流參數(shù)測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時(shí)間、保持時(shí)間、訪問時(shí)間等時(shí)間參數(shù)特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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在鐵電RAM內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算

  • 在一項(xiàng)新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發(fā)了一種內(nèi)存鐵電微分器，能夠直接在內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算，而無需單獨(dú)的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機(jī)、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設(shè)備。圖像處理和運(yùn)動檢測等任務(wù)的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數(shù)據(jù)開始，這些數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯卧?，存儲單元進(jìn)一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)轿⒖刂破鲉卧詧?zhí)行差分作。由于差分運(yùn)算是多項(xiàng)計(jì)算任務(wù)的基礎(chǔ)，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設(shè)備。Tech Xplore
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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備貨熱潮提前到 內(nèi)存廠Q2有望價(jià)量齊揚(yáng)

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國對等關(guān)稅政策反復(fù)變動下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實(shí)質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨，預(yù)期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價(jià)格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關(guān)稅寬限期暫時(shí)緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài)，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進(jìn)而帶動供應(yīng)鏈產(chǎn)能，尤其以
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認(rèn)內(nèi)存價(jià)格上漲

  • 美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價(jià)格的計(jì)劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強(qiáng)勁。該公司的最新公告表明，隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價(jià)格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價(jià)格上漲之際，內(nèi)存市場正從供應(yīng)過剩和收入下降的時(shí)期反彈。在過去的一年里，由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對高性能計(jì)算和 AI 工作負(fù)載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價(jià)格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價(jià)格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計(jì)將效仿，進(jìn)一步鞏固價(jià)格上漲趨勢。
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帶你探索面向AI邊緣應(yīng)用的創(chuàng)新內(nèi)存解決方案與設(shè)計(jì)

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內(nèi)存在AI邊緣應(yīng)用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素。Micron是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接和移動等關(guān)鍵市場領(lǐng)域，為AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和自動駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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