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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

作者:陳玲麗 時間:2025-06-03 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

美國芯片巨頭已與日本科技和投資巨頭攜手,合作開發(fā)一種堆疊式解決方案,以替代高帶寬存儲器()。據(jù)報道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品,該項目將利用的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202506/471059.htm

該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性,目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。

Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮各方的優(yōu)勢,提高研發(fā)效率。如果這項技術(shù)成功,希望優(yōu)先獲得供應(yīng)權(quán),為其投資的AI業(yè)務(wù)(如ARM架構(gòu)芯片)構(gòu)建供應(yīng)鏈協(xié)同優(yōu)勢。

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在AI算力需求爆發(fā)的當下,因適配AI處理器的數(shù)據(jù)吞吐需求而成為市場焦點,但復(fù)雜制程導(dǎo)致的高成本、高功耗及發(fā)熱問題卻日益凸顯。因此,軟銀與計劃通過采用不同于現(xiàn)有的布線方式:通過垂直堆疊多顆芯片,并改進芯片間的互連技術(shù)(如采用英特爾的嵌入式多芯片互連橋接技術(shù) EMIB),在提升存儲容量的同時降低數(shù)據(jù)傳輸功耗。實現(xiàn)至少大一倍的存儲容量,同時將耗電量減少40%,并大幅降低成本。

Saimemory并非第一家探索3D堆疊式的企業(yè),早在去年就宣布了開發(fā)3D DRAM和堆疊式DRAM的計劃。不過,這些項目的重點在于提升單芯片容量,目標是實現(xiàn)每個內(nèi)存模塊高達512GB的容量。相比之下,Saimemory的核心目標是降低功耗 —— 這是當前數(shù)據(jù)中心最為迫切的需求,尤其是在AI計算功耗逐年飆升的背景下。

當前,全球僅有和美光三家公司能夠量產(chǎn)最新一代HBM芯片。隨著AI芯片需求的激增,HBM供不應(yīng)求的情況日益嚴重,Saimemory希望借助這一替代方案搶占日本數(shù)據(jù)中心市場,甚至進一步擴展其影響力。這也標志著日本時隔二十多年后,首次試圖重返主流存儲芯片供應(yīng)商行列。

在1980年代,日本企業(yè)曾占據(jù)全球約70%的存儲芯片市場份額,是當時的行業(yè)霸主。然而,隨著韓國和臺灣地區(qū)廠商的崛起,1990年代后衰退,市占率暴跌,日本多數(shù)存儲芯片企業(yè)逐漸退出了市場,僅存材料和設(shè)備等領(lǐng)域優(yōu)勢。

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日本存儲器復(fù)興野心

AI服務(wù)器需求推動HBM價格在2024年上漲超50%,2025年仍供不應(yīng)求。軟銀和英特爾并不打算在HBM領(lǐng)域直接競爭,而是計劃開發(fā)一種能夠顯著降低功耗的“堆疊式DRAM芯片”,這實際上是在尋求重塑市場,而非進入現(xiàn)有市場。Saimemory的替代方案若能在2030年前量產(chǎn),有望切入日本本土數(shù)據(jù)中心市場,并憑借低功耗優(yōu)勢吸引對電費敏感的互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)。

Saimemory將自己定義為一家無晶圓廠芯片設(shè)計和知識產(chǎn)權(quán)管理公司,這與形成了鮮明對比,后者則采用綜合設(shè)計和制造存儲芯片的方式。據(jù)東京電視臺報道,Saimemory將于7月開始運營,軟銀擔任公司首席財務(wù)官,英特爾擔任首席技術(shù)官,東京大學擔任首席科學官,一位前東芝高管將擔任首席執(zhí)行官。

自1980年代失去70%以上的DRAM市場份額后,日本最后一家DRAM制造商爾必達(Elpida)于2012年破產(chǎn),并被美國美光公司收購,東芝分拆出來的鎧俠(Kioxia)目前只生產(chǎn)NAND閃存。韓國是存儲芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,三星和占據(jù)了全球DRAM市場73%的份額,以及NAND閃存市場的51%,控制著全球約90%的HBM市場。

日本政府正與軟銀攜手合作,重建該國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。去年4月,軟銀開始在北海道建設(shè)日本最大的數(shù)據(jù)中心,投資額達650億日元,其中約45%由政府補貼。該設(shè)施位于Rapidus附近,引發(fā)了人們對其將從這家新代工廠采購芯片的猜測。據(jù)《朝日新聞》報道,日本迄今已承諾向Rapidus投資1.82萬億日元,并為此修改了《信息處理促進法》等法律。

而對于英特爾而言,此次合作亦是其「IDM 2.0」戰(zhàn)略的延伸,通過開放技術(shù)合作擴大生態(tài)影響力,而非僅依賴自有制造能力。然而,技術(shù)落地仍面臨多重挑戰(zhàn):3D堆疊DRAM的良率控制、量產(chǎn)成本能否真正低于HBM、與現(xiàn)有AI處理器的兼容性適配等均需時間驗證。



關(guān)鍵詞: 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士

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