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3d 內存 文章 最新資訊

據(jù)報道，英偉達在 2025 年上半年驅動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

  • 作為英偉達 HBM3 和 HBM3e 的關鍵供應商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
  • 關鍵字： 英偉達  海力士  內存  

據(jù)報道，英偉達計劃于 2027 年進行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內存、芯片市場

  • 市場傳聞稱，英偉達已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產(chǎn)計劃于 2027 年下半年進行。英偉達的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年
  • 關鍵字： 英偉達  內存  HBM4  

Yole評2025數(shù)據(jù)中心半導體趨勢：人工智能重塑計算和內存市場

  • 市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導體范式
  • 關鍵字： 數(shù)據(jù)中心  半導體  人工智能  內存  

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證

  • 美光??宣布推出業(yè)內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
  • 關鍵字： 美光  內存  NAND  

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

  • 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
  • 關鍵字： 鎧俠  3D 閃存  TLC存儲器  閃存  3D閃存  

中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

  • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  內存  

據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風險，對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)

  • 隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
  • 關鍵字： HBM  內存  海力士  

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數(shù)字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
  • 關鍵字： EDA  3D IC  數(shù)字孿生  

內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DRAM  

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
  • 關鍵字： 西門子EDA  3D IC  

AI驅動內存革新 臺積電與三星引領存儲技術搶攻萬億商機

  • 全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業(yè)IP供應商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
  • 關鍵字： AI  內存  臺積電  三星  存儲技術  

Q3報價談判啟動 內存供應鏈吃緊 報價看漲

  • 隨著第二季即將結束，多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調整產(chǎn)品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產(chǎn)品為觀察重點。根據(jù)TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
  • 關鍵字： 內存  供應鏈  TrendForce  

全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表

  • 美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內存巨頭現(xiàn)在目標是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產(chǎn)能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產(chǎn)時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發(fā)和半導體制造設施——這是
  • 關鍵字： 美光  HBM  內存  

2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
  • 關鍵字： 2.5D/3D  芯片技術  半導體封裝  

英飛凌迎接新太空應用的內存市場挑戰(zhàn)

  • NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結合。這些任務通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務持續(xù)時間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
  • 關鍵字： 英飛凌  太空  內存  
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