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hbm.半導體產業(yè) 文章 最新資訊

三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

  • 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業(yè)務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
  • 關鍵字： 三星  代工  臺積電  AMD  2nm  HBM  

DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
  • 關鍵字： DDR4  DDR5  三星  SK海力士  內存  HBM  

SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內存芯片新王

  • 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
  • 關鍵字： SK海力士  存儲芯片  HBM  

沖刺新品市占 三星擬停產舊規(guī)HBM

  • 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產舊規(guī)格的HBM，應有助于三星加快技術迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，并計劃2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星
  • 關鍵字： 三星  HBM  

美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
  • 關鍵字： 內存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

下一代HBM4、HBM4E內存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

  • 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規(guī)格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
  • 關鍵字： HBM  內存  

與產業(yè)領袖同行：大聯(lián)大商貿中國區(qū)總裁沈維中暢談數(shù)字化浪潮下的“智變”之路

  • 2025年3月20日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大宣布，大聯(lián)大商貿中國區(qū)總裁沈維中于3月13日受邀出席了由中國工控網(wǎng)舉辦的2025第二十一屆CAIMRS暨總裁圓桌論壇。在本次論壇上，沈總圍繞行業(yè)現(xiàn)狀、政策影響以及未來趨勢等關鍵議題，分享了深刻的見解和前瞻性的思考。沈維中表示，在行業(yè)環(huán)境快速變化的背景下，大聯(lián)大作為分銷商，需要扮演好市場調節(jié)者的角色。公司通過優(yōu)化供應鏈路，更精準地貼近客戶需求，確保客戶能夠在復雜的環(huán)境下保持長期競爭力。在2025年，大聯(lián)大也將聚焦工業(yè)產業(yè)，深化技
  • 關鍵字： 大臉大  半導體產業(yè)  

SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預計下半年量產

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產品的最高水平。該產品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產品上采用已在前一代產
  • 關鍵字： SK海力士  HBM  

英特爾面臨拆分，以色列半導體產業(yè)也站在十字路口

  • 外媒報道，處理器大廠英特爾（Intel）可能分拆芯片設計與制造兩大業(yè)務，以色列芯片開發(fā)和制造中心也會跟著變化。英特爾致力以色列發(fā)展，成為英特爾最重要制造和研究中心之一。 但英特爾面臨不確定，報道都說英特爾可能拆分，芯片設計與制造分別出售不同買家，以色列業(yè)務命運也懸而未決。 雖以色列為芯片設計和生產領頭之一，但英特爾制造部門可能賣給臺積電，芯片設計部門可能賣給博通，造成重組，對以色列經(jīng)濟形成長期影響。事實上，幾十年來，英特爾一直是以色列最大的國外投資廠商。 其位當?shù)氐拇笮途A廠是該公司全球供應鏈的重
  • 關鍵字： 英特爾  半導體產業(yè)  

新一代HBM來了！NVIDIA主導開發(fā)新型內存標準SOCAMM：可拆卸升級 成人中指大小

  • 2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內存標準SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發(fā)展的設備端AI領域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
  • 關鍵字： 英偉達  內存  HBM  

AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠

  • Micron Technology 已開始在新加坡建設其價值數(shù)十億美元的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內存的需求將猛增。該設施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產，并計劃在 2027 年大幅提高產能。該設施將使用先進的人工智能驅動的自動化來
  • 關鍵字： AI  Micron  HBM  裝配廠  

HBM（高帶寬內存）技術展望：2024年及以后

  • HBM（高帶寬內存）技術是即將到來的“內存內計算/處理”時代的一種“近內存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機器學習的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內存制造商正在HBM技術的開發(fā)上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內存。因此，對于內存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
  • 關鍵字： HBM  高帶寬內存  

SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產能將擴大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
  • 關鍵字： 存儲芯片  SK海力士  HBM  

Marvell 推出定制 HBM 計算架構：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強

  • 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當?shù)貢r間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現(xiàn)更高的計算和內存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構”采用了非行業(yè)標準的 HBM I/O 接口設計，可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
  • 關鍵字： Marvell  HBM  XPU  

三星擴大高帶寬存儲器封裝產能

  • 據(jù)外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術競爭力，并縮小與SK海力士在這一領域的差距?！?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業(yè)內人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠的產能?！?另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產能的投資協(xié)議，計劃在韓國天安市新建一座專門
  • 關鍵字： 三星  高帶寬存儲器  封裝  HBM  
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