三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。

值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%的峰值。報道補充說，這反映了其在 HBM 方面的疲軟。

這與趨勢力的調(diào)查結(jié)果一致：SK 海力士在 2025 年第一季度首次領(lǐng)先 DRAM 市場，市場份額為 36%，而三星從 2024 年第四季度的 39.3%下降至 33.7%。

三星的下半年攻勢

根據(jù) Sedaily 的報道，三星計劃通過專注于先進產(chǎn)品，包括用于 AI 服務(wù)器的 HBM 和高容量 DDR5，在下半年實現(xiàn)強勁反彈。報道指出，三星僅在 2025 年上半年就投入了 180 萬億韓元用于研發(fā)，這表明其決心克服短期挫折，贏得長期技術(shù)競爭。

值得注意的是，雖然三星尚未通過英偉達的 12 層 HBM3e 認證，但電子商業(yè)新聞報道該公司正在加速向 12 層 HBM3E 過渡，甚至放棄了為英偉達中國定制 H20 的 8 層版本的銷售。

報道稱，雖然 SK 海力士自 2024 年 9 月以來一直在大規(guī)模生產(chǎn) 12 層 HBM3E，但三星尚未通過質(zhì)量測試。據(jù)報道，該公司正在重新設(shè)計 HBM3E 內(nèi)存，并提高后端生產(chǎn)效率以迎頭趕上。

此外，根據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，三星據(jù)報道正在尋找封裝開發(fā)專家，以設(shè)計先進 HBM 的新架構(gòu)，而產(chǎn)品規(guī)劃招聘將專注于與對定制 HBM 感興趣的客戶協(xié)調(diào)。該公司計劃最早明年推出定制 HBM，以更快地迎頭趕上 HBM 先驅(qū) SK 海力士，報道補充道。

雖然一些人建議三星可能會延長 DDR4 的生產(chǎn)并推遲其停產(chǎn)計劃，但公司的規(guī)?？s減表明其正在轉(zhuǎn)向騰出生產(chǎn)線，專注于更高價值的技術(shù)，如 DDR5 和 LPDDR5，因為與中國的競爭日益激烈。

另一方面，盡管最近與特斯拉達成了數(shù)十億美元的人工智能 6 芯片生產(chǎn)協(xié)議，但 TrendForce 預(yù)計該合作在 2028 年之前不會取得成果，未來存在重大不確定性——很大程度上取決于三星首批 2 納米產(chǎn)出的性能。