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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過(guò)去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存革新臺(tái)積電與三星引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)搶攻萬(wàn)億商機(jī)

全球新興記憶體與儲(chǔ)存技術(shù)市場(chǎng)正快速擴(kuò)張，而臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專(zhuān)業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)先進(jìn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案的商業(yè)化。過(guò)去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實(shí)驗(yàn)室走向次22納米節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)階段，并運(yùn)用3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過(guò)50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
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Q3報(bào)價(jià)談判啟動(dòng) 內(nèi)存供應(yīng)鏈吃緊報(bào)價(jià)看漲

隨著第二季即將結(jié)束，多家內(nèi)存原廠已展開(kāi)第三季合約報(bào)價(jià)談判。原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合，市場(chǎng)供需變化牽動(dòng)價(jià)格走勢(shì)分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關(guān)鍵產(chǎn)品為觀察重點(diǎn)。根據(jù)TrendForce調(diào)查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長(zhǎng)幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務(wù)器核心零組件，供應(yīng)持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴(yán)重短缺，推升報(bào)價(jià)動(dòng)能。在一般型DR
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國(guó)、日本和印度的最新時(shí)間表

美光在 2025 財(cái)年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷(xiāo)售額激增近 50%推動(dòng)的——而且勢(shì)頭仍在繼續(xù)。這家美國(guó)內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場(chǎng)份額，正如 ZDNet 所報(bào)道的那樣。雖然其樂(lè)觀的展望吸引了市場(chǎng)關(guān)注，但焦點(diǎn)也集中在其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上。以下是美光最新制造動(dòng)向的簡(jiǎn)要回顧，包括國(guó)內(nèi)和海外。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向2027年開(kāi)始2022 年 9 月，美光公司公布了一項(xiàng) 150 億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃在其愛(ài)達(dá)荷州博伊西總部建設(shè)一個(gè)尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
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Micron將HBM擴(kuò)展到四個(gè)主要的GPU/ASIC客戶端

在 2025 財(cái)年第三季度 HBM 銷(xiāo)售額增長(zhǎng)近 50% 的推動(dòng)下，美光公布了創(chuàng)紀(jì)錄的收入，現(xiàn)在正著眼于另一個(gè)里程碑。據(jù) ZDNet 稱(chēng)，這家美國(guó)內(nèi)存巨頭的目標(biāo)是到 2025 年底將其 HBM 市場(chǎng)份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現(xiàn)在正在向 GPU 和 ASIC 平臺(tái)上的四個(gè)客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預(yù)計(jì)到 2025 年下半年，其 HBM 市場(chǎng)份額將達(dá)到與其整體 DRAM 份額持平。據(jù)路透社報(bào)道，美光的強(qiáng)勁業(yè)績(jī)反映了 NVIDIA 和 AMD
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光HBM的激增

美光在 2025 財(cái)年第三季度創(chuàng)紀(jì)錄的收入是由 HBM 銷(xiāo)售額增長(zhǎng)近 50% 推動(dòng)的，而且這種勢(shì)頭并沒(méi)有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國(guó)存儲(chǔ)器巨頭現(xiàn)在的目標(biāo)是到年底在 HBM 市場(chǎng)占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂(lè)觀的前景吸引了市場(chǎng)的關(guān)注，但人們也關(guān)注其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上步伐。以下是美光在國(guó)內(nèi)外的最新制造舉措。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向 2027 年開(kāi)始根據(jù)其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項(xiàng)價(jià)值 150 億美元的計(jì)劃，以擴(kuò)建其位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
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據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級(jí) DRAM（1c DRAM）晶圓測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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英飛凌迎接新太空應(yīng)用的內(nèi)存市場(chǎng)挑戰(zhàn)

NewSpace 是指私營(yíng)公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計(jì)劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對(duì)全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長(zhǎng)的推動(dòng)下，NewSpace 計(jì)劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結(jié)合。這些任務(wù)通常依賴(lài)于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務(wù)持續(xù)時(shí)間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應(yīng)用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無(wú)需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認(rèn)證即可提供強(qiáng)大的性能。Infineon
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微信“史詩(shī)級(jí)”更新：手機(jī)內(nèi)存有救了！

近日有消息稱(chēng)，微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能，支持U盤(pán)等多種存儲(chǔ)設(shè)備。對(duì)此，微信方面回應(yīng)稱(chēng)正在小范圍測(cè)試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示，和當(dāng)前僅支持備份到電腦相比，優(yōu)化后的功能支持用戶通過(guò)手機(jī)微信，將聊天記錄備份到外部存儲(chǔ)設(shè)備（如U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)），且可創(chuàng)建及管理多份備份文件，并支持自動(dòng)備份。目前，該功能更新在持續(xù)擴(kuò)大測(cè)試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設(shè)置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復(fù)”，如果你的微信在該功能的灰度測(cè)試范圍，那么就會(huì)看到現(xiàn)在備份與恢復(fù)可以選擇“備份到電腦、U盤(pán)等多種存儲(chǔ)設(shè)備”或“支
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買(mǎi)家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專(zhuān)業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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HBM 開(kāi)發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來(lái)控制功耗。請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來(lái)源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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據(jù)報(bào)道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗(yàn)證中受挫，計(jì)劃于九月重新測(cè)試

作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競(jìng)爭(zhēng)中關(guān)鍵對(duì)手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道三星在 6 月份第三次嘗試通過(guò) NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師，該公司現(xiàn)在計(jì)劃在 9 月份進(jìn)行重測(cè)。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過(guò)了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需進(jìn)行完整封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 建
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門(mén)（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(zhǎng)李在镕的意見(jiàn)。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤(rùn)空間，
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英偉達(dá)新款中國(guó)特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM

據(jù)路透社報(bào)道，英偉達(dá)即將針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)推出一款新的AI芯片，預(yù)計(jì)售價(jià)在6500美元至8000美元之間，遠(yuǎn)低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價(jià)格反映了其較弱的規(guī)格和更簡(jiǎn)單的制造要求，避開(kāi)了受美國(guó)出口規(guī)則限制的先進(jìn)技術(shù)。知情人士稱(chēng)，這款新的專(zhuān)供中國(guó)市場(chǎng)的GPU將會(huì)是基于英偉達(dá)的服務(wù)器級(jí)圖形處理器RTX Pro 6000D來(lái)進(jìn)行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒(méi)有使用臺(tái)積電的先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
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