臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機
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臺積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結(jié)構(gòu)，取代FinFET。期間，臺積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202206/435317.htm顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。
此前，Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的廠商，計劃2025年前使用上。三星這邊也是不甘示弱，本周副會長李在镕親赴荷蘭會見ASML高層，據(jù)說至少爭取到了18臺（ASML今年預(yù)計出貨51臺EUV）。資料顯示，荷蘭ASML正在研發(fā)新款光刻機High-NA EXE:5200（0.55NA），所謂High-NA也就是高數(shù)值孔徑，2nm之后的節(jié)點都得依賴它實現(xiàn)。這款光刻機價值高達4億美元（約合26億元人民幣），雙層巴士大、重超200噸。
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