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買(mǎi)方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷(xiāo)售疲弱，DRAM價(jià)格反
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美國(guó)商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國(guó)生產(chǎn)芯片

12 月 11 日消息，美國(guó)商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國(guó)商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國(guó)商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測(cè)器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車(chē)用感測(cè)器能以高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時(shí)捕捉低光與極高亮度的場(chǎng)景，其 2.1 μm 超級(jí)曝光像素能實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍，而無(wú)需進(jìn)行自動(dòng)曝光調(diào)整。這顯著降低了場(chǎng)景依賴的汽車(chē)關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實(shí)現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫(kù)存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開(kāi)新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長(zhǎng)幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類(lèi)。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

近日，北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計(jì)21nm的今年年底會(huì)推出，20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出，后續(xù)還會(huì)繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲(chǔ)中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過(guò)30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲(chǔ)產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲(chǔ)價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算

三星電子今日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動(dòng)駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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國(guó)產(chǎn)無(wú)反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國(guó)市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng)，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹(shù)也表示，2023 年中國(guó)數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng)，其中無(wú)反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%，預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)，無(wú)反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
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TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi)，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫(huà)幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫(huà)幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，與思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫(huà)幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國(guó)產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫(huà)幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫(huà)幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?！?產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺(tái)，攜手思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限，同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依
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