隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競(jìng)相滿足來自移動(dòng)和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。

領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動(dòng)了 DDR6 開發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時(shí)報(bào)所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺(tái)參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測(cè)試。

在產(chǎn)品路線方面，報(bào)告指出下一代 CPU 預(yù)計(jì)從 2026 年開始支持 DDR6，目標(biāo)市場(chǎng)為 AI 服務(wù)器、HPC 系統(tǒng)和高端筆記本電腦。

DDR6 標(biāo)準(zhǔn)逐漸成型

商業(yè)時(shí)報(bào)指出，JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）已于 2024 年底完成了 DDR6 主要草案標(biāo)準(zhǔn)，而 LPDDR6 草案則在 2025 年第二季度發(fā)布。報(bào)告稱，平臺(tái)測(cè)試和驗(yàn)證預(yù)計(jì)將于 2026 年開始。

盡管標(biāo)準(zhǔn)仍在制定中，但商業(yè)時(shí)報(bào)援引行業(yè)消息人士的話稱，DDR6 在性能和架構(gòu)方面都帶來了重大進(jìn)步。據(jù)報(bào)告說，DDR6 的速度預(yù)計(jì)將是 DDR5 的兩倍甚至三倍，起步速度為 8,800 MT/s，最高可達(dá) 17,600 MT/s。

結(jié)構(gòu)上，DDR6 將轉(zhuǎn)向多通道設(shè)計(jì)，采用 4×24 位子通道，而 DDR5 采用的是 2×32 位設(shè)置，據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道。這將允許更好的并行處理、數(shù)據(jù)流和帶寬利用，但同時(shí)也對(duì)模塊 I/O 設(shè)計(jì)和信號(hào)完整性提出了更高的要求，報(bào)道補(bǔ)充道。

同時(shí)，CAMM2（壓縮附加內(nèi)存模塊 2）—現(xiàn)正由 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)化—正成為 DDR6 時(shí)代的關(guān)鍵特性?！渡虡I(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，CAMM2 提供更高的帶寬、更大的密度、更低的阻抗和更薄的形狀因子，解決了傳統(tǒng) 288 引腳 DIMM 插槽在 DDR5 中的物理限制。

LPDDR6 更新

另一方面，據(jù) 《專家》 稱，除了領(lǐng)先的內(nèi)存公司外，高通、聯(lián)發(fā)科和 Synopsys 等芯片設(shè)計(jì)巨頭也一直在塑造 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)。隨著新規(guī)范的最終確定，內(nèi)存制造商、移動(dòng)和 AI 芯片設(shè)計(jì)者和測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商現(xiàn)在可以在統(tǒng)一的框架下對(duì)齊開發(fā)和驗(yàn)證工作。

樂觀地，The Guru 指出，LPDDR6 產(chǎn)品可能在年底前上市，而三星和 SK 海力士——多年來一直在開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)——正在準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)。與此同時(shí)，高通和聯(lián)發(fā)科也在加快 SoC 開發(fā)，以推動(dòng)下一代高性能 AI 設(shè)備的發(fā)展，報(bào)道補(bǔ)充道。