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hbm.半導體產(chǎn)業(yè) 文章最新資訊

如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
關鍵字： HBM

實力認證！大聯(lián)大連續(xù)二十四年蟬聯(lián)“優(yōu)秀國際品牌分銷商”獎

2024年11月7日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，再次以卓越的市場表現(xiàn)和客戶認可度，勇摘“優(yōu)秀國際品牌分銷商”獎項，大聯(lián)大連續(xù)24年蟬聯(lián)該項殊榮，充分彰顯了大聯(lián)大深耕半導體行業(yè)的深厚實力和卓越影響力。聚焦中國“芯”發(fā)展，為本土客戶提供渠道和技術支持 &nb
關鍵字： WPG 大聯(lián)大半導體產(chǎn)業(yè) 分銷商

AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
關鍵字： AI HBM SK海力士

消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
關鍵字： SK 海力士 CIS HBM 內(nèi)存

HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
關鍵字： HBM DRAM TrendForce

實力硬核！大聯(lián)大榮獲2024年度“中國芯卓越代理商獎”

2024年10月15日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大在《芯師爺》“硬核芯評選”活動中，憑借在市場推廣、供應鏈管理和客戶服務等方面的卓越表現(xiàn)，榮獲2024年度“中國芯卓越代理商獎”。 “硬核芯評選”活動致力于挖掘并表彰在國產(chǎn)芯片領域展現(xiàn)出卓越技術創(chuàng)新和產(chǎn)品性能的企業(yè)。這一活動目標與大聯(lián)大積極踐行協(xié)助中國芯片新創(chuàng)公司理念不謀而合。這一殊榮印證了大聯(lián)大在市場推廣、供應鏈管理和客戶服務能力被充分認可，同時也彰顯了其在引領中國芯產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新中的關鍵作用
關鍵字：大聯(lián)大半導體產(chǎn)業(yè)

HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
關鍵字： HBM3e 12hi 良率驗證 HBM TrendForce

HBM外另一大關注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

隨著GDDR7存儲器標準規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
關鍵字： HBM 存儲器 GDDR7

TechInsights：到 2030 年，汽車半導體市場將實現(xiàn)近翻倍增長

IT之家?8 月 23 日消息，市場調(diào)研機構 TechInsights 今天下午發(fā)布題為《可持續(xù) xEV 網(wǎng)絡：半導體行業(yè)的機遇》的報告。報告指出，關于電池電動汽車（BEV）的基線增長預測顯示，到 2030 年，汽車半導體市場將實現(xiàn)近乎翻倍的增長。即使在 BEV 市場下滑的假設情景下，半導體需求仍將顯著增加，這得益于外圍系統(tǒng)（如自動駕駛輔助技術 ADAS 和信息娛樂系統(tǒng)）的日益復雜和演進。迄今為止，電動汽車（EV）的最大市場主要集中在高收入國家，其中挪威尤為突出，成為了一個成功的典范。報告稱，這
關鍵字：半導體產(chǎn)業(yè) 汽車電子

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內(nèi)存業(yè)務的副總裁 Ryu Seong-soo 當?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
關鍵字：海力士 HBM 內(nèi)存

HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業(yè)營收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
關鍵字：內(nèi)存存儲 HBM

因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
關鍵字：海力士 HBM 存儲

美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經(jīng)濟部門于2021年5月申請領航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發(fā)領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發(fā)中心，獲補助47億元新臺幣，將研發(fā)先進制程落腳在中國臺灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國臺灣申請
關鍵字：美光 HBM

存儲技術，掀起一輪新革命

內(nèi)存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
關鍵字： HBM

存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內(nèi)存模組
關鍵字：存儲產(chǎn)業(yè) HBM MRDIMM MCRDIMM

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HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

實力硬核！大聯(lián)大榮獲2024年度“中國芯卓越代理商獎”

HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

HBM外另一大關注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

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