市場(chǎng)傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動(dòng)正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。

英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖

根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。

值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年首先采用標(biāo)準(zhǔn) HBM4e——由 SK 海力士在臺(tái)積電的 12nm 工藝上提供——然后在 2027 年下半年至 2028 年過渡到定制化的 HBM4e 設(shè)計(jì)，SK 海力士將在臺(tái)積電的 3nm 節(jié)點(diǎn)上支持生產(chǎn)。

行業(yè)影響：從內(nèi)存到 ASIC

商業(yè)時(shí)報(bào)指出，雖然 SK 海力士目前憑借主要采用自研基礎(chǔ)芯片設(shè)計(jì)在 HBM 市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，但要實(shí)現(xiàn)超過 10Gbps 的 I/O 速率，需要采用先進(jìn)的邏輯節(jié)點(diǎn)，如臺(tái)積電的 12nm 或更小的工藝進(jìn)行基礎(chǔ)芯片制造。

報(bào)告補(bǔ)充道，由于內(nèi)存制造商缺乏復(fù)雜的基板芯片 IP 和 ASIC 設(shè)計(jì)能力，報(bào)告中引用的消息人士指出，將 UCIe 接口集成到 HBM4 中以實(shí)現(xiàn) GPU 和 CPU 的直接連接將顯著增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

在此背景下，《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，英偉達(dá)開發(fā)自有 HBM 基板的計(jì)劃被視為進(jìn)入 ASIC 市場(chǎng)的戰(zhàn)略舉措——利用 NVLink Fusion 提供更模塊化的解決方案并加強(qiáng)生態(tài)系統(tǒng)的控制。

然而，由于 CSP 公司已經(jīng)投資 ASIC 以減少對(duì)英偉達(dá)的依賴，該舉措對(duì) ASIC 供應(yīng)商的實(shí)際影響可能有限，報(bào)道總結(jié)道。

與此同時(shí)，《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)內(nèi)部人士的話稱，最大的受益者可能是臺(tái)積電，其與主要芯片制造商的緊密合作和持續(xù)的過程改進(jìn)使其成為人工智能快速發(fā)展的核心。