hbm 內(nèi)存文章最新資訊

TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi)，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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美光將在中國(guó)臺(tái)灣加碼投資，或聚焦HBM

行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)于2021年5月申請(qǐng)領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計(jì)劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)航計(jì)劃，在中國(guó)臺(tái)灣設(shè)立第一個(gè)研發(fā)中心，獲補(bǔ)助47億元新臺(tái)幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)
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小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車(chē)下線全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

8 月 9 日消息，小鵬汽車(chē)今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車(chē)下線，全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱(chēng)，小鵬 MONA M03的門(mén)店展車(chē)已經(jīng)提前到店，開(kāi)票價(jià) 15 萬(wàn)多，所以起步價(jià)只會(huì)在 14 萬(wàn)以下。博主還提到，對(duì)于小鵬自己，最麻煩的永遠(yuǎn)不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來(lái)（車(chē)）的“無(wú)語(yǔ)”。所以小鵬這次一定要強(qiáng)調(diào)量產(chǎn)下線，這個(gè)比其他的都重要。據(jù)此前報(bào)道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車(chē)申報(bào)名單中，車(chē)身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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M31Ｘ高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問(wèn)世

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開(kāi)發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場(chǎng)效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車(chē)聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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存儲(chǔ)技術(shù)，掀起一輪新革命

內(nèi)存市場(chǎng)迎來(lái)新一輪 DRAM 技術(shù)「革命」。
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消息稱(chēng) SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是？

人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，而與此同時(shí)，在服務(wù)器需求推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開(kāi)始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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HBM4持續(xù)加速：AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)

HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
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DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷(xiāo)商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷(xiāo)其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專(zhuān)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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臺(tái)積電要抄三星的后路

在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來(lái)越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片制造，這在臺(tái)積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺(tái)積電的市場(chǎng)統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢(shì)地位。未來(lái)的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會(huì)越來(lái)越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲(chǔ)芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術(shù)難度和制造難度提高了不少，需要更先進(jìn)的制程工藝參與進(jìn)來(lái)。2nm 制程針?shù)h相對(duì)據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于 7 月中旬開(kāi)始試生產(chǎn) 2n
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