據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。

與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強(qiáng)調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強(qiáng)三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。

據(jù) Business Korea 援引消息人士的話稱，三星正在加緊努力，用國產(chǎn)替代品取代依賴日本的 ArF 空白口罩。此外，該報告指出，三星還在努力將其他依賴日本的材料本地化，例如 EUV 薄膜。

與此同時，據(jù)報道，三星正在評估的 i-line 和 KrF 光掩模供應(yīng)商包括日本凸版控股的子公司 Tekscend Photomask 和美國光掩模公司 Photronics 旗下的 PKL。報告指出，評估過程正在進(jìn)行中，據(jù)報道預(yù)計將在第三季度完成。

先進(jìn)節(jié)點(diǎn)開發(fā)推動光掩模需求增長

據(jù) The Elec 稱，光掩模按波長分類，EUV 使用 13.5nm 波長，這是目前最先進(jìn)的技術(shù)，能夠?qū)ψ钚〉奶卣鬟M(jìn)行圖案化。

隨著芯片變得越來越先進(jìn)和電路圖形的縮小，所需的光掩模數(shù)量不斷增長。例如，在邏輯芯片中，掩模數(shù)量預(yù)計將從 10nm 節(jié)點(diǎn)的 67 個增加到 1.75nm 節(jié)點(diǎn)的 78 個。正如 The Elec 所指出的，過去，DRAM 生產(chǎn)需要大約 30 到 40 個掩模，但現(xiàn)在這個數(shù)字超過 60 個。

The Elec 表示，韓國的光掩模市場價值約為 7000 億韓元，利用率超過 90%，中國無晶圓廠半導(dǎo)體公司不斷增長的需求正在推動這一增長。