2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析
在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下,2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù),二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元,同比增長(zhǎng)37%,創(chuàng)歷史季度新高。
頭部廠商中,SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì),二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元,環(huán)比增長(zhǎng)25.1%,市場(chǎng)份額提升至38.2%,連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一,并進(jìn)一步拉開(kāi)與三星的差距。
· 三星以107.58億美元收入位列第二,環(huán)比增長(zhǎng)13%,市場(chǎng)份額33.5%;
· 美光科技收入70.71億美元(統(tǒng)計(jì)周期為2025年3-5月),環(huán)比增長(zhǎng)15.5%,市場(chǎng)份額22%。
傳統(tǒng)DRAM供需失衡
CFMS分析指出,AI服務(wù)器對(duì)HBM3E及高容量DDR5的需求激增,疊加數(shù)據(jù)中心采購(gòu)升溫,成為市場(chǎng)增長(zhǎng)主引擎。與此同時(shí),頭部廠商加速DDR4產(chǎn)能縮減以轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程,導(dǎo)致傳統(tǒng)DDR4/LPDDR4X供需結(jié)構(gòu)失衡,價(jià)格與需求快速攀升。
這一趨勢(shì)推動(dòng)南亞科技與華邦電子等中小廠商業(yè)績(jī)暴漲:
· 南亞科技二季度收入3.43億美元,環(huán)比增長(zhǎng)54.8%,市場(chǎng)份額1.1%;
· 華邦電子收入1.83億美元,環(huán)比增長(zhǎng)24.1%,市場(chǎng)份額0.6%。
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)供應(yīng)商亦受益于傳統(tǒng)DRAM漲價(jià)潮,并通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張滿足本土市場(chǎng)需求。CFMS預(yù)測(cè),隨著技術(shù)升級(jí)與供應(yīng)鏈整合深化,國(guó)內(nèi)廠商市場(chǎng)份額有望在2025年內(nèi)持續(xù)擴(kuò)大。
全球DRAM競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入新階段
SK海力士、三星與美光均表示,將進(jìn)一步擴(kuò)大HBM3E及128GB DDR5等高附加值產(chǎn)品產(chǎn)能。美光預(yù)計(jì),2025年HBM市場(chǎng)規(guī)模將突破150億美元,占DRAM總市場(chǎng)比重超20%。
與此同時(shí),數(shù)據(jù)中心與汽車智能化對(duì)大容量、高帶寬存儲(chǔ)的需求,將持續(xù)推動(dòng)DRAM技術(shù)向更先進(jìn)制程演進(jìn)。CFMS指出,2025年下半年,1β(約10nm級(jí))制程DDR5產(chǎn)品有望逐步量產(chǎn),進(jìn)一步拉動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。
AI與數(shù)據(jù)中心需求的爆發(fā),正重塑DRAM市場(chǎng)格局。SK海力士憑借HBM技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)鞏固霸主地位,而傳統(tǒng)DRAM的供需失衡則為中小廠商帶來(lái)階段性機(jī)遇。隨著國(guó)內(nèi)廠商加速技術(shù)追趕,全球DRAM競(jìng)爭(zhēng)有望進(jìn)入新階段。
評(píng)論