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NVIDIA新中國(guó)版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價(jià)30%

據(jù)報(bào)道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國(guó) AI 芯片出口限制后，這家美國(guó)芯片巨頭一直在開(kāi)發(fā)一款針對(duì)市場(chǎng)的新芯片組。據(jù)路透社報(bào)道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對(duì)內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價(jià)格較低的關(guān)鍵原因。值得注意的是，據(jù)報(bào)道，新型號(hào)將放棄臺(tái)積電先進(jìn)的 CoWoS 封裝。此外，該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，預(yù)計(jì)它將基于 RTX Pro 6000D（服務(wù)器級(jí) GPU）與標(biāo)準(zhǔn) GDDR7 內(nèi)存配對(duì)，而不是更昂貴的 HBM。
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買(mǎi)家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類(lèi)似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
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五大原廠同步減產(chǎn) 內(nèi)存價(jià)格Q2反彈優(yōu)預(yù)期

全球五大NAND Flash原廠同步實(shí)施減產(chǎn)，加上美中之間的新關(guān)稅政策，帶動(dòng)買(mǎi)賣(mài)雙方在90天寬限期內(nèi)加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲(chǔ)器價(jià)格，出現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期的反彈走勢(shì)。五大NAND原廠同步減產(chǎn)，供給面收縮，助攻內(nèi)存市場(chǎng)行情，根據(jù)調(diào)查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃，幅度在10%~15%，以調(diào)節(jié)供過(guò)于求的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)。此輪原廠同步減產(chǎn)，對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格止跌回升形成支撐，加上中美貿(mào)易政策變量升高，促使業(yè)者加快在政策寬限期內(nèi)完成交易
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Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內(nèi)存技術(shù)

據(jù)稱(chēng)，可靠性和供應(yīng)鏈問(wèn)題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開(kāi)發(fā)下一代零件。據(jù)稱(chēng)，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術(shù)的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級(jí) GPU。ZDNet 報(bào)道稱(chēng)，SOCAMM 現(xiàn)在計(jì)劃與代號(hào)為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應(yīng)該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產(chǎn)品，針對(duì)工作站而不是服務(wù)器。GB300
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對(duì)Apple iPhone20的期望：HBM、無(wú)縫屏幕、純硅電池

據(jù) etnews 報(bào)道，據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果已啟動(dòng)其 2027 年 iPhone 的開(kāi)發(fā)，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，因?yàn)樗?jì)劃進(jìn)行重大技術(shù)升級(jí)以紀(jì)念該設(shè)備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術(shù)。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報(bào)告指出，設(shè)備端 AI 將需要顯著的內(nèi)存進(jìn)步，業(yè)界預(yù)計(jì) Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動(dòng) HBM。消息人士稱(chēng)，蘋(píng)果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論
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英偉達(dá)降級(jí)版H20或用GDDR取代HBM

在英偉達(dá)H20受到最新出口限制之后，其正在開(kāi)發(fā)該芯片的降級(jí)版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開(kāi)拓中國(guó)市場(chǎng)，最早可能在7月發(fā)布。降級(jí)版H20性能預(yù)計(jì)會(huì)有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報(bào)道英偉達(dá)可能會(huì)用GDDR取代HBM。英偉達(dá)HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級(jí)版H20選擇換用GDDR，那么可能會(huì)對(duì)現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達(dá)在GDDR7上合作的經(jīng)驗(yàn)，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國(guó)首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號(hào)）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
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NVIDIA可能會(huì)考慮將中國(guó)特供H20的HBM換成GDDR

據(jù)稱(chēng)，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國(guó)芯片巨頭正在開(kāi)發(fā)該芯片的降級(jí)版本，以在中國(guó)銷(xiāo)售。由于改進(jìn)后的芯片預(yù)計(jì)將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報(bào)告暗示 NVIDIA 可能會(huì)用 GDDR 取代 HBM，這可能會(huì)破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國(guó)主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報(bào)道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國(guó)《數(shù)字時(shí)報(bào)》報(bào)道稱(chēng)，NVIDIA 堅(jiān)持從三星和
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DDR3單元測(cè)試規(guī)范

一、測(cè)試目的DDR3的測(cè)試分為三類(lèi)：1、直流參數(shù)測(cè)試（DC Parameter Testing）：校驗(yàn)工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內(nèi)存的工作電流與功耗、負(fù)載有關(guān)，工作電流過(guò)高時(shí)，將造成功耗過(guò)高，給系統(tǒng)造成的負(fù)載過(guò)大，嚴(yán)重情況下將造成系統(tǒng)無(wú)法正常工作。存儲(chǔ)芯片也存在漏電流，當(dāng)漏電流超出閾值時(shí)可能造成系統(tǒng)無(wú)法正常工作。2、交流參數(shù)測(cè)試（AC Parameter Testing）：檢測(cè)諸如建立時(shí)間、保持時(shí)間、訪問(wèn)時(shí)間等時(shí)間參數(shù)特性。3、可靠性測(cè)試（Functional Testing）：測(cè)
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三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國(guó)特朗普政府關(guān)稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價(jià)值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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在鐵電RAM內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算

在一項(xiàng)新的 Nature Communications 研究中，研究人員開(kāi)發(fā)了一種內(nèi)存鐵電微分器，能夠直接在內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算，而無(wú)需單獨(dú)的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對(duì)于智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)和安全攝像頭等邊緣設(shè)備。圖像處理和運(yùn)動(dòng)檢測(cè)等任務(wù)的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數(shù)據(jù)開(kāi)始，這些數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯?chǔ)單元，存儲(chǔ)單元進(jìn)一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)轿⒖刂破鲉卧詧?zhí)行差分作。由于差分運(yùn)算是多項(xiàng)計(jì)算任務(wù)的基礎(chǔ)，研究人員利用鐵電材料的特性來(lái)制造他們的設(shè)備。Tech Xplore
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SK海力士Q1利潤(rùn)飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王

4月24日消息，韓國(guó)內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財(cái)報(bào)，Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)158%，為7.44萬(wàn)億韓元（約合52億美元），超過(guò)預(yù)期的6.6萬(wàn)億韓元。營(yíng)收同比增長(zhǎng)42%，達(dá)到17.63萬(wàn)億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績(jī)，此前該公司上一季度營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達(dá)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強(qiáng)勁需求增長(zhǎng)。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)三星。報(bào)告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場(chǎng)36%的份額，而三星是34%。
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沖刺新品市占三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM

三星對(duì)此消息表示，無(wú)法確認(rèn)。但法人認(rèn)為，HBM市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率超過(guò)45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應(yīng)有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強(qiáng)爭(zhēng)霸」地位。與此同時(shí)，陸廠加快進(jìn)攻高階存儲(chǔ)器市場(chǎng)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計(jì)劃2025年將產(chǎn)能擴(kuò)至每月18萬(wàn)片晶圓，目標(biāo)2026年切入LPDDR5與車(chē)用DRAM，為未來(lái)進(jìn)軍HBM鋪路。長(zhǎng)江存儲(chǔ)則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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備貨熱潮提前到內(nèi)存廠Q2有望價(jià)量齊揚(yáng)

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國(guó)對(duì)等關(guān)稅政策反復(fù)變動(dòng)下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實(shí)質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略，買(mǎi)賣(mài)雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨，預(yù)期將推升第二季市場(chǎng)交易熱度，DRAM、NAND Flash價(jià)格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關(guān)稅寬限期暫時(shí)緩解市場(chǎng)對(duì)需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫(kù)存」的心態(tài)，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫(kù)存水位，進(jìn)而帶動(dòng)供應(yīng)鏈產(chǎn)能，尤其以
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