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hbm 內(nèi)存 文章 最新資訊

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

  • 作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報(bào)告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報(bào)道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報(bào)道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報(bào)道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

  • 市場傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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華為推出 UCM 算法以減少對 HBM 的依賴，據(jù)報(bào)道將在 9 月開源

  • 雖然當(dāng)?shù)孛襟w關(guān)注華為減少中國 HBM 對人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發(fā)布了 UCM（統(tǒng)一計(jì)算內(nèi)存）——據(jù)我的駕駛和證券時報(bào)報(bào)道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時提高效率。值得注意的是，報(bào)道表明華為將在 2025 年 9 月開源 UCM，首先在 MagicEngine 社區(qū)推出，然后貢獻(xiàn)給主流推理引擎，并與 Share Everything 存儲供應(yīng)商和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴分享。UCM 的變革性功能《證券時報(bào)》援引華為數(shù)字金融 CEO 曹健的話指出，高延遲和高成本仍
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Yole評2025數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢：人工智能重塑計(jì)算和內(nèi)存市場

  • 市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報(bào)告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計(jì)算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導(dǎo)體范式
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泰瑞達(dá)推出適用于高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H

  • 全球領(lǐng)先的自動測試設(shè)備和機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)近日宣布推出新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務(wù)器中GPU和加速器所集成的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片測試的嚴(yán)苛要求。Magnum 7H專為大規(guī)模HBM堆疊裸片測試而設(shè)計(jì)，具備高同測數(shù)、高速和高精度三大特性。行業(yè)領(lǐng)先的HBM制造商已開始使用泰瑞達(dá)Magnum 7H平臺進(jìn)行HBM芯片的量產(chǎn)測試并出貨，產(chǎn)能得到大幅提升。泰瑞達(dá)內(nèi)存測試事業(yè)部總裁Young Kim表示：“我們隆重推出Magnum 7H，這是一款革新性的內(nèi)存測試平臺，它重新定義了
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手機(jī)裝上HBM，會怎樣？

  • 在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復(fù)雜指令、實(shí)時提供各類信息、輔助戰(zhàn)甲高效運(yùn)行，為觀眾描繪出強(qiáng)大的 AI 應(yīng)用場景。如今，隨著移動 HBM 技術(shù)的發(fā)展，我們的手機(jī)也在邁向具備類似強(qiáng)大 AI 能力的設(shè)備。那么，從移動 HBM 到「賈維斯」般的智能體驗(yàn)，我們還有多少距離？移動HBM，到底是什么？在深入探討移動 HBM 之前，先來了解一下傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)在移動設(shè)備中的局限性。以智能手機(jī)為例，隨著 AI 攝影、AI 語音助手等功能的普及，手機(jī)需要在短時間內(nèi)處理大量的數(shù)據(jù)。在拍攝一張 AI
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半導(dǎo)體行業(yè)前5%的公司包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤

  • 據(jù)全球咨詢公司麥肯錫7月20日發(fā)布的報(bào)告顯示，包括英偉達(dá)、臺積電、博通等在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)前5%（按年銷售額計(jì)算）的公司，包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤。前5%的半導(dǎo)體公司獲得的經(jīng)濟(jì)利潤高達(dá)1590億美元，而中間90%的公司利潤僅為50億美元，排名后5%的公司實(shí)際虧損370億美元。實(shí)際上，前5%的半導(dǎo)體公司獲得的成績單超過整個半導(dǎo)體市場創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)利潤（1470億美元）。這一市場轉(zhuǎn)變僅用了2~3年時間。在新冠疫情期間（2021-2022年），中間90%的企業(yè)每年獲得的經(jīng)濟(jì)利潤超過300億美元。換算成每家
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

  • 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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HBM 混合鍵合需求據(jù)報(bào)道在 2025 年下半年上升，BESI 和 ASMPT 展望增長

  • 根據(jù) ZDNet 在 25 日的報(bào)道，引用行業(yè)消息人士稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體后端設(shè)備制造商預(yù)計(jì)將在 2025 年下半年擴(kuò)大其 HBM 混合鍵合業(yè)務(wù)。BESI 預(yù)計(jì) 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設(shè)備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財(cái)報(bào)中表示，預(yù)計(jì)第三季度將表現(xiàn)強(qiáng)勁，先進(jìn)封裝設(shè)備訂單（包括混合鍵合系統(tǒng)）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預(yù)計(jì)在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因?yàn)榭蛻?/li>
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中國長江存儲計(jì)劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

  • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計(jì)劃

  • 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報(bào)的報(bào)道，三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計(jì)劃。因此，預(yù)計(jì) 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預(yù)計(jì)將上漲 15%至 2
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三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體回歸

  • Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，該業(yè)務(wù)占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術(shù)問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領(lǐng)域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準(zhǔn)的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫存得到清理，人們對業(yè)績反彈的預(yù)期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設(shè)備解決方案（DS）部
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三星電子的半導(dǎo)體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現(xiàn)出色

  • 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預(yù)期，引發(fā)了對其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲半導(dǎo)體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導(dǎo)致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領(lǐng)先地位。根據(jù)國內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
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HBM，爆炸式增長

  • HBM，如何推動 AI 發(fā)展？
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