隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級(jí) DRAM（1c DRAM）晶圓測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。

值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù) zdnet 的報(bào)道，相關(guān)投資將于年底開(kāi)始。

鑒于 DRAM 是 HBM 的核心組件，這一進(jìn)展也預(yù)示著三星的 HBM4 量產(chǎn)計(jì)劃將順利進(jìn)行，據(jù) Sedaily 報(bào)道，該計(jì)劃預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候開(kāi)始。

響應(yīng)此消息，TrendForce 指出產(chǎn)品周期尚未開(kāi)始，驗(yàn)證仍處于非常初級(jí)的階段，并補(bǔ)充說(shuō)情況值得持續(xù)關(guān)注。

重新設(shè)計(jì)能否扭轉(zhuǎn)局勢(shì)？

據(jù) Sedaily 報(bào)道，盡管該公司最初計(jì)劃于 2024 年底開(kāi)始量產(chǎn)其第六代 10nm DRAM，但它通過(guò)重新設(shè)計(jì)芯片采取了大膽的步驟——接受超過(guò)一年的延遲以追求更好的性能。

該報(bào)告表明，新的 DRAM 將在三星的平澤 4 號(hào)線上生產(chǎn)，并供應(yīng)給移動(dòng)（LPDDR）和服務(wù)器應(yīng)用。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，與 HBM4 相關(guān)的第六代 10nm DRAM 生產(chǎn)設(shè)施位于平澤 3 號(hào)線上。

值得注意的是，憑借其雄厚的現(xiàn)金儲(chǔ)備和廣泛的制造經(jīng)驗(yàn)，三星可能會(huì)重拾舊策略——利用規(guī)模經(jīng)濟(jì)削減成本，并在 HBM4 時(shí)代憑借 sheer volume 超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，據(jù) Sedaily 援引行業(yè)消息人士稱(chēng)。

SK hynix：1c DRAM 的不同策略

然而，與三星不同，SK hynix 據(jù)報(bào)道對(duì) 1c DRAM 的投資持更為謹(jǐn)慎的態(tài)度，據(jù)韓國(guó)媒體 outlet the bell報(bào)道。

SK hynix 計(jì)劃在開(kāi)始 HBM4E 的大規(guī)模生產(chǎn)后，才會(huì)擴(kuò)大 1c DRAM 的生產(chǎn)，HBM4E 將使用 1c 作為其核心芯片。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，即將到來(lái)的 HBM4，預(yù)計(jì)在今年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，將繼續(xù)依賴(lài)更成熟的 1b DRAM 工藝。

同時(shí)，Sedaily 指出，SK hynix 于 2024 年 8 月完成了其 1c DRAM 的開(kāi)發(fā)。據(jù)報(bào)道，測(cè)試良率表現(xiàn)出色，平均超過(guò) 80%，最高達(dá)到 90%。

在強(qiáng)勁的需求下，TrendForce 預(yù)測(cè) 2026 年 HBM 總出貨量將超過(guò) 30 萬(wàn)億比特。隨著供應(yīng)商擴(kuò)大生產(chǎn)，HBM4 的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將穩(wěn)步增長(zhǎng)，最終在 2026 年下半年取代 HBM3e 成為主流解決方案。