半導(dǎo)體文章最新資訊

關(guān)稅恐重創(chuàng)中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》發(fā)表專文指出，美國(guó)總統(tǒng)特朗普的對(duì)等關(guān)稅固然引發(fā)國(guó)際高度關(guān)注，但特朗普目前最嚴(yán)苛的其實(shí)是「產(chǎn)業(yè)別關(guān)稅」—— 尤其是半導(dǎo)體和藥品，中國(guó)臺(tái)灣和新加坡都被點(diǎn)名可能受到巨大沖擊。目前特朗普已針對(duì)鋁（50%）、鋼（25%）與汽車（25%）祭出高額產(chǎn)業(yè)關(guān)稅，并自8月1日起對(duì)銅加征50%關(guān)稅；電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體的調(diào)查結(jié)束后也可能同步課征關(guān)稅。此外，特朗普也預(yù)告藥品關(guān)稅可能自低稅率開(kāi)征，一年內(nèi)升至高達(dá)200%。其他品項(xiàng)如關(guān)鍵礦物與木材也可能納入。經(jīng)濟(jì)學(xué)人指出，盡管川普過(guò)去經(jīng)常撤回威脅，但他的產(chǎn)業(yè)關(guān)稅行動(dòng)不容輕忽。
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關(guān)稅驅(qū)動(dòng)型世界中的戰(zhàn)略采購(gòu)：重新思考半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

長(zhǎng)期以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直受益于全球化，通過(guò)全球分布式制造提高成本效益。但這種模式正在迅速被重新定義。在關(guān)稅不斷上漲、貿(mào)易協(xié)定不斷變化和出口管制的情況下，公司現(xiàn)在不僅將智能采購(gòu)視為一種采購(gòu)策略，而且將其作為實(shí)現(xiàn)彈性、敏捷性和長(zhǎng)期增長(zhǎng)的戰(zhàn)略杠桿。關(guān)稅壓力正在重塑芯片供應(yīng)鏈全球貿(mào)易動(dòng)態(tài)給半導(dǎo)體設(shè)備、原材料和子組件的流動(dòng)帶來(lái)了極大的復(fù)雜性。近年來(lái)，一波關(guān)稅和監(jiān)管轉(zhuǎn)變給以前精簡(jiǎn)、成本優(yōu)化的供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)增加了摩擦。因此，半導(dǎo)體公司正在重新評(píng)估其采購(gòu)策略。許多公司正在從單區(qū)域模式轉(zhuǎn)向多區(qū)域和近岸方法，這些方法強(qiáng)調(diào)連續(xù)性、靈
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只有前5%公司在全球AI半導(dǎo)體市場(chǎng)中獲得利潤(rùn)

根據(jù)全球咨詢公司麥肯錫公司(McKinsey & Company)7月20日發(fā)布的一份報(bào)告,半導(dǎo)體行業(yè)排名前5%的公司(基于年銷售額),包括NVIDIA,臺(tái)積電,SK海力士和博通(Broadcom)去年創(chuàng)造了所有利潤(rùn)。前5%的公司獲得的經(jīng)濟(jì)利潤(rùn)為1590億美元,而公司利潤(rùn)的中間90%被限制在50億美元。最底層的5%公司實(shí)際上遭受了370億美元的損失。實(shí)際上,前5%的公司收到的成績(jī)單,超過(guò)了整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)利潤(rùn)(1470億美元)。這種市場(chǎng)轉(zhuǎn)變發(fā)生在2-3年內(nèi)。在COVID-19大流行期間(2
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數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體決策轉(zhuǎn)變

半導(dǎo)體生命周期中的數(shù)據(jù)爆炸半導(dǎo)體行業(yè)一直都是數(shù)據(jù)密集型的。然而，現(xiàn)在的話題正在從數(shù)量轉(zhuǎn)向質(zhì)量。這不再是關(guān)于我們生成了多少數(shù)據(jù)，而是關(guān)于這些數(shù)據(jù)的連接、情境化和解釋程度。半導(dǎo)體數(shù)據(jù)與通用的企業(yè)或消費(fèi)者數(shù)據(jù)有著根本的不同。漏電流讀數(shù)、故障箱代碼或晶圓缺陷沒(méi)有意義，除非在產(chǎn)生它的硅工藝、測(cè)試環(huán)境或設(shè)計(jì)約束的背景下理解它。在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的早期階段，設(shè)計(jì)工程師通過(guò)RTL回歸、邏輯覆蓋率報(bào)告和時(shí)序收斂檢查來(lái)生成仿真數(shù)據(jù)。隨著設(shè)計(jì)進(jìn)入制造階段，硅數(shù)據(jù)開(kāi)始積累，包括在線計(jì)量讀數(shù)、臨界尺寸測(cè)量、工具狀態(tài)日志和晶圓級(jí)缺陷圖。每個(gè)
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非對(duì)稱功率偏置對(duì)關(guān)鍵等離子體半導(dǎo)體工藝

葉戈?duì)枴·薩莫伊連科 , 博士, 高級(jí)工程師, 先進(jìn)能源工業(yè)公司, 科羅拉多州弗萊森斯托馬斯·G·詹金斯 , 博士, 高級(jí)科學(xué)家, Tech-X 公司, 科羅拉多州博爾德丹尼斯·M·肖 , 博士, 技術(shù)院士, 先進(jìn)能源工業(yè)公司, 科羅拉多州弗萊森斯半導(dǎo)體芯片制造中的許多關(guān)鍵步驟使用電離氣體（等離子體）來(lái)構(gòu)建構(gòu)成微電子電路的復(fù)雜電路層。等離子體既用于添加材料（“沉積”）也用于去除材料（“蝕刻”）。所需結(jié)果取決于所使用的氣體，但大多數(shù)等離子體設(shè)備配置為施加電力以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)關(guān)鍵目標(biāo)
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歐洲半導(dǎo)體輻射探測(cè)器市場(chǎng)研究報(bào)告（2025 年）

半導(dǎo)體輻射探測(cè)器市場(chǎng)正在經(jīng)歷強(qiáng)勁增長(zhǎng)，這是由于醫(yī)療保健、安全、工業(yè)檢測(cè)和科學(xué)研究等不同領(lǐng)域的需求不斷增長(zhǎng)。這些探測(cè)器利用半導(dǎo)體材料的獨(dú)特特性，提供高效和準(zhǔn)確的輻射檢測(cè)能力。推動(dòng)這一增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力包括導(dǎo)致探測(cè)器靈敏度和分辨率提高的技術(shù)進(jìn)步、需要先進(jìn)檢測(cè)系統(tǒng)的嚴(yán)格安全和安保監(jiān)管要求，以及在醫(yī)療診斷和治療中越來(lái)越多地采用基于輻射的技術(shù)。此外，各行各業(yè)對(duì)核安全和核安保的日益關(guān)注以及政府促進(jìn)輻射檢測(cè)技術(shù)研發(fā)的舉措為市場(chǎng)擴(kuò)張做出了重大貢獻(xiàn)。市場(chǎng)在應(yīng)對(duì)全球挑戰(zhàn)方面的作用體現(xiàn)在其在防止核恐怖主義、加強(qiáng)早期疾病檢測(cè)的醫(yī)學(xué)
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GenAI的驚人速度正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)

人類正在目睹一場(chǎng)如此極端的技術(shù)革命，其全部規(guī)?？赡艹鑫覀兊闹橇Ψ秶?。生成式 AI （GenAI）的性能每六個(gè)月翻一番 [1]，超過(guò)了業(yè)界所說(shuō)的超級(jí)摩爾定律的摩爾定律。一些云 AI 芯片制造商預(yù)計(jì)未來(lái)十年每年的性能將翻倍或翻三倍 [2]。在這個(gè)由三部分組成的博客系列中，我們將探討當(dāng)今的半導(dǎo)體格局和創(chuàng)新芯片制造商戰(zhàn)略，在第二部分深入探討未來(lái)的重大挑戰(zhàn)，并在第三部分通過(guò)研究推動(dòng) AI 未來(lái)的新興變化和技術(shù)來(lái)結(jié)束。按照這種爆炸性的速度，專家預(yù)測(cè)通用人工智能（AGI）將在 2030 年左右實(shí)現(xiàn) [3][4]
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印度的高科技飛躍：引領(lǐng)半導(dǎo)體浪潮

印度正在將自己定位為全球半導(dǎo)體制造中心，這一愿景得到了蓬勃發(fā)展的電子行業(yè)、關(guān)鍵政府舉措以及人工智能（AI）、生成式人工智能（Gen AI）、5G 和物聯(lián)網(wǎng) （IoT）等新技術(shù)的日益采用的支持。根據(jù)印度電子和半導(dǎo)體協(xié)會(huì) （IESA）的一份報(bào)告，該國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 2024 年的 520 億美元增長(zhǎng)到 2030 年的 1034 億美元。如今，半導(dǎo)體為幾乎所有電子設(shè)備提供動(dòng)力，從手機(jī)到無(wú)人駕駛汽車。在人工智能興起、汽車電氣化和自動(dòng)駕駛等幾個(gè)全球趨勢(shì)的推動(dòng)下，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在激增。IDC 的一份報(bào)告顯
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半導(dǎo)體稅收抵免提升僅對(duì)正在進(jìn)行的項(xiàng)目有所幫助

律師 Holland King 表示，參議院關(guān)于增加半導(dǎo)體建設(shè)稅收抵免的提案將使現(xiàn)有工作受益，但對(duì)鼓勵(lì)新項(xiàng)目幾乎沒(méi)有作用。美國(guó)參議院對(duì)唐納德·特朗普總統(tǒng)的大規(guī)模稅收和支出計(jì)劃做出的改變之一是將先進(jìn)制造業(yè)投資抵免（非正式地稱為半導(dǎo)體抵免）從25%提高到30%。此變更將適用于 12 月 31 日之后投入使用的任何設(shè)施。但該法案沒(méi)有起到的作用對(duì)于那些希望利用這項(xiàng)抵免的人來(lái)說(shuō)同樣重要。投資稅收抵免是在 CHIPS 法案中引入的，旨在鼓勵(lì)建設(shè)或改進(jìn)制造半導(dǎo)體或其他半導(dǎo)體制造設(shè)備的設(shè)施。它允許業(yè)主申請(qǐng) 25% 的合格
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印日關(guān)系加深，重點(diǎn)關(guān)注的半導(dǎo)體和智慧城市投資

日本商工部周四宣布，日本駐印度大使小野圭一（Keiichi Ono）率領(lǐng)一個(gè)由日本知名公司組成的高級(jí)代表團(tuán)正式訪問(wèn)了古吉拉特邦的 Dholera 特別投資區(qū) （SIR），古吉拉特邦是德里-孟買工業(yè)走廊（DMIC）下的印度綠地智能工業(yè)城市。此次訪問(wèn)是加強(qiáng)印度和日本之間工業(yè)合作的一個(gè)重要里程碑，該合作以創(chuàng)新、可持續(xù)性和包容性發(fā)展的共同價(jià)值觀為基礎(chǔ)。為期兩天的參與從在艾哈邁達(dá)巴德舉行的會(huì)議開(kāi)始，然后是對(duì) Dholera SIR 的實(shí)地考察。日本代表團(tuán)在 Dholera 工業(yè)城發(fā)展有限公司（DICDL）
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三星電子的半導(dǎo)體困境：HBM苦苦掙扎，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出色

三星電子在今年第二季度錄得的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)明顯低于市場(chǎng)預(yù)期，引發(fā)了對(duì)其高帶寬內(nèi)存（HBM）業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲(chǔ)半導(dǎo)體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯(cuò)的成績(jī)，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3）以來(lái)，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導(dǎo)致 SK 海力士和美光占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。根據(jù)國(guó)內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)利
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Applied Materials：為半導(dǎo)體帶來(lái)更清潔的能源

半導(dǎo)體制造商應(yīng)用材料公司（Applied Materials）在解決其全球運(yùn)營(yíng)和供應(yīng)鏈中的能源使用問(wèn)題的同時(shí)，在可再生電力方面取得了進(jìn)展應(yīng)用材料公司發(fā)布了《2024 年影響報(bào)告》，其中闡述了它如何應(yīng)對(duì)實(shí)現(xiàn)清潔能源目標(biāo)的挑戰(zhàn)，同時(shí)建造新設(shè)施來(lái)服務(wù)于快速增長(zhǎng)的科技行業(yè)。該公司總部位于加利福尼亞州，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供從消費(fèi)設(shè)備到數(shù)據(jù)中心的機(jī)器。這意味著它不僅僅是能源用戶，它還有助于定義全球數(shù)字系統(tǒng)中的能源消耗方式。在能源方面，既有進(jìn)步，也有壓力?？稍偕娏υ黾樱欧帕恳苍谠黾討?yīng)用材料公司承諾到 2030
關(guān)鍵字： Applied Materials 半導(dǎo)體清潔能源應(yīng)用材料

AI驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人加速半導(dǎo)體研發(fā)，實(shí)現(xiàn)綠色能源

科學(xué)家們正在尋求可能提高太陽(yáng)能電池和其他小工具效率的新型半導(dǎo)體材料。然而，科學(xué)家手動(dòng)監(jiān)測(cè)關(guān)鍵材料特性的速度是創(chuàng)新的障礙。得益于麻省理工學(xué)院研究人員創(chuàng)建的完全自主機(jī)器人系統(tǒng)，事情可能會(huì)發(fā)展得更快。該研究發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》上。他們的技術(shù)利用機(jī)器人探針來(lái)評(píng)估光電導(dǎo)率，這是一種重要的電學(xué)特性，決定了材料對(duì)光的接受程度。研究人員將人類專家在材料科學(xué)領(lǐng)域的知識(shí)納入機(jī)器學(xué)習(xí)模型，以指導(dǎo)機(jī)器人的決策。這允許機(jī)器人選擇與探針接觸材料的最佳位置，以獲得有關(guān)其光電導(dǎo)的大部分信息，同時(shí)獨(dú)特的規(guī)劃方法確定接觸點(diǎn)之間的最快路徑。在
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關(guān)稅糾纏不清環(huán)境中半導(dǎo)體的逆向機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)是全球科技經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵，目前正在波濤洶涌的水域中航行。在美中貿(mào)易緊張局勢(shì)升級(jí)之際，拜登政府對(duì)關(guān)鍵礦產(chǎn)和半導(dǎo)體的 232 條款調(diào)查（將于 2025 年 11 月結(jié)束）為本已動(dòng)蕩的市場(chǎng)注入了不確定性。對(duì)于投資者來(lái)說(shuō)，動(dòng)蕩提供了一個(gè)典型的逆向機(jī)會(huì)：有機(jī)會(huì)以折扣價(jià)購(gòu)買 Nvidia （NVDA）等優(yōu)質(zhì)股票，同時(shí)為該行業(yè)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)軌跡做好準(zhǔn)備。關(guān)稅十字路口：風(fēng)險(xiǎn)與現(xiàn)實(shí)美國(guó)正在審查其對(duì)半導(dǎo)體和關(guān)鍵礦物的外國(guó)供應(yīng)鏈的依賴，這些半導(dǎo)體和關(guān)鍵礦物對(duì)人工智能芯片、電動(dòng)汽車和國(guó)防系統(tǒng)至關(guān)重要。20
關(guān)鍵字：關(guān)稅半導(dǎo)體 NVDA Nvidia

全球半導(dǎo)體濕化學(xué)品市場(chǎng)到2031年達(dá)17億美元

半導(dǎo)體市場(chǎng)中的濕化學(xué)品按類型（通用濕化學(xué)品、功能性濕化學(xué)品）、應(yīng)用（清潔應(yīng)用、蝕刻應(yīng)用）進(jìn)行細(xì)分。半導(dǎo)體中的濕化學(xué)品市場(chǎng)在 2024 年的價(jià)值為 11.46 億美元，預(yù)計(jì)到 2031 年將達(dá)到 17.35 億美元的修訂規(guī)模，在預(yù)測(cè)期內(nèi)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.2%。推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)濕化學(xué)品增長(zhǎng)的主要因素：在小型化趨勢(shì)、不斷擴(kuò)大的制造產(chǎn)能和芯片生產(chǎn)復(fù)雜性上升的推動(dòng)下，半導(dǎo)體市場(chǎng)的濕化學(xué)品正處于強(qiáng)勁的上升軌道上。這些化學(xué)品是關(guān)鍵制造步驟的基礎(chǔ)，并且正在不斷發(fā)展以滿足先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體濕化學(xué)品

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]