SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會(huì)上，該公司提出了未來(lái)30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。
SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車(chē)善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動(dòng)DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來(lái)”的全體會(huì)議。
首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說(shuō)，通過(guò)當(dāng)前的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展來(lái)提高性能和容量變得越來(lái)越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門(mén)）平臺(tái)和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級(jí)或以下的技術(shù)。

4F2 VG平臺(tái)是下一代存儲(chǔ)器技術(shù)，可最大限度地減少DRAM的單元面積，并通過(guò)垂直柵極結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高集成度、高速和低功耗。

目前，6F2電池很常見(jiàn)，但通過(guò)應(yīng)用將電路部分置于電池面積以下的4F2電池和晶圓鍵合技術(shù)，可以提高電池效率和電氣特性。

CTO Cha 還引入了 3D DRAM 作為未來(lái) DRAM 的主要支柱，與 VG 一起。CTO Cha表示，雖然業(yè)內(nèi)有人警告，根據(jù)堆疊層數(shù)增加成本，但可以通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新來(lái)解決。

在結(jié)構(gòu)性突破的同時(shí)，公司還將努力通過(guò)DRAM關(guān)鍵材料和組件的尖端技術(shù)尋找新的增長(zhǎng)引擎，為未來(lái)30年奠定基礎(chǔ)。

“直到 2010 年左右，DRAM 技術(shù)預(yù)計(jì)在 20 納米處將面臨局限性，但通過(guò)不斷創(chuàng)新，我們已經(jīng)走到了這一步，”首席技術(shù)官 Cha 說(shuō)?！癝K海力士將繼續(xù)引導(dǎo)未來(lái)長(zhǎng)期技術(shù)創(chuàng)新，成為DRAM領(lǐng)域年輕工程師的里程碑，并保持行業(yè)內(nèi)合作，將DRAM的未來(lái)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)?！?br/>
在活動(dòng)的最后一天，領(lǐng)導(dǎo)下一代 DRAM TF 的副總裁 Joodong Park 將介紹他最近關(guān)于 VG 和晶圓鍵合技術(shù)如何影響 DRAM 電氣特性的研究結(jié)果。