ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。

據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多。如果情況屬實，意味著Hyper-NA EUV光刻機的價格也會在High-NA EUV光刻機的基礎上翻倍。購買最先進的設備涉及高昂的費用支出，讓臺積電（TSMC）、三星和英特爾變得猶豫不決。

由于High-NA EUV光刻機較高的定價，已經讓臺積電變得更加謹慎，計劃盡可能地讓現(xiàn)有EUV光刻機最大限度地發(fā)揮性能，通過適當?shù)厣壃F(xiàn)有工具、更多地采用多重曝光等技術手段，以減輕采購新設備的投資壓力。此前臺積電已經公開表達了對High-NA EUV光刻機使用成本的擔憂，表示采用新技術的決定取決于最大經濟效益和可實現(xiàn)技術之間的平衡，并拒絕透露引入High-NA EUV技術的時間表。今年臺積電推出了A16工藝，在外界看來，一定程度上是為了延后啟用新設備的時間。

三星也在考慮High-NA EUV光刻機，不過隨著Hyper-NA EUV光刻機的時間表變得清晰，可能選擇調整其長期路線圖。有業(yè)內人士透露，對于涉及1nm以下的工藝，現(xiàn)在選擇High-NA EUV可能不是最佳選擇，其中一種可行性是最大限度地利用手上的EUV設備，跳過High-NA EUV，直接過渡到Hyper-NA EUV。

雖然英特爾是首個購入High-NA EUV光刻機的客戶，但是去年其代工業(yè)務虧損了70億美元，今年第一季度甚至虧損還擴大了。如果貿然采購下一代EUV光刻設備，很可能會面臨嚴峻的財務挑戰(zhàn)。