hbm 內(nèi)存文章最新資訊

業(yè)界預(yù)測(cè)：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

當(dāng)前低功耗問(wèn)題仍是業(yè)界關(guān)心重點(diǎn)。根據(jù)國(guó)際能源署(IEA)最近報(bào)告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請(qǐng)求消耗2.9Wh，每天進(jìn)行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(shí)(TWh)的電力。從預(yù)計(jì)銷(xiāo)售的AI服務(wù)器需求來(lái)看，到2026年，AI行業(yè)可能會(huì)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動(dòng)和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個(gè)關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場(chǎng)需求，目前業(yè)界正積極致力于
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì)，展示 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)新品

IT之家 5 月 22 日消息，在北京時(shí)間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會(huì)上，SK 海力士帶來(lái)了多款存儲(chǔ)領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤(pán)品類(lèi)。在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無(wú)法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫(xiě)性能，預(yù)計(jì)將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)方面，SK 海力
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價(jià)值數(shù)十億美元

IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會(huì)議活動(dòng)上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱(chēng)，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價(jià)格。美光預(yù)計(jì) HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財(cái)年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級(jí)的營(yíng)收，而在 25 財(cái)年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷(xiāo)售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測(cè)，未來(lái)數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對(duì) HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，美光調(diào)升了本財(cái)年資本支出的預(yù)計(jì)規(guī)模，從 75~80 億美
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組臺(tái)電腦成本越來(lái)越高：除 CPU / GPU 之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格也瘋漲

IT之家 5 月 20 日消息，各位網(wǎng)友，你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺(tái)電腦越來(lái)越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個(gè)大件之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價(jià)狀態(tài)。固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點(diǎn)，甚至連 DDR5 內(nèi)存的價(jià)格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點(diǎn)，簡(jiǎn)要介紹如下：固態(tài)硬盤(pán)科技媒體 xda-developers 追蹤觀測(cè)過(guò)去 6-7 個(gè)月亞馬遜平臺(tái)固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格，從 2023 年 10 月左右開(kāi)
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年可望供不應(yīng)求

三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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存儲(chǔ)大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？

近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會(huì)議上透露，公司計(jì)劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專(zhuān)攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另?yè)?jù)媒體報(bào)道，三
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)

2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí)，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì)，全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，然
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2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
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詳解Linux內(nèi)核內(nèi)存管理架構(gòu)

內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個(gè)子系統(tǒng)，其支持的功能需求眾多，如頁(yè)面映射、頁(yè)面分配、頁(yè)面回收、頁(yè)面交換、冷熱頁(yè)面、緊急頁(yè)面、頁(yè)面碎片管理、頁(yè)面緩存、頁(yè)面統(tǒng)計(jì)等，而且對(duì)性能也有很高的要求。本文從內(nèi)存管理硬件架構(gòu)、地址空間劃分和內(nèi)存管理軟件架構(gòu)三個(gè)方面入手，嘗試對(duì)內(nèi)存管理的軟硬件架構(gòu)做一些宏觀上的分析總結(jié)。內(nèi)存管理硬件架構(gòu)因?yàn)閮?nèi)存管理是內(nèi)核最為核心的一個(gè)功能，針對(duì)內(nèi)存管理性能優(yōu)化，除了軟件優(yōu)化，硬件架構(gòu)也做了很多的優(yōu)化設(shè)計(jì)。下圖是一個(gè)目前主流處理器上的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案。從圖中可以看出，
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SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)

市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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