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hbm.半導體產(chǎn)業(yè) 文章 最新資訊

三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊，加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發(fā)

  • 4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導體策略，同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Hwang Sang-joon 領導 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊，這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內(nèi)存上進行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場領軍地位：2019 年，三星因?qū)ξ磥硎袌龅腻e誤預測
  • 關鍵字： 三星  HBM  AI  Mach-2  

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

  • HBM 即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片。如果說傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設計"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設計"方式。目前，HBM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)?？梢钥吹剑琀BM 每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨特的 2.5D/3D 內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3 不僅
  • 關鍵字： HBM  

美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內(nèi)存已售罄

  • 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內(nèi)存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示。“我們繼續(xù)預計 HBM
  • 關鍵字： 美光  存儲  AI  HBM  

黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達正驗證其 HBM 內(nèi)存

  • 3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前，網(wǎng)絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
  • 關鍵字： 黃仁勛  三星  英偉達  HBM 內(nèi)存  

存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

  • 近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
  • 關鍵字： DDR  美光科技  HBM  

集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
  • 關鍵字： 存儲  DDR  HBM  

2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
  • 關鍵字： DDR  GDDR6  HBM  

三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
  • 關鍵字： 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝

  • SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長認為，半導體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
  • 關鍵字： 存儲  HBM  先進封裝  

業(yè)界：2024年1月全球半導體銷售額同比增長15.2%

  • 3月4日，半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）宣布，2024年1月全球半導體行業(yè)銷售額總計476億美元，較2023年1月的413億美元增長15.2%，但較2023年12月的487億美元環(huán)比下降2.1%。SIA總裁兼CEO John Neuffer表示，全球半導體市場在新年伊始表現(xiàn)強勁，全球銷售額同比增長幅度達到2022年5月以來的最高水平。市場預計將在今年剩余時間內(nèi)持續(xù)增長，2024年的年銷售額預計將比2023年實現(xiàn)兩位數(shù)增長。從地區(qū)來看，中國銷售額同比增長26.6%，美洲地區(qū)增長20.3%，除中國及日本以外的亞太其
  • 關鍵字： 半導體  半導體產(chǎn)業(yè)  

HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？

  • 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術(shù)
  • 關鍵字： HBM  存儲  

全球HBM戰(zhàn)局打響！

  • AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業(yè)界認為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
  • 關鍵字： 三星  半導體存儲器  HBM  

AI在半導體設計和制造中的作用

  • 摘要Sailesh Chittipeddi討論人工智能在半導體設計和制造中的作用。Sailesh Chittipeddi——Executive VP and GM, Embedded Processing, Digital Power and Signal Chain Solutions Group半導體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場由數(shù)字化轉(zhuǎn)型引領的結(jié)構(gòu)性變革，人工智能（AI）技術(shù)融入產(chǎn)品研發(fā)過程進一步加速了這一轉(zhuǎn)型。與此同時，摩爾定律從晶體管微縮向系統(tǒng)級微縮的演進以及新冠疫情引發(fā)的全球電子供應鏈重塑，也為
  • 關鍵字： 半導體產(chǎn)業(yè)  人工智能  芯片  

美光、SK海力士今年HBM已售罄

  • 繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
  • 關鍵字： HBM  

兩家存儲大廠：今年HBM售罄

  • 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預計將
  • 關鍵字： 存儲  HBM  SK海力士  美光科技  
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