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hbm.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
hbm.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 文章 最新資訊
有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫(xiě)）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問(wèn)題，聲明巧妙回避
- 有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）產(chǎn)品因過(guò)熱和功耗過(guò)大等問(wèn)題，未能通過(guò)Nvidia品質(zhì)測(cè)試，三星對(duì)此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM供應(yīng)測(cè)試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測(cè)試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測(cè)試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價(jià)值數(shù)十億美元
- IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會(huì)議活動(dòng)上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價(jià)格。美光預(yù)計(jì) HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財(cái)年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級(jí)的營(yíng)收，而在 25 財(cái)年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測(cè)，未來(lái)數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對(duì) HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，美光調(diào)升了本財(cái)年資本支出的預(yù)計(jì)規(guī)模，從 75~80 億美
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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多家上市公司釋放信號(hào)，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)已現(xiàn)？
- 5月15日，多家半導(dǎo)體廠商在2023年度科創(chuàng)板半導(dǎo)體設(shè)備專場(chǎng)集體業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)透露，目前，公司在手訂單充足。而這反映出在國(guó)產(chǎn)化浪潮持續(xù)推動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)逐漸凸顯。據(jù)悉，參加此次業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)的廠商包括微導(dǎo)納米、華興源創(chuàng)、華峰測(cè)控、晶升股份、耐科裝備、芯碁微裝等十余家上市公司，覆蓋清洗、薄膜沉積、測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。其中，耐科裝備董事長(zhǎng)黃明玖表示，從2024年一季度合同訂單情況來(lái)看，市場(chǎng)正在復(fù)蘇，半導(dǎo)體封裝裝備市場(chǎng)已在回暖，同比去年同期增長(zhǎng)500%以上。目前公司在手訂單充足，截至2024年4月，公司在手訂單
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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存儲(chǔ)大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？
- 近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會(huì)議上透露，公司計(jì)劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另?yè)?jù)媒體報(bào)道，三
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)
- 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí)，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì)，全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，然
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 美光 HBM
2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
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SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力
- ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)
- 市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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全球矚目！SEMiBAY/灣芯展震撼登場(chǎng)，逾200家半導(dǎo)體頭部企業(yè)集結(jié)力挺，共筑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛宴！
- 春回大地，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沐浴暖風(fēng)、生機(jī)勃發(fā)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)借勢(shì)疾馳、乘勢(shì)攀升，大灣區(qū)飛速崛起、一派繁榮。應(yīng)運(yùn)而生！SEMiBAY/灣芯展這一中國(guó)半導(dǎo)體專業(yè)展會(huì)，在大灣區(qū)“中國(guó)最大增量市場(chǎng)”的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下，猶如璀璨新星劃破天際，以其獨(dú)特魅力在短短兩個(gè)月內(nèi)迅速匯聚了全球半導(dǎo)體行業(yè)的矚目焦點(diǎn)，成功贏得超過(guò)200家國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體業(yè)界領(lǐng)軍品牌的熱烈響應(yīng)與深度合作承諾。這一實(shí)力天團(tuán)陣容涵蓋了產(chǎn)業(yè)鏈上下游的一線力量，他們攜手共襄盛舉，齊力支撐深圳市政府傾力打造的首場(chǎng)“灣區(qū)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)博覽會(huì)”，共同開(kāi)啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)嶄新篇
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三星組建HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，加速AI推理芯片Mach-2開(kāi)發(fā)
- 三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。據(jù)外媒報(bào)道，近日，三星電子DS部門負(fù)責(zé)人慶桂顯表示，三星內(nèi)部正采取雙軌AI半導(dǎo)體策略，同步提高在AI用存儲(chǔ)芯片和AI算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。此外，慶桂顯稱客戶對(duì)于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長(zhǎng)，并有部分客戶表達(dá)了將Mach系列芯片應(yīng)用于超1000B參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
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hbm.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹
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