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2nm! 文章 最新資訊

三星接近與高通達成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務復蘇勢頭增強

  • 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發(fā)展可能標志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務復蘇的重要一步，該業(yè)務一直面臨持續(xù)的良率問題和關鍵客戶流失給臺積電的情況。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2 納米技術對數(shù)款芯片進行大規(guī)模量產(chǎn)測試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”，將提供兩種變體。基礎版本預計將由臺積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
  • 關鍵字： 三星  2nm  晶圓代工  

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm

  • 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
  • 關鍵字： 三星  2nm  4nm  1.4nm  

三星推動2納米技術突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應晶體管

  • 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節(jié)點相當，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。同時，臺積電繼續(xù)擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出，這些節(jié)點預計將仍然是主要客戶的首選。
  • 關鍵字： 三星  臺積電  2nm  制程工藝  

2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

  • 在持續(xù)進行的半導體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
  • 關鍵字： 制程  2nm  三星  臺積電  

下半年，2nm競爭升溫

  • 三強蓄勢待發(fā)。
  • 關鍵字： 2nm  18A  

臺積電2nm良率曝光

  • 在技術驅(qū)動型產(chǎn)業(yè)中，半導體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺積電（TSMC）正式啟動2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報價高達3萬美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲芯片領域的技術優(yōu)化，臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風險試產(chǎn)以來，良率從去年底的60%快速攀升至當前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點的初期投產(chǎn)經(jīng)驗看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點200萬片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗，將2nm工藝開發(fā)周期壓縮至18個月，良率僅用9個月便從30%提升至60%，
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  AI  蘋果  晶圓  

臺積電 2 納米晶圓價格達到 3 萬美元，據(jù)報道 SRAM 的良率達到了 90%

  • 臺積電在過去幾年中穩(wěn)步提高其最先進的半導體工藝節(jié)點的價格——如此之高，以至于一項分析表明， 晶體管成本在十多年里沒有下降。進一步的價格上漲，由關稅和不斷上升的開發(fā)成本推動，正在強化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念?！渡虡I(yè)時報》報道，臺積電即將推出的 N2 2 納米半導體每片晶圓將售價 3 萬美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節(jié)點預計將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價格上漲辯護，這些成本最高可達 7.25 億美元。根
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  

傳臺積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用

  • 據(jù)《商業(yè)時報》報道，隨著臺積電準備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報道，2nm 晶圓價格已達到每單位 30,000 美元，未來節(jié)點的價格可能會飆升至 45,000 美元。報告補充說，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點。商業(yè)時報援引供應鏈消息人士的話說，開發(fā)單個 2nm 芯片——從項目啟動到最終輸出——成本高達 7.25 億美元。盡管如此，頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  晶圓  CSP  

MediaTek 9月推首款2nm芯片流片，用于智能手機/NVLink定制ASIC

  • 繼小米推出首款自有 3nm 芯片 XRING 01 后，智能手機芯片制造商聯(lián)發(fā)科技也在 Computex 2025 上發(fā)布了其首款 2nm 產(chǎn)品。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該公司的首款 2nm 芯片預計將于 9 月流片。隨著聯(lián)發(fā)科技加深與 NVIDIA 的合作伙伴關系，經(jīng)濟日報報道稱，其首款由臺積電制造的 2nm 芯片可能是下一代旗艦智能手機 SoC，也可能是 NVIDIA NVLink Fusion 系統(tǒng)的定制 ASIC。根據(jù) MediaTek 的新聞稿，作為 NVIDIA NVLink Fusion 的首批
  • 關鍵字： MediaTek  2nm  芯片流片  智能手機  NVLink  定制ASIC  

芯片，遇到難題

  • 近，semiengineering 的文章指出，由于復雜性不斷上升，芯片制造從單片芯片轉(zhuǎn)向多芯片組件，需要進行更多次迭代，以及定制化程度不斷提高導致設計和驗證更加耗時，首次流片的成功率正在急劇下降。從西門子提供的數(shù)據(jù)看，半導體行業(yè)首次流片的成功率已經(jīng)達到了歷史低點。此外，隨著 2nm 的到來，先進制程工藝下的芯片良率也很難提高。芯片遇到了大難題。芯片流片成功率，歷史低點流片對于芯片設計來說，就是參加一次大考。流片是檢驗芯片設計是否成功的關鍵，就是將設計好的方案交給代工廠生產(chǎn)出樣品，檢驗設計的芯片
  • 關鍵字： 2nm  芯片制造  

押注Rapidus 日本2nm芯片制造試產(chǎn)

  • 世界上只有三家公司能夠執(zhí)行大規(guī)模制造最先進的計算機芯片的令人難以置信的精度。上個月，日本的一家初創(chuàng)公司邁出了成為第四家的第一步。Rapidus?在 4 月 1 日實現(xiàn)了一個關鍵的里程碑，它使用與 IBM 合作開發(fā)的配方，基于?IBM 的納米片晶體管結(jié)構(gòu)，啟動并測試了其 2 納米節(jié)點芯片的試驗線。?Rapidus 告訴?IEEE Spectrum，其位于千歲的新晶圓廠安裝了 200 多臺尖端設備，包括 Keystone 部件，一個價值超過 3 億美元的最先進的極紫外&
  • 關鍵字： Rapidus  2nm  芯片制造  

三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

  • 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進而轉(zhuǎn)向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業(yè)務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
  • 關鍵字： 三星  代工  臺積電  AMD  2nm  HBM  

臺積電2nm需求超所有其它制程！蘋果、NVIDIA、AMD都想要

  • 5月6日消息，據(jù)報道，臺積電的2nm制程技術正在引發(fā)前所未有的市場需求，有望成為該公司下一個"淘金熱"。報道稱，臺積電的2nm節(jié)點需求遠超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點。臺積電的2nm制程技術在成熟度上取得了快速進展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場需求方面，蘋果被認為是2nm制程的最大客戶，可
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  制程  蘋果  NVIDIA  AMD  

日本國家半導體計劃新進展：Rapidus國有化打通法律上障礙

  • 日本參議院已通過法律修訂，使政府能夠收購 Rapidus 的股權(quán)，這是加強該國下一代半導體行業(yè)的更廣泛努力的一部分，這一步將使得日本政府可以通過法律收購Rapidus股權(quán)并加強對芯片戰(zhàn)略的控制，這也讓Rapidus可能成為未來臺積電最大的競爭對手之一。 Rapidus成立于2022年8月，Rapidus由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦，公司地址位于日本東京都千代田區(qū)，公司已經(jīng)與IBM達成合作協(xié)議制造半導體芯片，是日本瞄準未來先進半導體制造工藝的重要企業(yè)。2024年之前，日本本土的數(shù)字工藝產(chǎn)能最多
  • 關鍵字： Rapidus  2nm  

臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

  • 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
  • 關鍵字： 臺積電  N2 2nm  缺陷率  3nm  5nm  7nm  
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