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英偉達(dá)計劃于 2027 年開始設(shè)計 HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢

根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計劃從 2027 年下半年開始承擔(dān) HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關(guān)系，削弱他們的談判能力，并控制供應(yīng)成本。報道強(qiáng)調(diào)，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動向代工生產(chǎn)轉(zhuǎn)型。SK 海力已選擇臺積電承擔(dān)這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為美光也將這
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內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場漲價風(fēng)聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調(diào)漲，單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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據(jù)報道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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據(jù)報道，英偉達(dá)計劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

市場傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預(yù)計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產(chǎn)計劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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Yole評2025數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢：人工智能重塑計算和內(nèi)存市場

市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導(dǎo)體范式
關(guān)鍵字： 202508 數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體人工智能內(nèi)存

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預(yù)計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險，對 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日報報道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內(nèi)存價格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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AI驅(qū)動內(nèi)存革新臺積電與三星引領(lǐng)存儲技術(shù)搶攻萬億商機(jī)

全球新興記憶體與儲存技術(shù)市場正快速擴(kuò)張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動先進(jìn)非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
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Q3報價談判啟動內(nèi)存供應(yīng)鏈吃緊報價看漲

隨著第二季即將結(jié)束，多家內(nèi)存原廠已展開第三季合約報價談判。原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關(guān)鍵產(chǎn)品為觀察重點。根據(jù)TrendForce調(diào)查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務(wù)器核心零組件，供應(yīng)持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴(yán)重短缺，推升報價動能。在一般型DR
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表

美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關(guān)注，但焦點也集中在其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內(nèi)和海外。美國生產(chǎn)時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴(kuò)張計劃，計劃在其愛達(dá)荷州博伊西總部建設(shè)一個尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
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英飛凌迎接新太空應(yīng)用的內(nèi)存市場挑戰(zhàn)

NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結(jié)合。這些任務(wù)通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務(wù)持續(xù)時間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應(yīng)用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認(rèn)證即可提供強(qiáng)大的性能。Infineon
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微信“史詩級”更新：手機(jī)內(nèi)存有救了！

近日有消息稱，微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設(shè)備。對此，微信方面回應(yīng)稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示，和當(dāng)前僅支持備份到電腦相比，優(yōu)化后的功能支持用戶通過手機(jī)微信，將聊天記錄備份到外部存儲設(shè)備（如U盤、移動硬盤），且可創(chuàng)建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續(xù)擴(kuò)大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設(shè)置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復(fù)”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現(xiàn)在備份與恢復(fù)可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設(shè)備”或“支
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]