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cmos.dram 文章 最新資訊

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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CIS 產(chǎn)能誘惑再起

  • 移動互聯(lián)時代，在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類芯片會沖在前面，呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭，存儲器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域：手機、安防和汽車。當(dāng)然，CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日，全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET

  • IT之家 12 月 10 日消息，由于當(dāng)下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管技術(shù)，業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術(shù)突破，并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管方面取得的突
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  CMOS  

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

  • 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
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集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
  • 關(guān)鍵字： DRAM  閃存  

下一代CMOS邏輯，邁入1nm時代

  • 3D 亞納米時代，CMOS 邏輯電路如何發(fā)展？
  • 關(guān)鍵字： CMOS  

消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場份額差距已縮小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息，上周就有研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達(dá)到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場份額差距。研究機構(gòu)的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  海力士  

三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

  • 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  閃存  三星  海力士  

AI推動SK海力士DRAM市場份額達(dá)到有史以來最高水平

  • 據(jù)外媒報道，在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后，外媒就預(yù)計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商，將迎來新的發(fā)展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場的份額達(dá)到了35%，占據(jù)了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來，在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門 CMOS 圖像傳感器

  • Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準(zhǔn) CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進成像技術(shù)的基礎(chǔ)上又增強了性能，使之成為各種機器視覺應(yīng)用、室外監(jiān)控以及交通檢測與監(jiān)控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素（4,096 x 2,160）和 12M 像素（4,096 x 3,072）
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負(fù)載進行高效處理的場景，滿足它們對
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  128GB  RDIMM內(nèi)存  

芯片設(shè)計中，DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜

  • 選擇越多，選擇越難。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  
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