市場(chǎng)傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺(tái)積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時(shí)報(bào)報(bào)道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 4 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng)，這引發(fā)了對(duì)其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺(tái)積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。

同時(shí)，臺(tái)積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報(bào)告指出，這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶的首選。

根據(jù)同一份報(bào)告，目前幾乎所有旗艦智能手機(jī) SoC 都依賴于臺(tái)積電的第二代 3 納米工藝（N3E），唯一的例外是三星的 Exynos 2500，它采用了其自家的 3 納米 GAAFET 技術(shù)。

報(bào)告中引用的行業(yè)消息人士表示，大多數(shù)芯片制造商正在準(zhǔn)備今年遷移到第三代 3 納米節(jié)點(diǎn)（N3P）。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電自去年底以來已開始 N3P 的大規(guī)模生產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2025 年總產(chǎn)能將增長(zhǎng)超過 60%。

商業(yè)時(shí)報(bào)援引 IC 設(shè)計(jì)公司的消息報(bào)道稱，臺(tái)積電繼續(xù)提供卓越的整體芯片性能。例如，使用相同的 Arm Cortex-X925 超大型核心設(shè)計(jì)的 Dimensity 9400，達(dá)到了 3.62GHz 的時(shí)鐘速度。這超過了三星 Exynos 2500 的 3.3GHz，并且發(fā)布時(shí)間大約早了四分之三。

為應(yīng)對(duì)美國(guó)本土生產(chǎn)日益增長(zhǎng)的客戶需求，消息稱臺(tái)積電在亞利桑那州的第二座晶圓廠已進(jìn)入加速階段，設(shè)備搬遷計(jì)劃定于2025年第三季度進(jìn)行。