euv 文章 進(jìn)入euv技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電重申1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV
- 臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其對(duì)下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長(zhǎng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級(jí)）和 A14（1.4 納米級(jí)）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì)為這些節(jié)點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具?！爱?dāng)臺(tái)積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認(rèn)為我們的答案非常簡(jiǎn)單，”副聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說?！懊慨?dāng)我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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臺(tái)積電保持觀望 ASML最新EUV機(jī)臺(tái)只賣了5臺(tái)
- 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機(jī)臺(tái)卻讓臺(tái)積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設(shè)備性能強(qiáng)大，但因這款機(jī)臺(tái)單價(jià)高達(dá)4億美元，臺(tái)積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時(shí)沒有計(jì)畫在A14及其后續(xù)制程中導(dǎo)入。路透27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，這款先進(jìn)機(jī)臺(tái)價(jià)格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現(xiàn)有最昂貴設(shè)備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細(xì)評(píng)估，這款設(shè)備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價(jià)格。臺(tái)積電技術(shù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，即便不使用High-N
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三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上
- 據(jù) The Elec 報(bào)道，三星計(jì)劃外包用于存儲(chǔ)芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報(bào)道，三星正在評(píng)估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時(shí)，消息人士稱，三星計(jì)劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報(bào)告所強(qiáng)調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強(qiáng)三星技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國(guó)科技媒體 TheElec 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動(dòng)供應(yīng)商評(píng)估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國(guó) Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評(píng)估結(jié)果預(yù)計(jì)第三季度公布。TheElec 報(bào)道稱，三星準(zhǔn)備將低端產(chǎn)品（i-
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ASML計(jì)劃在荷蘭大規(guī)模擴(kuò)張，助力EUV設(shè)備交付
- 據(jù)荷蘭媒體報(bào)道，ASML計(jì)劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計(jì)劃初步草案時(shí)透露的。這一擴(kuò)張計(jì)劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)的廣泛關(guān)注。據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，臺(tái)積電、英特爾和三星電子等半導(dǎo)體巨頭或?qū)闹惺芤?。ASML的擴(kuò)張如果能按計(jì)劃推進(jìn)，將有助于滿足全球?qū)O紫外光（EUV）光刻設(shè)備的迫切需求，從而加速先進(jìn)制程的開發(fā)與應(yīng)用。Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)的擴(kuò)張計(jì)劃大約在一年前首次公開。據(jù)荷蘭消
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ASM宣布將啟動(dòng)美國(guó)本土生產(chǎn)以應(yīng)對(duì)關(guān)稅壓力
- 據(jù)媒體報(bào)道，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International（簡(jiǎn)稱“ASM”）在2025年第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布，將立即啟動(dòng)在美國(guó)本土的生產(chǎn)計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)美國(guó)近期實(shí)施的關(guān)稅政策。今年4月初，美國(guó)總統(tǒng)特朗普簽署了一項(xiàng)“對(duì)等關(guān)稅”行政令，宣布對(duì)包括荷蘭在內(nèi)的歐盟成員國(guó)加征25%的鋼鐵、鋁和汽車進(jìn)口關(guān)稅，其他商品則面臨20%的關(guān)稅。這一政策覆蓋了歐盟對(duì)美出口的約70%，總價(jià)值高達(dá)5320億歐元。此外，特朗普還計(jì)劃對(duì)暫時(shí)豁免的藥品、半導(dǎo)體等產(chǎn)品單獨(dú)加征關(guān)稅。為避免關(guān)稅影響，ASM首席財(cái)務(wù)官Paul Ver
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臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)
- 根據(jù)臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)的報(bào)告，代工臺(tái)積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說過，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具?！皬?2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復(fù)雜性，”據(jù)報(bào)道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì)上說。這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項(xiàng)計(jì)
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地都賣了，三星電子與ASML半導(dǎo)體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導(dǎo)體制造設(shè)備以保持三星在先進(jìn)工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對(duì)這次合作，ASML特別與韓國(guó)土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購(gòu)買6個(gè)地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設(shè)研發(fā)中心。不過最近這項(xiàng)計(jì)劃可能出現(xiàn)了一些變動(dòng)， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個(gè)地塊，但ASML似乎沒有計(jì)劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
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前英特爾CEO加入光刻技術(shù)初創(chuàng)公司
- 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔(dān)任董事會(huì)執(zhí)行董事長(zhǎng)，xLight官網(wǎng)上個(gè)月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機(jī)開發(fā)基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術(shù)的EUV光源系統(tǒng)的初創(chuàng)公司。xLight雖然規(guī)模很小，但其團(tuán)隊(duì)在光刻和加速器技術(shù)領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗(yàn)，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學(xué)家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學(xué)學(xué)會(huì)粒子加速器科學(xué)
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三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標(biāo)是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購(gòu)這些機(jī)器。另一方面，臺(tái)積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報(bào)道，這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
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ASML計(jì)劃在日本擴(kuò)增五倍EUV芯片工具員工
- 近日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML宣布，計(jì)劃在日本將其先進(jìn)的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數(shù)擴(kuò)增五倍，這一舉措旨在加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨著全球?qū)Ω咝阅苄酒枨蟮募ぴ?，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)，也將進(jìn)一步推動(dòng)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。ASML在全球的影響力不斷增強(qiáng)，特別是在EUV技術(shù)方面，該技術(shù)被認(rèn)為是制造下一代高性能芯片的關(guān)鍵。隨著日本在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的持續(xù)投入，ASML的擴(kuò)張計(jì)劃將有助于促進(jìn)當(dāng)?shù)厝瞬诺呐囵B(yǎng)及技術(shù)的進(jìn)步。此外，ASML的擴(kuò)展計(jì)劃正值日本其他半導(dǎo)體公司如Ra
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EUV的未來看起來更加光明
- 對(duì)支持一切 AI 的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片的需求迅速增長(zhǎng)，這給該行業(yè)滿足需求的能力帶來了壓力。從為大型語言模型提供支持的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，到智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和自主系統(tǒng)中的邊緣 AI，對(duì)尖端半導(dǎo)體的需求正在加速。但制造這些芯片在很大程度上依賴于極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)，這已成為擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的最大障礙之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下線以來，設(shè)備、掩模生成和光刻膠技術(shù)的穩(wěn)步改進(jìn)使該技術(shù)穩(wěn)定下來。但是，雖然良率正在提高，但它們?nèi)匀宦浜笥诟墒斓墓饪碳夹g(shù)。工藝穩(wěn)定性需要時(shí)刻保持警惕和微調(diào)。就 EUV
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英特爾：ASML首批兩臺(tái)High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)
- 據(jù)路透社報(bào)道，半導(dǎo)體大廠英特爾近日表示，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺(tái)尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機(jī)已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機(jī)型更可靠。報(bào)道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會(huì)議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)在一個(gè)季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數(shù)千個(gè)計(jì)算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進(jìn)設(shè)備的芯片制造商，與之前的ASML設(shè)備相比，這些機(jī)器可望制造出更小
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英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
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