臺(tái)積電在過(guò)去幾年中穩(wěn)步提高其最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的價(jià)格——如此之高，以至于一項(xiàng)分析表明， 晶體管成本在十多年里沒(méi)有下降。進(jìn)一步的價(jià)格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開(kāi)發(fā)成本推動(dòng)，正在強(qiáng)化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念。

《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電即將推出的 N2 2 納米半導(dǎo)體每片晶圓將售價(jià) 3 萬(wàn)美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來(lái)的節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。

臺(tái)積電通過(guò)指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來(lái)為其價(jià)格上漲辯護(hù)，這些成本最高可達(dá) 7.25 億美元。根據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道，像蘋果、AMD、高通、博通和英偉達(dá)等主要玩家預(yù)計(jì)將在年底前下單 ，盡管價(jià)格上漲，這可能會(huì)使臺(tái)積電在亞利桑那州的 2 納米晶圓廠達(dá)到滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。

明年新款 iPhone 18 Pro 中的 A20 處理器預(yù)計(jì)將是首款采用臺(tái)積電 N2 工藝的芯片。英特爾的目標(biāo)是桌面和可能的高端筆記本電腦的 Nova Lake 處理器，也計(jì)劃使用 N2 工藝，并預(yù)計(jì)明年推出。

早期報(bào)道表明，臺(tái)積電 2 納米工藝的良率去年達(dá)到了 60%，并有所提升。新數(shù)據(jù)顯示，256Mb SRAM 良率現(xiàn)已超過(guò) 90%。試驗(yàn)生產(chǎn)可能已經(jīng)開(kāi)始，大規(guī)模生產(chǎn)計(jì)劃于今年晚些時(shí)候啟動(dòng)。

隨著基于 2nm 工藝的芯片量產(chǎn)超越同一開(kāi)發(fā)階段的以往節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃在 2025 年底前生產(chǎn)數(shù)萬(wàn)片晶圓。

臺(tái)積電還計(jì)劃在明年下半年推出 N2P 和 N2X，以接續(xù) N2。N2P 預(yù)計(jì)在相同功耗下比 N3E 性能提升 18%，在相同速度下能效提升 36%，并且邏輯密度顯著提高。N2X 計(jì)劃于 2027 年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，將最大時(shí)鐘頻率提高 10%。

隨著半導(dǎo)體幾何尺寸的不斷縮小，功耗泄漏成為一個(gè)主要問(wèn)題。臺(tái)積電的 2 納米節(jié)點(diǎn)將通過(guò)環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更精確的電流控制。

超過(guò) 2 納米就是埃時(shí)代，臺(tái)積電將實(shí)施背面電源傳輸以進(jìn)一步提升性能。未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)如 A16（1.6 納米）和 A14（1.4 納米）的晶圓成本可能高達(dá) 45,000 美元。

與此同時(shí)， 英特爾正試圖超越臺(tái)積電的路線圖。該公司最近開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)其 A18 節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)也采用環(huán)繞柵極和背面電源傳輸技術(shù)。這些芯片預(yù)計(jì)將于今年晚些時(shí)候在英特爾即將推出的筆記本電腦 CPU，代號(hào)為獵戶座中亮相。