全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。

　　市場研究機構Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術及服務的創(chuàng)新方面扮演領航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時，專業(yè)集成電路制造服務公司在新產(chǎn)品開發(fā)生產(chǎn)中扮演越來越重要的角色，所產(chǎn)出芯片的市場銷售金額占全球半導體業(yè)的比例已從1998年的9.2%增加到2008的25.3%。

　　圖1 TSMC先進工藝路線圖

　　2007年底，Intel將通用芯片的制程帶入45nm，而為了給客戶提供更好地服務，代工巨頭臺積電(TSMC)在2008年率先開始提供更先進的40nm工藝，新的代工藝包括提供高效能優(yōu)勢的40nm通用型工藝(40G)以及提供低耗電量優(yōu)勢的40nm低耗電工藝(40LP);同時提供完備的40nm設計服務套件及包括經(jīng)過工藝驗證的合作廠商硅智材、設計自動化工具，以及TSMC的電性參數(shù)模型(SPICE Model)及核心基礎硅智材的完整設計生態(tài)環(huán)境。

　　當然，40nm和45nm屬于同一代制程，芯片設計人員無需更改芯片設計或采用新的設計準則，只要采用TSMC的45nm工藝設計流程，便可以直接獲得40nm工藝所提供的競爭優(yōu)勢。TSMC希望新工藝的變化務必使在芯片制造端這一轉(zhuǎn)換過程清楚透明，讓芯片設計人員沒有后顧之憂，可以專心致力于提升產(chǎn)品的效能。40nm工藝的主要特點包括：

• 　　芯片門密度(Raw gate density)是65nm工藝的2.35倍;
• 　　運作功率(Active power)較45nm工藝減少幅度可達15%;
• 　　創(chuàng)下業(yè)界SRAM單位元尺寸及宏尺寸的最小紀錄;
• 　　提供通用型工藝及低耗電工藝以滿足多種不同產(chǎn)品應用;
• 　　已經(jīng)有數(shù)十個客戶進行產(chǎn)品設計;
• 　　客戶已經(jīng)頻繁使用晶圓共乘服務進行產(chǎn)品驗證。