cmos.dram 文章最新資訊

高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒(méi)

高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計(jì)版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒(méi)錯(cuò)，“吸金”，各種資金正從各種投資計(jì)劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計(jì)算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲(chǔ)訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來(lái)了屬于
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)中心 DRAM

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達(dá)70%

4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠(chǎng)商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營(yíng)收與市占率的增長(zhǎng)至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
關(guān)鍵字： SK海力士三星 DRAM

CMOS可靠性測(cè)試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿(mǎn)足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào)，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
關(guān)鍵字： CMOS 可靠性測(cè)試脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技

美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶(hù)提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士

CMOS_Sensor國(guó)產(chǎn)替代到什么程度了？

攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車(chē)電子、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。以下是國(guó)內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠(chǎng)家及其主要特點(diǎn)和代表性型號(hào)：從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測(cè)，CIS的身影無(wú)處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn)，CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天，我們就來(lái)一次全景掃描，盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)外主流CMOS傳感器廠(chǎng)商，以及那些正在崛起的新興勢(shì)力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買(mǎi)不到索尼的Sensor，結(jié)果一開(kāi)始我們用中國(guó)臺(tái)灣的可以替代
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP

下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫(kù)存。為確保2025年下半年產(chǎn)線(xiàn)供料穩(wěn)定，庫(kù)存水
關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) DRAM

圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一

當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí)，圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)各種設(shè)備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專(zhuān)業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠(chǎng)自動(dòng)化、設(shè)備檢測(cè)、汽車(chē)等。選擇最合適的圖像傳感器需要對(duì)眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評(píng)估，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類(lèi)型、功耗和特性集成，這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣，錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類(lèi)半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說(shuō)是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，通過(guò)一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CMOS 成像性能

SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門(mén)轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門(mén)，該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱(chēng)其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無(wú)法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢(shì)下，將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門(mén)聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力。
關(guān)鍵字： SK海力士 CIS CMOS AI存儲(chǔ)器

美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV

美光經(jīng)過(guò)多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
關(guān)鍵字：美光1γ DRAM

新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
關(guān)鍵字： 3D DRAM

美光宣布1γ DRAM開(kāi)始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算需求

美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代?CPU?設(shè)計(jì)的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級(jí)）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
關(guān)鍵字：美光 1γ DRAM DRAM

復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
關(guān)鍵字：復(fù)旦大學(xué) Si CMOS GaN 單片異質(zhì)集成

消息稱(chēng)三星芯片部門(mén)負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪(fǎng)問(wèn)英偉達(dá)

2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，三星芯片部門(mén)的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國(guó)英偉達(dá)總部進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。此次訪(fǎng)問(wèn)的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì)，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)的負(fù)責(zé)人親自向客戶(hù)展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。IT之家注意到，三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該
關(guān)鍵字：三星芯片 1b DRAM 樣品英偉達(dá)

SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： SK海力士 1c納米 DRAM

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒(méi)有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對(duì)三星內(nèi)存技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門(mén)競(jìng)爭(zhēng)的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問(wèn)題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門(mén)未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門(mén)交付Galaxy S25系列手機(jī)開(kāi)發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門(mén)的手
關(guān)鍵字： ?三星 Galaxy S25 內(nèi)存美光 DRAM LPDDR5X