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dram 文章 最新資訊

2025年第二季度全球DRAM市場分析

  • 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實(shí)現(xiàn)量價(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

  • SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說，通過當(dāng)前的技術(shù)平臺擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難?！盀榱丝朔@些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺是下一代
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM  

中國研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理

  • 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應(yīng)變化來增強(qiáng)或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過程，多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種
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據(jù)報(bào)道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇

  • 三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗(yàn)證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報(bào)道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報(bào)告中稱，其 DRAM 市場份額按價(jià)值計(jì)算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個(gè)百分點(diǎn)。值得注意的是，《韓民族日報(bào)》報(bào)道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達(dá)到 48%
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 價(jià)格下滑放緩，韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)

  • 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費(fèi)級 DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào)，之前的價(jià)格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價(jià)格差異的限制，實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費(fèi)級 DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價(jià)，之前的價(jià)格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價(jià)格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價(jià)
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DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報(bào)道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計(jì)

  • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時(shí)報(bào)所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測試。在
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中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強(qiáng)其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補(bǔ)貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

  • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

  • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

  • 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展?！斑@些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
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臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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