hbm 內(nèi)存文章最新資訊

TrendForce集邦咨詢：震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

TrendForce集邦咨詢針對(duì)403震后各半導(dǎo)體廠動(dòng)態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級(jí)的區(qū)域，加上臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級(jí)。以本次的震度來看，幾乎都是停機(jī)檢查后，迅速?gòu)?fù)工進(jìn)行，縱使有因?yàn)榫o急停機(jī)或地震損壞爐管，導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報(bào)廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補(bǔ)齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢晶圓代工內(nèi)存

三星組建HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)

三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。據(jù)外媒報(bào)道，近日，三星電子DS部門負(fù)責(zé)人慶桂顯表示，三星內(nèi)部正采取雙軌AI半導(dǎo)體策略，同步提高在AI用存儲(chǔ)芯片和AI算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。此外，慶桂顯稱客戶對(duì)于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長(zhǎng)，并有部分客戶表達(dá)了將Mach系列芯片應(yīng)用于超1000B參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
關(guān)鍵字： HBM AI推理芯片

三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發(fā)

4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負(fù)責(zé)人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導(dǎo)體策略，同步提高在 AI 用存儲(chǔ)芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。在 AI 用存儲(chǔ)芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導(dǎo) HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，這是其今年建立的第二個(gè) HBM 專門團(tuán)隊(duì)。三星近期在 HBM 內(nèi)存上進(jìn)行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)軍地位：2019 年，三星因?qū)ξ磥硎袌?chǎng)的錯(cuò)誤預(yù)測(cè)
關(guān)鍵字：三星 HBM AI Mach-2

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM 即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片。如果說傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設(shè)計(jì)"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設(shè)計(jì)"方式。目前，HBM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。可以看到，HBM 每一次更新迭代都會(huì)伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨(dú)特的 2.5D/3D 內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3 不僅
關(guān)鍵字： HBM

美光表示24年和25年大部分時(shí)間的高帶寬內(nèi)存已售罄

美光目前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)上處于劣勢(shì)，但看起來情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時(shí)間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場(chǎng)份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議準(zhǔn)備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預(yù)計(jì) HBM
關(guān)鍵字：美光存儲(chǔ) AI HBM

黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存

3 月 20 日消息，本周二在美國(guó)加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會(huì)之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會(huì)從三星采購(gòu) HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會(huì)上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
關(guān)鍵字：黃仁勛三星英偉達(dá) HBM 內(nèi)存

三星計(jì)劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1，采用 LPDDR 內(nèi)存

3 月 20 日消息，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會(huì)上宣布，三星電子計(jì)劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗(yàn)證，正處于 SoC 設(shè)計(jì)階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程，明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報(bào)道指，Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可將片外內(nèi)存與計(jì)算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
關(guān)鍵字：三星 AI 芯片 LPDDR 內(nèi)存

存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
關(guān)鍵字： DDR 美光科技 HBM

集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) DDR HBM

2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
關(guān)鍵字： DDR GDDR6 HBM

三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
關(guān)鍵字：三星 MR-RUF DRAM HBM

服務(wù)器內(nèi)部揭秘（CPU、內(nèi)存、硬盤）

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)，存儲(chǔ)、處理網(wǎng)絡(luò)上80％的數(shù)據(jù)、信息，被稱為互聯(lián)網(wǎng)的靈魂。它不僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的機(jī)器，更像是一個(gè)精密的工程，由多個(gè)關(guān)鍵組件相互配合，以實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)。01?什么是服務(wù)器服務(wù)器是在網(wǎng)絡(luò)中為其他客戶機(jī)提供服務(wù)的高性能計(jì)算機(jī)：具有高速的CPU運(yùn)算能力，能夠長(zhǎng)時(shí)間的可靠運(yùn)行，有強(qiáng)大的I/O外部數(shù)據(jù)吞吐能力以及更好的擴(kuò)展性。服務(wù)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通計(jì)算機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似（CPU、硬盤、內(nèi)存、系統(tǒng)總線等）。服務(wù)器Server：間接服務(wù)于多人；個(gè)人計(jì)算機(jī)PC：直接服務(wù)于個(gè)人。02 服務(wù)器的
關(guān)鍵字：服務(wù)器 CPU 內(nèi)存硬盤

存儲(chǔ)大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝

SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國(guó)投資超過10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) HBM 先進(jìn)封裝

HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲(chǔ)廠商的狂歡？

近期，存儲(chǔ)廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對(duì)外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價(jià)較高，確實(shí)會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器廠商營(yíng)收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場(chǎng)的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)。存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺(tái)前，并成為推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲(chǔ)廠商的“狂歡”。如今，存儲(chǔ)大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
關(guān)鍵字： HBM 存儲(chǔ)

DDR之頻率

大家好，我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率，以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的?？赡苓@篇文章對(duì)于電路設(shè)計(jì)用處不大，但多了解一點(diǎn)總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表，我們一起來了解一下內(nèi)存DDR的頻率。圖2 內(nèi)存頻率表格從表中可以看出內(nèi)存有三種頻率，分別是核心頻率，工作頻率和等效頻率。而我們平時(shí)所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息：1、核心頻率，指真正讀寫內(nèi)存顆粒的頻率，它是固定不變的，一般是133，166，和200MHz三類，這個(gè)頻率提升很難。2、工作頻率，DDR工作頻率是顆粒核
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR頻率