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2025年第二季度DRAM營(yíng)收增長(zhǎng)，SK海力士蟬聯(lián)第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長(zhǎng)了17.1%。這一增長(zhǎng)主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)的上漲以及出貨量的顯著提升，同時(shí)HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動(dòng)作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動(dòng)DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價(jià)已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)，其售價(jià)和位元出貨量均
關(guān)鍵字： DRAM SK海力士

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。
關(guān)鍵字： 3D DRAM

2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析

在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下，2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元，同比增長(zhǎng)37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長(zhǎng)25.1%，市場(chǎng)份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長(zhǎng)13%，市場(chǎng)份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會(huì)上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動(dòng)DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會(huì)議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說，通過當(dāng)前的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難?！盀榱丝朔@些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺(tái)和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級(jí)或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺(tái)是下一代
關(guān)鍵字： SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM

中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動(dòng)駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對(duì)邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動(dòng)超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應(yīng)變化來增強(qiáng)或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過程，多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種
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據(jù)報(bào)道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場(chǎng)份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇

三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗(yàn)證問題而面臨困境，據(jù)韓國(guó)媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報(bào)道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報(bào)告中稱，其 DRAM 市場(chǎng)份額按價(jià)值計(jì)算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個(gè)百分點(diǎn)。值得注意的是，《韓民族日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星的 DRAM 市場(chǎng)份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達(dá)到 48%
關(guān)鍵字：三星 DRAM 存儲(chǔ)

走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP

GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
關(guān)鍵字： CMOS 汽車電子傳感器

CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
關(guān)鍵字： CMOS 2.0 納米分層邏輯

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 價(jià)格下滑放緩，韓國(guó)內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)

根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價(jià)格差異的限制，實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價(jià)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩和。目前，DDR4 市場(chǎng)顯示現(xiàn)貨價(jià)格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價(jià)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) DRAM DDR4

DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報(bào)道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計(jì)

隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競(jìng)相滿足來自移動(dòng)和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動(dòng)了 DDR6 開發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時(shí)報(bào)所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺(tái)參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測(cè)試。在
關(guān)鍵字： DDR6 DRAM 存儲(chǔ)

中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國(guó)內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的華爾街見聞報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器 HDR