hbm.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 文章 最新資訊
半導(dǎo)體晶圓代工市場預(yù)計到 2032 年將實現(xiàn)全面增長
- 根據(jù) Allied Market Research 發(fā)布的報告《半導(dǎo)體晶圓代工廠市場規(guī)模、按制程大小、應(yīng)用和地區(qū)劃分》，半導(dǎo)體晶圓代工廠市場在 2022 年的估值為 1069.4 億美元，預(yù)計到 2032 年將達到 2315 億美元，從 2023 年到 2032 年的復(fù)合年增長率為 8.1%。半導(dǎo)體晶圓代工廠，也稱為半導(dǎo)體制造工廠或晶圓廠，是專門為其他公司生產(chǎn)集成電路（IC）或芯片的專業(yè)設(shè)施。晶圓廠在半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著關(guān)鍵角色，因為它們?yōu)樵O(shè)計芯片但缺乏制造設(shè)施的公司提供制造能力。這種外包模式在半導(dǎo)體生產(chǎn)中
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據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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臺積電在美設(shè)廠計劃帶動亞利桑那州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起
- 據(jù)SEMI消息，2025年SEMICON West展會將首次移師美國亞利桑那州鳳凰城舉辦，時間為10月7日至9日。與此同時，SEMICON Taiwan 2025將于9月10日拉開帷幕，展會規(guī)模較2024年增長超20%。SEMI美國區(qū)總裁Joe Stockunas表示，亞利桑那州在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯。得益于當?shù)卣蜋C構(gòu)的大力支持，英特爾、臺積電、Amkor等超過100家半導(dǎo)體企業(yè)已入駐該地區(qū)。隨著全球半導(dǎo)體市場邁向萬億美元規(guī)模，亞利桑那州成為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與成長的重要樞紐。SEMI還透露，2025
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DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND
- 韓國頂尖國家級研究機構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進的，基于當前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負責芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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英偉達新款中國特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM
- 據(jù)路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預(yù)計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規(guī)格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規(guī)則限制的先進技術(shù)。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務(wù)器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術(shù)CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
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美國芯片巨頭英特爾、美光、高通和德州儀器均已向美國商務(wù)部提交評論，尋求減輕預(yù)期美國半導(dǎo)體進口關(guān)稅的負擔或獲得免稅。
- 他們的提交是在“第232條款”調(diào)查半導(dǎo)體進口條款下的回應(yīng)。隨著全球領(lǐng)先的代工廠臺積電也向特朗普總統(tǒng)的政府提出重新考慮或為其提供進口關(guān)稅免稅的請求。特朗普總統(tǒng)曾多次表示，將對進口芯片及相關(guān)半導(dǎo)體材料征收25%或更高的關(guān)稅。美國芯片公司的所有信函都表達了支持特朗普總統(tǒng)的芯片制造再回流政策，但強調(diào)了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的復(fù)雜性。每封信都以自己的方式試圖解釋，設(shè)計不良的關(guān)稅可能會損害美國利益，而不是實現(xiàn)預(yù)期目標。這四家公司涵蓋了邏輯、存儲、模擬和電源芯片以及芯片設(shè)計，給人一種協(xié)調(diào)努力以減少預(yù)期關(guān)稅制度的影響或可能使特朗普
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NVIDIA新中國版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價30%
- 據(jù)報道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國 AI 芯片出口限制后，這家美國芯片巨頭一直在開發(fā)一款針對市場的新芯片組。據(jù)路透社報道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價格較低的關(guān)鍵原因。值得注意的是，據(jù)報道，新型號將放棄臺積電先進的 CoWoS 封裝。此外，該報告補充說，預(yù)計它將基于 RTX Pro 6000D（服務(wù)器級 GPU）與標準 GDDR7 內(nèi)存配對，而不是更昂貴的 HBM。
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對Apple iPhone20的期望：HBM、無縫屏幕、純硅電池
- 據(jù) etnews 報道，據(jù)報道，蘋果已啟動其 2027 年 iPhone 的開發(fā)，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，因為它計劃進行重大技術(shù)升級以紀念該設(shè)備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術(shù)。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報告指出，設(shè)備端 AI 將需要顯著的內(nèi)存進步，業(yè)界預(yù)計 Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動 HBM。消息人士稱，蘋果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論
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大聯(lián)大「新質(zhì)工業(yè)·引領(lǐng)未來」主題峰會圓滿落幕
- 2025年5月14日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，以「新質(zhì)工業(yè)·引領(lǐng)未來」為主題的峰會在深圳圓滿落幕。作為公司長期布局的重要板塊，大聯(lián)大始終將工業(yè)領(lǐng)域視為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)升級的核心引擎。此次舉辦工業(yè)主題峰會，不僅是順應(yīng)全球工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮、把握行業(yè)前沿發(fā)展趨勢的重要舉措，更是大聯(lián)大與全球工業(yè)伙伴攜手共進、推動新質(zhì)工業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵契機。 圖：「新質(zhì)工業(yè)·引領(lǐng)未來」主題峰會 當前，全球工業(yè)市場正在經(jīng)歷著歷史性嬗變，以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算
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英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預(yù)計會有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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NVIDIA可能會考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR
- 據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預(yù)計將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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